一种TR组件的制作方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115020252A(43)申请公布日2022.09.06(21)申请号202210953177.8(22)申请日2022.08.10(71)申请人合肥芯谷微电子有限公司地址230088安徽省合肥市高新区创新大道425号安徽省科技成果转化示范基地E幢(72)发明人周宗明黄军恒(74)专利代理机构北京品源专利代理有限公司11332专利代理师初春(51)Int.Cl.H01L21/50(2006.01)H05K3/34(2006.01)权利要求书2页说明书9页附图7页(54)发明名称一种TR组件的制作方法(57)摘要本发明公开了一种TR组件的制作方法，该制作方法包括：在第一电路板上和第二电路板上分别固定多个元器件；将固定有元器件的第一电路板烧结到壳体的第一面上，得到第一部件；将第一部件放置在工装底座上，将各第一共晶芯片均放置在第一部件中的壳体的第一面上，将限位工装盖板放置在第一部件远离工装底座的一侧，使限位工装盖板中的第一定位销与工装底座上的第二定位销对准，以及使每一第一共晶芯片位于其对应的限位销的限位范围内，将限位工装盖板固定在工装底座上，得到第二部件；将第二部件放到烧结炉中进行烧结，烧结后，拆去工装底座和限位工装盖板。本发明可以简化工艺步骤，提高TR组件的制作效率、烧结的钎透率及可靠性。CN115020252ACN115020252A权利要求书1/2页1.一种TR组件的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：在第一电路板上和第二电路板上分别固定多个元器件；将固定有元器件的第一电路板烧结到壳体的第一面上，得到第一部件；获取第一共晶芯片和第二共晶芯片，其中，所述第一共晶芯片包括功率放大器和驱动放大器，所述第二共晶芯片包括多功能芯片、限幅低噪放芯片、调相块、可调衰减器芯片、功分器芯片和芯片电容；将所述第一部件放置在工装底座上，将各所述第一共晶芯片均放置在所述第一部件中的壳体的第一面上，将限位工装盖板放置在所述第一部件远离所述工装底座的一侧，使所述限位工装盖板中的第一定位销与所述工装底座上的第二定位销对准，以及使每一所述第一共晶芯片位于其对应的限位销的限位范围内，然后将所述限位工装盖板固定在所述工装底座上，得到第二部件，其中，所述限位工装盖板邻近所述第一共晶芯片的一侧设置有多个所述限位销，每一所述第一共晶芯片分别对应一个所述限位销；将所述第二部件放到烧结炉中进行烧结，烧结后，拆去所述工装底座和所述限位工装盖板，得到第三部件；将设置有元器件的第二电路板和各所述第二共晶芯片均固定在所述第三部件中的壳体远离所述第一电路板的一侧，得到第四部件；对所述第四部件进行引线键合，得到第五部件；对所述第五部件进行封盖，得到TR组件。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述限位销包括多个间隔分布的限位柱；所述使每一所述第一共晶芯片位于其对应的限位销的限位范围内具体包括：使所述限位销中的限位柱包围所述限位销对应的所述第一共晶芯片，使所述第一共晶芯片在所述限位销内的可移动距离小于设定距离。3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述获取第一共晶芯片和第二共晶芯片具体包括：将多个不同的待共晶芯片通过焊片分别共晶到不同的载体上，得到所述第一共晶芯片和所述第二共晶芯片。4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在第一电路板上和第二电路板上分别固定多个元器件具体包括：在第一电路板和第二电路板的元器件位置处涂覆第一焊锡膏；在所述第一电路板和所述第二电路板涂覆有第一焊锡膏的位置处放置元器件；将放置有所述元器件的第一电路板和放置有所述元器件的第二电路板放置在加热平台上以第一设定温度进行烧结。5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一部件还包括连接器；得到第一部件具体包括：清洗所述壳体的第一面和第二面，其中，所述壳体的第一面与第二面相对设置；在所述壳体的第一面上放置焊片并注射助焊剂，将烧结有元器件的第一电路板放置在所述焊片上；在连接器的外部涂覆第二焊锡膏，并将所述连接器插入所述壳体的对应的位置，得到2CN115020252A权利要求书2/2页第二子部件；将所述第二子部件放置在加热平台上以第二设定温度进行烧结；烧结后，将所述连接器与第一电路板中的微带通过焊锡丝焊接，得到连接器部件；对所述连接器部件进行清洗，得到第二部件。6.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述将多个不同的待共晶芯片通过焊片分别共晶到不同的载体上，得到第一共晶芯片和第二共晶芯片具体包括：设置共晶台的温度为第三设定温度；将载体放置在所述共晶台上；将焊片放置在所述载体上；待焊片熔化后，将多个待共晶芯片放置在对应的载体上，并用镊子夹住所述待共晶芯片在所述载体上摩擦，使所述待共晶芯片与所述载体无缝隙连接，得到所述第