用于晶体生长装置的加料设备、晶体生长装置及加料工艺.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114959875A(43)申请公布日2022.08.30(21)申请号202110220696.9(22)申请日2021.02.26(71)申请人晶科能源股份有限公司地址334100江西省上饶市经济开发区晶科大道1号申请人浙江晶科能源有限公司(72)发明人杨俊何丽珠白枭龙尚伟泽(74)专利代理机构北京汇思诚业知识产权代理有限公司11444专利代理师孙一方(51)Int.Cl.C30B15/02(2006.01)权利要求书2页说明书9页附图6页(54)发明名称用于晶体生长装置的加料设备、晶体生长装置及加料工艺(57)摘要本申请提供了一种用于晶体生长装置的加料设备、晶体生长装置及加料工艺，其中，该加料设备包括本体和开合机构，本体由下至上包括至少两层的腔室，开合机构设置于相邻两层腔室之间，相邻两层腔室通过开合机构导通或分隔；本体上设置有出料口和进料口，出料口与位于底层的腔室连通，进料口与位于顶层的腔室连通。本申请通过在加料设备中设置至少两层的腔室，可以使该加料设备能够单独进行备料、抽真空及充入保护气的操作，而不会占用工艺用时，同时可以实现在晶棒冷却过程中对单晶炉进行加料，由此缩短了晶棒制备工艺的整体时长，提升了生产效率。CN114959875ACN114959875A权利要求书1/2页1.一种用于晶体生长装置的加料设备，其特征在于，包括本体(1)和开合机构(2)，所述本体(1)由下至上包括至少两层的腔室，所述开合机构(2)设置于相邻两层腔室之间，相邻两层腔室通过所述开合机构(2)导通或分隔；所述本体(1)上设置有出料口和进料口，所述出料口与位于底层的腔室连通，所述进料口与位于顶层的腔室连通。2.根据权利要求1所述的用于晶体生长装置的加料设备，其特征在于，所述本体(1)由下至上包括两层腔室，分别为第一腔室(11a)和第二腔室(12a)，所述开合机构(2)为旋片阀，所述旋片阀转动设置于所述第一腔室(11a)和所述第二腔室(12a)之间；所述出料口与所述第一腔室(11a)连通，所述进料口与所述第二腔室(12a)连通。3.根据权利要求1所述的用于晶体生长装置的加料设备，其特征在于，所述本体(1)由下至上包括三层腔室，分别为第一腔室(11b)、第二腔室(12b)和第三腔室(13)，所述开合机构(2)包括第一旋片阀(21)和第二旋片阀(22)，所述第一旋片阀(21)转动设置于所述第一腔室(11b)和所述第二腔室(12b)之间，所述第二旋片阀(22)转动设置于所述第二腔室(12b)和所述第三腔室(13)之间；所述出料口与所述第一腔室(11b)连通，所述进料口与所述第三腔室(13)连通。4.根据权利要求1所述的用于晶体生长装置的加料设备，其特征在于，每个腔室上均设置有保护气接口(3)和真空管接口(4)。5.根据权利要求1所述的用于晶体生长装置的加料设备，其特征在于，所述本体(1)上设置有加料通道(5)，所述加料通道(5)的一端与所述出料口连通，所述加料通道(5)的另一端向远离所述本体(1)的方向延伸。6.根据权利要求5所述的用于晶体生长装置的加料设备，其特征在于，所述加料通道(5)上设置有卡扣，所述加料通道(5)通过所述卡扣与单晶炉可拆卸相连。7.一种晶体生长装置，其特征在于，包括权利要求1‑6任一项所述的用于晶体生长装置的加料设备，所述晶体生长装置还包括主炉室，所述主炉室与所述加料设备可拆卸连接，所述主炉室中设置有坩埚，所述加料设备的出料口与所述主炉室连通，以向所述坩埚中加料。8.一种加料方法，其特征在于，采用权利要求1‑6任一项所述的用于晶体生长装置的加料设备，所述加料方法包括如下步骤：向所述加料设备的各个腔室中添加硅料；在各个腔室内建立真空环境，并填充保护气；将所述加料设备与晶棒(8)处于冷却状态的单晶炉(6)相连；通过位于底层的腔室的出料口向所述单晶炉内的坩埚(61)中加料；控制所述开合机构(2)打开，以使位于顶层的腔室中的硅料通过自身重力的作用落入所述位于底层的腔室中；控制所述开合机构(2)关闭，以向所述位于顶层的腔室中补充硅料；在所述位于顶层的腔室内建立真空环境，并填充保护气；当晶棒(8)从所述单晶炉(6)中取出后，使所述加料设备与所述单晶炉(6)分离，并使所述单晶炉(6)与加料机相连，使所述加料设备与另一个需要加料的单晶炉相连，并通过所述位于底层的腔室的出料口向所述另一个单晶炉内的坩埚(61)中加料。9.根据权利要求8所述的加料方法，其特征在于，所述向各个腔室中添加硅料，具体包2CN114959875A权利要求书2/2页括：控制所述开合机构(2)打开，通过位于顶层的腔室的进料口向所述位于底层的腔室中添加设定量的硅料；控制所述开合机构(2)关闭，通过所述进料口向所述位于顶