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(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115055133A(43)申请公布日2022.09.16(21)申请号202210673555.7(22)申请日2022.06.13(71)申请人安徽德徽创芯科技有限公司地址233703安徽省合肥市蚌埠市固镇县新马桥镇蚌埠铜陵现代产业园区中小企业产业园8号楼(72)发明人刘亚巍王泓江李斯(74)专利代理机构合肥北极牛知识产权代理事务所(特殊普通合伙)34239专利代理师施德祥(51)Int.Cl.B01J19/00(2006.01)B01J4/00(2006.01)C01B21/06(2006.01)H01L21/02(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图4页(54)发明名称一种升降式氮化镓连续生长反应装置(57)摘要本发明公开了一种升降式氮化镓连续生长反应装置,涉及氮化镓技术领域,本发明包括装置底座、支撑杆,所述装置底座顶部的两端固定连接有支撑杆,所述装置底座两端的侧部固定连接有驱动电机,所述驱动电机的输出端固定连接有转动杆,在转动杆的前端固定连接有稳固板,在稳固板相对的内侧面两端固定连接有稳固钮,通过上装置筒向下移动后,活动套接在内层套接筒的侧部,从而将整个内层套接筒进行密封,避免气体向外渗出,同时通过在上装置筒顶部安装的上装置盖板的顶部设置有进料接口,而下装置筒的侧部设置有出料接口,便于在进行使用的过程中,通过进料接口向内层套接筒的内部输送物料,同时通过出料接口对物料进行卸料处理。CN115055133ACN115055133A权利要求书1/1页1.一种升降式氮化镓连续生长反应装置,包括装置底座(1)、支撑杆(10),其特征在于:所述装置底座(1)顶部的两端固定连接有支撑杆(10);所述装置底座(1)两端的侧部固定连接有驱动电机(2),所述驱动电机(2)的输出端固定连接有转动杆(3),在转动杆(3)的前端固定连接有稳固板(4),在稳固板(4)相对的内侧面两端固定连接有稳固钮(5),在稳固钮(5)的前端固定连接有下装置筒(6),在下装置筒(6)的底部固定连接有下装置盖板(7),所述下装置筒(6)的顶部固定连接有内层套接筒(9);所述支撑杆(10)相对的内侧面固定连接有轨道杆(11),在轨道杆(11)的侧部活动套接有移动器(12),在移动器(12)的侧部固定连接有边框板(13),所述移动器(12)的内部卡接有驱动齿轮(14),所述移动器(12)的内部固定连接有微型驱动器(15),所述移动器(12)的前侧面设置有数据显示面板(16),所述边框板(13)相对的内侧面固定连接有上装置筒(17),在上装置筒(17)的顶部固定连接有上装置盖板(18)。2.根据权利要求1所述的一种升降式氮化镓连续生长反应装置,其特征在于,所述下装置筒(6)的侧部设置有出料接口(8)、且贯穿下装置筒(6)的内侧面。3.根据权利要求1所述的一种升降式氮化镓连续生长反应装置,其特征在于,所述微型驱动器(15)的输出端固定连接在驱动齿轮(14)侧部的中心位置。4.根据权利要求3所述的一种升降式氮化镓连续生长反应装置,其特征在于,所述驱动齿轮(14)的侧部和轨道杆(11)的前侧面均设置有齿轮纹、且齿轮纹之间相互啮合。5.根据权利要求1所述的一种升降式氮化镓连续生长反应装置,其特征在于,所述上装置盖板(18)的顶部设置有进料接口(19)、且贯穿上装置盖板(18)的底部。6.根据权利要求1所述的一种升降式氮化镓连续生长反应装置,其特征在于,所述下装置盖板(7)的顶部和上装置盖板(18)的底部外边缘处均设置有橡胶层、且与下装置筒(6)底端的内侧面和上装置筒(17)顶端的内侧面相吻合。7.根据权利要求1所述的一种升降式氮化镓连续生长反应装置,其特征在于,所述内层套接筒(9)的外侧面贴合在上装置筒(17)的内侧面。2CN115055133A说明书1/4页一种升降式氮化镓连续生长反应装置技术领域[0001]本发明属于氮化镓技术领域,特别是涉及一种升降式氮化镓连续生长反应装置。背景技术[0002]第三代半导体材料氮化镓GaN具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好(几乎不被任何酸腐蚀)等性质和强的抗辐照能力,在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景,其主要特点包括:高性能、高可靠性、低成本;高性能:主要包括高输出功率、高功率密度、高工作带宽、高效率、体积小、重量轻等,目前第一代和第二代半导体材料在输出功率方面已经达到了极限,而GaN半导体由于在热稳定性能方面的优势,很容易就实现高工作脉宽和高工作比,将天线单元级的发射功率提高10倍;高可靠性:功率器件的寿命与其温度密切相关,温结越高,寿命越低,GaN材料具有高温结和高热传导率等特性,极大的提高了器件在不同温度下的适应性和