一种升降式氮化镓连续生长反应装置.pdf
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一种升降式氮化镓连续生长反应装置.pdf
本发明公开了一种升降式氮化镓连续生长反应装置,涉及氮化镓技术领域,本发明包括装置底座、支撑杆,所述装置底座顶部的两端固定连接有支撑杆,所述装置底座两端的侧部固定连接有驱动电机,所述驱动电机的输出端固定连接有转动杆,在转动杆的前端固定连接有稳固板,在稳固板相对的内侧面两端固定连接有稳固钮,通过上装置筒向下移动后,活动套接在内层套接筒的侧部,从而将整个内层套接筒进行密封,避免气体向外渗出,同时通过在上装置筒顶部安装的上装置盖板的顶部设置有进料接口,而下装置筒的侧部设置有出料接口,便于在进行使用的过程中,通过进
一种氮化镓衬底生长热场装置.pdf
本发明涉及加热装置技术领域,且公开了一种氮化镓衬底生长热场装置,包括加热盘和炉体,所述加热盘的底部铺设有加热圈,且加热盘与加热圈均位于炉体的内部;所述加热盘的上方设有若干个可变换的激光反射台和激光器;所述激光器位于加热盘和激光反射台的正上方。本发明提出一种氮化镓衬底生长热场装置,本发明对上表面和下表面同时进行加热,同时提高加热区域的均匀性和精准性。
一种卧式氮化镓生长炉.pdf
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一种氮化反应连续隧道式装置.pdf
本发明公开了一种氮化反应连续隧道式装置,包括预热装置、氮化反应装置、冷却装置和循环推进系统,所述氮化反应装置的前端为预热装置,其后端为冷却装置,循环推进系统为运送产品的循环运动装置,并且预热装置、氮化反应装置、冷却装置中间都设有用于循环推进系统运行的隧道,循环推进装置一部分处于预热装置、氮化反应装置、冷却装置的隧道内,所述预热装置和氮化反应装置内均设有加热装置,所述氮化反应装置连接有氮气主管,氮气主管通过氮气打入装置然后经过若干氮气喷管连通到氮化反应装置内,对氮化反应区进行均匀的喷气。在保证氮化反应质量,
一种多步连续调控直接生长自剥离氮化镓的方法.pdf
本发明公开了一种多步连续调控直接生长自剥离氮化镓的方法,包括如下步骤:生长用GaN衬底在多温区多气氛的管式生长炉中的装配;GaN衬底在高温下氧化性气氛中氧化制备表面具有氧化镓层的衬底;具有氧化镓层的GaN衬底在腐蚀气体气氛中干刻蚀制备多孔GaN衬底;多孔GaN衬底上生长GaN单晶;生长工艺结束后控制氨气通入量实现界面出GaN分解;降温后烘箱静置得到自剥离GaN单晶。