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(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115261981A(43)申请公布日2022.11.01(21)申请号202211040439.8(22)申请日2022.08.29(71)申请人瀚天天成电子科技(厦门)有限公司地址361001福建省厦门市火炬高新区(翔安)产业区翔星路96号建业楼B座一层(72)发明人黄海林钱卫宁刘杰梁瑞冯淦赵建辉(74)专利代理机构厦门市精诚新创知识产权代理有限公司35218专利代理师李俊楠(51)Int.Cl.C30B25/12(2006.01)C30B25/14(2006.01)C30B25/02(2006.01)C23C16/458(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图8页(54)发明名称一种碳化硅外延炉用的碳化硅衬底转移装置及转移方法(57)摘要本发明公开一种碳化硅外延炉用的碳化硅衬底转移装置及转移方法,包括托举支架、衬底承载盘和盖体,托举支架上设置有两个左右相对设置的支撑臂,衬底承载盘可抽离地活动嵌置于两支撑臂之间,盖体连接于托举支架上并与衬底承载盘上下对应设置,盖体上设置有朝衬底承载盘方向吹气的吹气结构。本发明中通过盖体上的吹气结构对衬底承载盘中的待处理碳化硅衬底表面进行吹气,进而在碳化硅衬底表面形成一层保护气层,通过该保护气层可以有效保护待处理的碳化硅衬底免受腔体内部飘落的细小颗粒物的影响,使得腔体内部漂浮的细小颗粒物将难以飘落至碳化硅衬底表面上,进而保证碳化硅衬底在碳化硅外延炉内能够正常进行外延生长。CN115261981ACN115261981A权利要求书1/1页1.一种碳化硅外延炉用的碳化硅衬底转移装置,其特征在于:包括托举支架(1)、衬底承载盘(2)和盖体(3),托举支架(1)上设置有两个左右相对设置的支撑臂(11),衬底承载盘(2)可抽离地活动嵌置于两支撑臂(11)之间,盖体(3)连接于托举支架(1)上并与衬底承载盘(2)上下对应设置,盖体(3)上设置有朝衬底承载盘(2)方向吹气的吹气结构。2.根据权利要求1所述的碳化硅外延炉用的碳化硅衬底转移装置,其特征在于:衬底承载盘(2)底部设置有凸台(21),凸台(21)的底面与支撑臂(11)底部齐平或略低于支撑臂(11)底部。3.根据权利要求1所述的碳化硅外延炉用的碳化硅衬底转移装置,其特征在于:衬底承载盘(2)上形成有供碳化硅衬底置入的凹部(22)。4.根据权利要求1所述的碳化硅外延炉用的碳化硅衬底转移装置,其特征在于:支撑臂(11)上开设有供衬底承载盘(2)置入的定位嵌槽(111)。5.根据权利要求1所述的碳化硅外延炉用的碳化硅衬底转移装置,其特征在于:盖体(3)中形成有空腔,盖体(3)底面上开设有若干分散设置并与盖体(3)内的空腔相连通的吹气孔(31),且盖体(3)上设置有一与空腔相连通的进气通道(32),盖体(3)上的空腔、吹气孔(31)及进气通道(32)配合形成吹气结构。6.根据权利要求1至5任一项所述的碳化硅外延炉用的碳化硅衬底转移装置,其特征在于:盖体(3)与托举支架(1)为分体式结构,盖体(3)活动搭置在托举支架(1)上,并与衬底承载盘(2)上下相对应。7.根据权利要求1至5任一项所述的碳化硅外延炉用的碳化硅衬底转移装置,其特征在于:盖体(3)一体成型于托举支架(1)上。8.一种利用权利要求1至7任一项所述的碳化硅衬底转移装置转移碳化硅衬底的转移方法,包括以下步骤:S1,将碳化硅衬底置入到衬底承载盘(2)中,利用盖体(3)上的吹气结构向衬底承载盘(2)中的碳化硅衬底表面进行吹气,使在碳化硅衬底表面形成一层保护气层;S2,通过托举支架(1)将衬底承载盘(2)及置于衬底承载盘(2)中的碳化硅衬底一并转移至已预升温至外延生长温度的碳化硅外延炉腔体内,保持吹气;S3,待碳化硅衬底的温度缓升至与碳化硅外延炉腔体内部温度一致后,停止吹气,而后撤离托举支架(1)及其上的盖体(3),碳化硅衬底在碳化硅外延炉腔体内进行外延生长;S4,待碳化硅衬底外延生长完成后,将托举支架(1)及盖体(3)移至碳化硅外延炉腔体内并与衬底承载盘(2)重新配合在一起,待盖体(3)的温度与碳化硅外延炉的腔体内部温度一致后,利用托举支架(1)将衬底承载盘(2)连同其中的碳化硅衬底一并从碳化硅外延炉内取出进行自然冷却,待碳化硅衬底的温度降低至150℃~300℃时,抽出衬底承载盘(2),将其中的碳化硅衬底取出。9.根据权利要求8所述的转移方法,其特征在于:S1步骤中,从盖体(3)上的吹气结构吹出的气体为氢气或氩气,气体流量为10slm~150slm。10.根据权利要求8所述的转移方法,其特征在于:S3步骤中,待碳化硅衬底的温度缓升至与碳化硅外延炉腔体内部温度一致后,盖体(3)的吹气结构的吹气流量以1slm/s~30slm/s的速度逐