一种TR组件的电磁屏蔽结构.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114496996A(43)申请公布日2022.05.13(21)申请号202210068841.0H01Q23/00(2006.01)(22)申请日2022.01.21(71)申请人中国电子科技集团公司第十研究所地址610000四川省成都市金牛区茶店子东街48号(72)发明人朱贵德熊文毅任思罗鑫罗里陈祥楼陈帅(74)专利代理机构成都九鼎天元知识产权代理有限公司51214专利代理师孙元伟(51)Int.Cl.H01L23/552(2006.01)H01L23/66(2006.01)H01L25/18(2006.01)H01Q21/00(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图2页(54)发明名称一种TR组件的电磁屏蔽结构(57)摘要本发明涉及TR组件电磁屏蔽技术领域，公开了一种TR组件的电磁屏蔽结构，包括从下至上依次设置的母板、射频接地层、介质固定帽，所述介质固定帽上开有一个或多个固定腔，所述固定腔内设有多通道数模混合幅相芯片和/或多通道收发芯片，所述固定腔用以固定多通道数模混合幅相芯片和/或多通道收发芯片，所述射频接地层上方电连接有射频信号连接端子。本发明解决了现有技术存在的不能同时兼顾通道间电磁屏蔽、可实现、结构紧凑、低成本等应用需求的问题。CN114496996ACN114496996A权利要求书1/1页1.一种TR组件的电磁屏蔽结构，其特征在于，包括从下至上依次设置的母板(9)、射频接地层(8)、介质固定帽(1)，所述介质固定帽(1)上开有一个或多个固定腔(2)，所述固定腔(2)内设有多通道数模混合幅相芯片(3)和/或多通道收发芯片(4)，所述固定腔(2)用以固定多通道数模混合幅相芯片(3)和/或多通道收发芯片(4)，所述射频接地层(8)上方电连接有射频信号连接端子(6)。2.根据权利要求1所述的一种TR组件的电磁屏蔽结构，其特征在于，所述射频接地层(8)上方还电连接有射频接地端子(5)。3.根据权利要求2所述的一种TR组件的电磁屏蔽结构，其特征在于，还包括设于所述射频接地层(8)上表面的射频信号焊盘(7)，所述射频信号连接端子(6)与所述射频信号焊盘(7)连接。4.根据权利要求3所述的一种TR组件的电磁屏蔽结构，其特征在于，还包括设于多通道数模混合幅相芯片(3)和/或多通道收发芯片(4)内的射频接地焊盘(11)，所述射频接地端子(5)与所述射频接地焊盘(11)连接。5.根据权利要求4所述的一种TR组件的电磁屏蔽结构，其特征在于，设于所述射频接地层(8)与所述介质固定帽(1)之间的再布线层(10)，多通道数模混合幅相芯片(3)和/或多通道收发芯片(4)通过所述再布线层(10)与所述射频接地端子(5)电相连，和/或，多通道数模混合幅相芯片(3)和/或多通道收发芯片(4)通过所述再布线层(10)与所述射频信号连接端子(6)电相连。6.根据权利要求5所述的一种TR组件的电磁屏蔽结构，其特征在于，所述射频接地端子(5)为BGA球状结构或柱状结构，和/或，所述射频信号连接端子(6)为BGA球状结构或柱状结构。7.根据权利要求6所述的一种TR组件的电磁屏蔽结构，其特征在于，所述射频信号连接端子(6)与所述射频信号焊盘(7)采用类同轴屏蔽结构或开口GSG屏蔽结构屏蔽。8.根据权利要求1至7任一项所述的一种TR组件的电磁屏蔽结构，其特征在于，所述母板(9)为多层混压埋阻PCB板或低温共烧陶瓷埋阻电路板。9.根据权利要求8所述的一种TR组件的电磁屏蔽结构，其特征在于，所述多通道数模混合幅相芯片(3)为毫米波多通道数模混合幅相多功能芯片，和/或，所述多通道收发芯片(4)为毫米波多通道收发芯片。10.根据权利要求9所述的一种TR组件的电磁屏蔽结构，其特征在于，所有的毫米波通道分支口的毫米波传输线扇出均等幅同相。2CN114496996A说明书1/4页一种TR组件的电磁屏蔽结构技术领域[0001]本发明涉及TR组件电磁屏蔽技术领域，具体是一种TR组件的电磁屏蔽结构。背景技术[0002]近年来，Sub‑6G频段的可用频谱资源已经日益匮乏，而毫米波频段以其带宽资源丰富的显著优势,将成为宽带卫星通信、5G乃至未来6G移动通信发展的黄金频段。有源相控阵天线具有体积小、重量轻、高速无惯性电扫描、良好的通道冗余性等特点,在切换波束时无需像传统机械扫描天线一样进行连续机械控制和重新定位。[0003]TR组件作为有源相控阵的核心部件，随着相控阵往毫米波方向发展需要TR组件做到小型化、轻量化、低成本、高可靠。然而，传统的微波相控阵TR组件大多是通过选用单通道单功能芯片，再分别将多个单功能芯片组成的TR组件通道通过实体金属墙进行通道分腔隔离，以达到良好的电磁屏蔽效果。在毫米波频段相控阵天线阵元间