碳化硅衬底和碳化硅衬底的制造方法.pdf
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相关资料
碳化硅衬底和碳化硅衬底的制造方法.pdf
碳化硅衬底具有第一主面和与第一主面相对的第二主面。碳化硅衬底包含螺旋位错和凹坑,所述凹坑在与第一主面平行的方向上的最大直径为1μm以上且10μm以下。在对第一主面观测螺旋位错和凹坑的情况下,凹坑的数量除以螺旋位错的数量而得到的比率为1%以下。在第一主面中,镁的浓度小于1×10<base:Sup>11</base:Sup>原子/cm<base:Sup>2</base:Sup>。
碳化硅衬底、外延晶片和碳化硅衬底的制造方法.pdf
本发明提供一种碳化硅衬底、外延晶片和碳化硅衬底的制造方法。该SiC衬底(10)包括如下步骤:制备具有主表面并且由SiC制成的基体衬底;使用第一碱性溶液清洗主表面;以及在利用第一碱性溶液进行清洗的步骤之后,使用第二碱性溶液清洗主表面。SiC衬底具有主表面(11),并且主表面(11)上的残留物的平均数等于或大于0.2并且小于200。
碳化硅晶片的制造方法、半导体衬底的制造方法和碳化硅半导体装置的制造方法.pdf
本发明涉及碳化硅晶片的制造方法、半导体衬底的制造方法和碳化硅半导体装置的制造方法。提供了SiC晶片的制造方法,其可以增加可以由所制造的SiC单晶锭制备的SiC晶片的收率和半导体芯片的成品收率。在由SiC单晶锭80形成圆柱部时,圆柱部的直径逐渐改变。具体地,将被配置成具有截头圆锥形状的SiC单晶锭80制成其直径从SiC单晶锭80的上表面朝向下表面增加的圆柱部,而不是都具有相同直径的圆柱部。
碳化硅衬底薄膜的制备方法.pdf
本发明属于半导体材料技术领域,尤其涉及碳化硅衬底薄膜的制备方法,通过对目标基底层以及载体层进行打磨,而后对目标基底层进行离子注入,使目标基底层出现断裂层,然后将载体层同目标基底层高温键合,再进行退火,令目标基底层在断裂层处分离,以达到获取目标薄膜层的目的。本发明利用载体片(石墨或蓝宝石)做基层,仅要较薄的薄膜层因此同样体积的碳化硅晶锭利用率可提升约5‑10倍,从而预计整体成本降低约50%;载体片的减薄的工艺会比碳化硅的减薄更加容易;由于碳化硅的薄膜层比较薄,电阻会变小,从而提升了器件的性能。
一种碳化硅衬底的处理方法.pdf
本发明提供一种碳化硅衬底的处理方法,包括步骤:通过等离子体对所述碳化硅衬底进行钝化;在碳化硅衬底表面形成氧化层;通过原子层沉积设备在氧化层表面沉积高K介质层;采用退火炉对含有高K介质层和氧化层的碳化硅衬底按照设定真空度进行真空退火;本发明通过氧等离子体改善碳化硅衬底表面残余的碳,利用氮等离子体和磷等离子体对碳化硅衬底表面进行钝化,降低碳化硅衬底杂质扩散,通过高K介质层降低漏电,通过氧化层消除高K介质层与碳化硅间的导带漂移,通过真空退火改善碳化硅衬底表面形貌,避免退火过程中引入新的杂质,提高氧化层质量,降低