拉晶炉.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115074829A(43)申请公布日2022.09.20(21)申请号202210825183.5(22)申请日2022.07.13(71)申请人西安奕斯伟材料科技有限公司地址710000陕西省西安市高新区西沣南路1888号1-3-029室(72)发明人杨文武(74)专利代理机构北京银龙知识产权代理有限公司11243专利代理师李红标(51)Int.Cl.C30B27/02(2006.01)C30B29/06(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图2页(54)发明名称拉晶炉(57)摘要本发明公开了一种拉晶炉，包括：炉体，炉体具有腔室，炉体设有与腔室连通的拉晶口；支撑座，支撑座设置于腔室中；坩埚，坩埚设置于支撑座上；导流筒，导流筒设置于坩埚与拉晶口之间；过滤装置，过滤装置设置于导流筒的内侧壁上，过滤装置上与拉晶口对应的位置设有拉晶通道，过滤装置上设置有多个气流通道。过滤装置可以阻隔生成的氧化硅气体向上漂浮，惰性气体由上方向下流动，经过过滤装置后可以过滤掉存在固体杂质颗粒，同时过滤装置的气流通道可以改变惰性气体紊流，使通过的气流有序掠过熔体表面，及时带走氧化硅气体，通过过滤装置可以有效阻止热冲击的产生，减少惰性气体的紊流。CN115074829ACN115074829A权利要求书1/1页1.一种拉晶炉，其特征在于，包括：炉体，所述炉体具有腔室，所述炉体设有与所述腔室连通的拉晶口；支撑座，所述支撑座设置于所述腔室中；坩埚，所述坩埚设置于所述支撑座上；导流筒，所述导流筒设置于所述坩埚与所述拉晶口之间；过滤装置，所述过滤装置设置于所述导流筒的内侧壁上，所述过滤装置上与所述拉晶口对应的位置设有拉晶通道，所述过滤装置上设置有多个气流通道。2.根据权利要求1所述的拉晶炉，其特征在于，所述过滤装置包括环形板，所述环形板的外周与所述导流筒的内侧壁连接。3.根据权利要求1所述的拉晶炉，其特征在于，所述过滤装置包括锥筒，所述气流通道设置于所述锥筒的侧壁上，所述拉晶通道沿所述锥筒的轴线方向贯穿，所述锥筒靠近所述拉晶口一端的直径小于所述锥筒远离所述拉晶口一端的直径。4.根据权利要求1所述的拉晶炉，其特征在于，所述导流筒的内侧壁设有支撑台，所述过滤装置的底部设置于所述支撑台上。5.根据权利要求1所述的拉晶炉，其特征在于，所述过滤装置在第一平面上的正投影位于所述坩埚在所述第一平面上的正投影内，所述第一平面与所述炉体的轴线垂直。6.根据权利要求1所述的拉晶炉，其特征在于，所述导流筒在第一平面上的正投影位于所述坩埚在所述第一平面上的正投影内，所述第一平面与所述炉体的轴线垂直。7.根据权利要求1所述的拉晶炉，其特征在于，所述腔室的内侧壁设有导流板，所述导流板沿所述腔室的内侧壁的周向延伸，所述导流板设置于所述导流筒的外侧，所述导流筒与所述导流板连接。8.根据权利要求7所述的拉晶炉，其特征在于，所述导流板和所述导流筒中至少一个为保温材料件；和/或所述导流板和所述导流筒中至少一个的表面设有保温层。9.根据权利要求1所述的拉晶炉，其特征在于，所述气流通道包括第一通道和与所述第一通道连通的第二通道，所述第一通道远离所述坩埚设置，所述第二通道靠近所述坩埚设置，所述第一通道的直径大于所述第二通道的直径。10.根据权利要求1所述的拉晶炉，其特征在于，多个所述气流通道均匀分布在所述过滤装置上；和/或所述导流筒的轴线与所述炉体的轴线共线或平行；和/或所述拉晶通道的轴线与所述炉体的轴线共线或平行。2CN115074829A说明书1/5页拉晶炉技术领域[0001]本发明属于拉晶炉技术领域，具体涉及一种拉晶炉。背景技术[0002]随着半导体硅晶圆品质的不断提高，对拉晶过程中晶棒的晶体缺陷有了更高的管控要求，影响晶体缺陷的因素主要有两个因素，其一是拉晶工艺参数，用优化的工艺参数去拉晶能制得品质更好的晶棒；其二是热场的结构和性能，其好坏是晶棒品质的先决条件，热场是拉晶炉中至关重要的组成部分，由于拉晶炉拉晶环境要求严苛，对于热场的品质和材质要求极高，不仅要耐高温，热稳定性好，而且纯度要高。[0003]拉晶过程中需向拉晶炉内充入惰性气体，一是维持炉内压力恒定，给晶体一个稳定的生长空间；二是带走晶体生长过程中生成的大量SiO气体及不纯物，避免这些物质大量沉积在热场部件表面，影响其正常使用。现有技术中往往因为局部温度场的突变或惰性气体的紊流引起晶体发生断线，由单晶转变成多晶生长，断线发生后一般需要回溶或者提断操作，这样不仅增加了成本，而且减少了晶棒的整体良率，影响了拉晶的正常有序进行。发明内容[0004]本发明实施例的目的是提供一种拉晶炉，用以解决拉晶过程中局部温度场的突变影响拉晶的问题。[0005]本发明实施例提供了一种拉晶炉，包