TR组件_.ppt

相控阵雷达T/R组件主要内容：T/R是TransmitterandReceiver的缩写。T/R组件通常意义下是指一个无线收发系统中频与天线之间的部分，即T/R组件一端接天线，一端接中频处理单元就构成一个无线收发系统。背景意义有源相控阵雷达的TR组件位于天线和信号合成／分解网络之间，其主要功能是根据外部控制信号对微波信号进行放大、移相和衰减。指标：
频率范围
发射功率
发射增益
接收增益
收发隔离度
噪声系数
效率
输入输出功率
衰减范围，精度
相移范围，精度世界先进水平的T/R产品指标如下：TI:Hi-PerfWiMAX802.16,2.5-3.5GHzBTSRX/TXTI:TRF2443指标如下：混频器是通信收发组件中重要的组成部件。在发射机中一般用上混频，它将已调制的中频信号搬移到射频段。接收机一般为下混频，它将接收到的射频信号搬移到中频上。接收机的混频器位于LNA之后，将LNA输出的射频信号通过与本振信号相乘变换为中频信号。有源混频器：振荡器环形器一、环形器的基本原理隔离器基本原理2.精度：这是衡量一个信号隔离变送器质量的标尺。业内一般能做到量程±0.2[%]。个别品牌如M-SYSTEM、ACI等能做到±0.1[%]。
3温度系数：表示隔离器等仪表在环境温度发生变化时，精度的变化情况。大多情况下用百分数表示（也有用单位250ppm/K表示的），如：M-SYSTEM温度系数±0.015[%]/℃（相当于150ppm/K）。
4.响应时间：表征信号隔离器的反应速度。
5.绝缘电阻：内部电源与外壳之间隔离直流作用的数值化表征。
6.负载电阻：反映了信号隔离器的带载能力。

开关电路下图即是一个电子T-R开关的基本电路，由一个与发射器串联的PIN二极管，和一个并联在距离天线-TX-RX节点1/4波长位置的二极管组成。低噪声放大器射频放大电路的主要技术指标：功率放大器的主要指标衰减器技术指标微波数字衰减器常用的拓扑结构有开关型、T型、桥T型、π型等。不同的拓扑结构在不同衰减位的表现是不同的，有的拓扑结构在实现小衰减量时性能很好，有些则比较适合用于实现较大衰减量。设计多位数字衰减器时，需要权衡选择。

各种拓扑结构如下图所示：(a)T型衰减器用途移相器移相器指标移相器的分类四种常用移相器微波限幅器微波半导体二极管有三种现象可用于限幅:理论分析以单节限幅电路为基础,单节二极管并联时的等效电路图如图1所示。其中:Cj、Rf为PIN限幅二极管的高阻、低阻状态时的等效元件;Z0、L分别是传输线的特性阻抗和二极管两端的等效电感,Z0=50Ω。微波限幅器主要参数定义滤波器滤波器类型及其特点声表面波滤波器
声表面波是指声波在弹性体表面的传播，这个波被称为弹性声表面波。声表面波的传播速度比电磁波的速度约小10万倍。声表面波滤波器是采用石英晶体、压电陶瓷等压电材料，利用其压电效应和声表面波传播的物理特性而制成的一种滤波专用器件，广泛应用于电视机及录像机中频电路中，以取代LC中频滤波器，使图像、声音的质量大大提高。
声表滤波器、声表谐振器，是在压电基片材料表面产生并传播、且其振幅随深入基片本材料的深度增加而迅速减少的的弹性波。声表面波(SAW)是传播于压电晶体表面的机械波，其声速仅为电磁波速的十万分之一，传播衰耗很小。
SAW声表器件是在压电基片上采用微电子工艺技术制作叉指形电声换能器和反射器耦合器等，利用基片材料的压电效应，通过输入叉指换能器(IDT)将电信号转换成声信号，并局限在基片表面传播，输出IDT将声信号恢复成电信号，实现电-声-电的变换过程，完成电信号处理过程，获得各种用途的电子器件。采用了先进微电子加工技术制造的声表面波器件，具有体积小、重量轻、可靠性高、一致性好、多功能以及设计灵活等优点。
介质滤波器
介质滤波器利用介质陶瓷材料的低损耗、高介电常数、频率温度系数和热膨胀系数小、可承受高功率等特点设计制作的，由数个长型谐振器纵向多级串联或并联的梯形线路构成。T/R组件的工作原理
T/R组件是实现发射和接收两个主要功能，因此T/R组件中主要包含发射通道、接收通道以及驱动控制三个部分，有些T/R组件中还包括了以及低频连接器、射频输入输出、电源控制部分等组件接口部分。发射通道：
主要由增益放大、移相器、衰减器、驱动放大、功率放大器等组成。在发射周期内，由激励信号源送来的信号送入组件发射通道经过输入T/R开关进入发射通道，先进行增益放大、数字移相，然后进行驱动放大、高功率放大，最后经环形器迸入辐射单元，完成信号发射功能。接收通道：
主要由限幅器、低噪声放大器、增益放大、移相器、衰减器等组成。当发射信号结束后T／R组件就处于接收状态，在接收周期内，从天线接收到的微弱信号经输出开关至限幅器、低噪声放大器，再经数字式移相器、输入开关到接收