一种碳化硅外延炉用的碳化硅衬底转移装置及转移方法.pdf
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一种碳化硅外延炉用的碳化硅衬底转移装置及转移方法.pdf
本发明公开一种碳化硅外延炉用的碳化硅衬底转移装置及转移方法,包括托举支架、衬底承载盘和盖体,托举支架上设置有两个左右相对设置的支撑臂,衬底承载盘可抽离地活动嵌置于两支撑臂之间,盖体连接于托举支架上并与衬底承载盘上下对应设置,盖体上设置有朝衬底承载盘方向吹气的吹气结构。本发明中通过盖体上的吹气结构对衬底承载盘中的待处理碳化硅衬底表面进行吹气,进而在碳化硅衬底表面形成一层保护气层,通过该保护气层可以有效保护待处理的碳化硅衬底免受腔体内部飘落的细小颗粒物的影响,使得腔体内部漂浮的细小颗粒物将难以飘落至碳化硅衬底
碳化硅衬底、外延晶片和碳化硅衬底的制造方法.pdf
本发明提供一种碳化硅衬底、外延晶片和碳化硅衬底的制造方法。该SiC衬底(10)包括如下步骤:制备具有主表面并且由SiC制成的基体衬底;使用第一碱性溶液清洗主表面;以及在利用第一碱性溶液进行清洗的步骤之后,使用第二碱性溶液清洗主表面。SiC衬底具有主表面(11),并且主表面(11)上的残留物的平均数等于或大于0.2并且小于200。
一种在零偏角衬底上外延碳化硅的方法.pdf
本发明公开了一种在零偏角衬底上外延碳化硅的方法,包括:步骤1:取一零偏角衬底并清洗;步骤2:在零偏角衬底之上外延硅层;步骤3:升高温度使硅层熔化形成熔融硅层;步骤4:通入碳源,使熔融硅层转变成碳化硅层;步骤5:判断碳化硅层是否达到所需厚度,如果未达到,则重复执行步骤2~步骤4;如果达到,则执行步骤6;步骤6:将未转变成碳化硅层的硅层腐蚀掉,留下完整的碳化硅。本发明利用液硅浸润碳化硅外延表面,并将体系温度升高,提高碳源在液硅中的溶解度,随之采用液相外延生长方法在零偏角碳化硅衬底上进行同质外延生长,可以防止外
碳化硅衬底和碳化硅衬底的制造方法.pdf
碳化硅衬底具有第一主面和与第一主面相对的第二主面。碳化硅衬底包含螺旋位错和凹坑,所述凹坑在与第一主面平行的方向上的最大直径为1μm以上且10μm以下。在对第一主面观测螺旋位错和凹坑的情况下,凹坑的数量除以螺旋位错的数量而得到的比率为1%以下。在第一主面中,镁的浓度小于1×10<base:Sup>11</base:Sup>原子/cm<base:Sup>2</base:Sup>。
一种碳化硅晶筒转移装置.pdf
本发明公开了一种碳化硅晶筒转移装置,其包括相对设置的第一抓具和第二抓具,以及两个吊具,第一抓具和第二抓具分别用于抓取碳化硅晶筒的两端;第一抓具和第二抓具均包括安装座、两个相对设置的抓臂以及开合驱动机构,其中,两个相对设置的抓臂分别铰接在安装座的两端;开合驱动机构用于驱动两个抓臂相互靠近或远离。通过设置第一抓具和第二抓具以及两个吊具,能够增大对碳化硅晶筒的抓取重量,抓取重量可达到30~50t;并且,通过两个吊具可以调整第一抓具和第二抓具的间距以及高度,从而能够调整碳化硅晶筒在吊出时的倾斜角度,以将碳化硅晶筒