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(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115125610A(43)申请公布日2022.09.30(21)申请号202210915133.6(22)申请日2022.08.01(71)申请人西安奕斯伟材料科技有限公司地址710065陕西省西安市高新区西沣南路1888号1-3-029室(72)发明人杨文武(74)专利代理机构西安维英格知识产权代理事务所(普通合伙)61253专利代理师宋东阳沈寒酉(51)Int.Cl.C30B15/02(2006.01)C30B29/06(2006.01)权利要求书1页说明书6页附图3页(54)发明名称用于单晶炉的加料装置(57)摘要本公开涉及一种用于单晶炉的加料装置,包括:加料管,其包括进料端和出料端;物料挡件,其设置在加料管的出料端处;以及驱动装置,其构造成用于使物料挡件移动以打开及关闭加料管的在出料端处的管口,其中,加料管包括第一加料管和第二加料管,第一加料管和第二加料管中的一者的一端能够在其于加料管的轴向方向上的不同位置处与另一者的一端连接,以使得加料管是可伸缩的。通过这种可伸缩构造,使得加料管对于不同的加料量和不同的热场结构具有通用性。CN115125610ACN115125610A权利要求书1/1页1.一种用于单晶炉的加料装置,包括:加料管,其包括进料端和出料端;物料挡件,其设置在所述加料管的所述出料端处;以及驱动装置,其构造成用于使所述物料挡件移动以打开及关闭所述加料管的在所述出料端处的管口,其中,所述加料管包括第一加料管和第二加料管,所述第一加料管和所述第二加料管中的一者的一端能够在其于所述加料管的轴向方向上的不同位置处与另一者的一端连接,以使得所述加料管是可伸缩的。2.根据权利要求1所述的用于单晶炉的加料装置,其特征在于,所述一者的所述一端在其外表面上设置有至少两个环形槽以及滑槽,其中,所述环形槽绕所述一者的所述一端的周向方向延伸且在所述轴向方向上彼此间隔开,所述滑槽延伸穿过所述至少两个环形槽以将所述至少两个环形槽连通并且延伸成贯穿所述一者的所述一端的端面,并且所述另一者的所述一端在其内表面上设置有卡接件,其中,所述卡接件能够沿着所述滑槽移动到所述至少两个环形槽中的任一环形槽中并卡接在其中。3.根据权利要求2所述的用于单晶炉的加料装置,其特征在于,所述一者的所述一端在其外表面上径向对置地设置有两个所述滑槽,并且所述另一者的所述一端在其内表面上径向对置地设置有两个所述卡接件。4.根据权利要求2或3所述的用于单晶炉的加料装置,其特征在于,所述另一者为所述第二加料管,所述第二加料管包括上端直筒部和下端渐开部,并且所述卡接件设置在所述上端直筒部的内表面上。5.根据权利要求4所述的用于单晶炉的加料装置,其特征在于,所述物料挡件能够被接纳在所述第二加料管的所述下端渐开部内以关闭所述加料管的所述管口。6.根据权利要求1至3中的任一项所述的用于单晶炉的加料装置,其特征在于,所述物料挡件的与物料接触的上表面呈凸起形状。7.根据权利要求6所述的用于单晶炉的加料装置,其特征在于,所述凸起形状的陡峭度能够根据不同的投料量和所述单晶炉的不同的热场结构而构造成不同的。8.根据权利要求1至3中的任一项所述的用于单晶炉的加料装置,其特征在于,所述物料挡件和所述第二加料管的表面涂覆有纳米隔热涂层。9.根据权利要求1至3中的任一项所述的用于单晶炉的加料装置,其特征在于,所述第一加料管在其另一端处设置有用于使所述加料管接合在所述单晶炉上以不再向下移动的接合结构。10.根据权利要求1至3中的任一项所述的用于单晶炉的加料装置,其特征在于,所述驱动装置为加料杆,所述加料杆穿过所述进料端在所述加料管中延伸并在其一端处连接至所述物料挡件。2CN115125610A说明书1/6页用于单晶炉的加料装置技术领域[0001]本公开涉及半导体晶圆技术领域,具体地,涉及用于单晶炉的加料装置。背景技术[0002]随着晶圆品质的不断提高,对拉晶过程中晶棒的晶体缺陷有了更高的管控要求。影响晶体缺陷的主要因素之一是拉晶工艺参数,用优化的工艺参数去拉晶能制得品质更好的晶棒。拉晶工艺过程通常包括化料、二次加料、稳温、浸渍、缩径、放肩、转肩、等径、收尾等工艺。对于二次加料工序,向坩埚中加入的多晶硅物料因其反膨胀特性,即固体的体积要比液体的体积大,在熔化后体积会变小,因此需要通过再次加料的方式来将坩埚中装满硅溶液。[0003]然而,由于不同单晶炉的投料量不同,而且由于因对晶棒品质要求不一样如对氧含量要求不一样而导致的每个单晶炉的热场结构不一样,需要使用不同长度的加料管来进行加料。目前,针对上述问题,每台炉子均会定制加料管,这些加料管无法通用,造成了成本浪费。[0004]此外,加料管的下部会受到坩埚中的熔融硅溶液的热辐射,由此在加料管