用于拉晶炉的导流筒及拉晶炉.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110904498A(43)申请公布日2020.03.24(21)申请号201911312839.8(22)申请日2019.12.18(71)申请人西安奕斯伟硅片技术有限公司地址710065陕西省西安市高新区锦业路1号都市之门A座1323室(72)发明人蒲以松惠聪(74)专利代理机构西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)61230代理人刘长春(51)Int.Cl.C30B15/00(2006.01)C30B15/14(2006.01)C30B29/06(2006.01)权利要求书1页说明书7页附图3页(54)发明名称用于拉晶炉的导流筒及拉晶炉(57)摘要本发明公开了一种用于拉晶炉的导流筒，包括外导流筒、内导流筒和冷却单元，其中，所述内导流筒位于所述外导流筒内侧，所述内导流筒与所述外导流筒之间设置有隔热层；所述冷却单元包括嵌入在所述内导流筒内部的冷却管，所述冷却管连接至冷却介质供给装置。该导流筒在内导流筒中设置冷却单元，冷却介质可以快速吸收单晶硅棒辐射的热量，使得单晶硅棒散热较快，增大了单晶硅棒的冷却速度和结晶界面附近晶体的纵向温度梯度，有效避免了单晶硅棒中产生缺陷，提高了单晶硅棒生长速率，缩短了拉晶周期。本发明还提供了一种包括该导流筒的拉晶炉。CN110904498ACN110904498A权利要求书1/1页1.一种用于拉晶炉的导流筒(1)，其特征在于，所述导流筒(1)包括外导流筒(11)、内导流筒(12)和冷却单元(13)，其中，所述内导流筒(12)位于所述外导流筒(11)内侧，所述内导流筒(12)与所述外导流筒(11)之间设置有隔热层(14)；所述冷却单元(13)包括嵌入在所述内导流筒(12)内部的冷却管(131)，所述冷却管(131)连接至冷却介质供给装置。2.根据权利要求1所述的用于拉晶炉的导流筒(1)，其特征在于，所述外导流筒(11)的上端与所述内导流筒(12)的上端沿周向方向密封连接，所述外导流筒(11)的下端与所述内导流筒(12)的下端沿周向方向密封连接，并且所述隔热层(14)位于所述外导流筒(11)与所述内导流筒(12)之间形成的封闭腔体内。3.根据权利要求1所述的用于拉晶炉的导流筒(1)，其特征在于，所述内导流筒(12)包括上筒体部(121)和下筒体部(122)，其中，所述上筒体部(121)呈倒锥形，所述下筒体部(122)呈正锥形，所述上筒体部(121)与所述下筒体部(122)的交界处呈径缩状。4.根据权利要求1所述的用于拉晶炉的导流筒(1)，其特征在于，所述外导流筒(11)呈圆筒状。5.根据权利要求3所述的用于拉晶炉的导流筒(1)，其特征在于，所述冷却管(131)螺旋盘绕在所述上筒体部(121)的内部。6.根据权利要求5所述的用于拉晶炉的导流筒(1)，其特征在于，所述冷却管(131)的两端分别包括冷却管入口(132)和冷却管出口(133)。7.根据权利要求1所述的用于拉晶炉的导流筒(1)，其特征在于，所述冷却单元(13)还包括冷却介质入口管(134)和冷却介质出口管(135)，其中，所述冷却介质入口管(134)的一端连接至所述冷却介质供给装置，另一端连接至所述冷却管(131)的入口；所述冷却介质出口管(135)的一端连接至所述冷却管(131)的出口，另一端连接至冷却介质回收罐。8.根据权利要求7所述的用于拉晶炉的导流筒(1)，其特征在于，所述冷却单元(13)还包括温度检测器(136)、电磁阀(137)和控制模块(138)，其中，所述温度检测器(136)设置在所述冷却管(131)的入口处，所述电磁阀(137)设置在所述冷却介质入口管(134)上；所述控制模块(138)电连接所述温度检测器(136)和所述电磁阀(137)，用于根据所述温度检测器(136)检测的温度数据控制所述电磁阀(137)的开闭状态。9.根据权利要求1所述的用于拉晶炉的导流筒(1)，其特征在于，所述冷却介质供给装置向所述冷却管(131)供给的冷却介质包括水、干冰或液氮中的至少一种。10.一种拉晶炉，其特征在于，包括权利要求1至9中任一项所述的导流筒(1)。2CN110904498A说明书1/7页用于拉晶炉的导流筒及拉晶炉技术领域[0001]本发明涉及拉晶工艺技术领域，更具体地，涉及一种用于拉晶炉的导流筒和一种拉晶炉。背景技术[0002]单晶半导体材料是半导体领域最常使用的材料。生产单晶半导体材料最常用的方法是丘克劳斯基法(Czochralski法，简称CZ法)，又称为拉晶法或提拉法，采用CZ法制备单晶半导体材料的设备称为单晶炉。单晶炉拉制单晶硅棒时，盛装多晶硅块等原料的石英坩埚放入石墨坩埚内，在保护性气氛中加热融化，调控到工艺温度后，籽晶经导流筒插入熔融的硅熔液中