碳化硅衬底、外延晶片和碳化硅衬底的制造方法.pdf

本发明提供一种碳化硅衬底、外延晶片和碳化硅衬底的制造方法。该SiC衬底(10)包括如下步骤：制备具有主表面并且由SiC制成的基体衬底；使用第一碱性溶液清洗主表面；以及在利用第一碱性溶液进行清洗的步骤之后，使用第二碱性溶液清洗主表面。SiC衬底具有主表面(11)，并且主表面(11)上的残留物的平均数等于或大于0.2并且小于200。

2023-11-26

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碳化硅衬底和碳化硅衬底的制造方法.pdf

碳化硅衬底具有第一主面和与第一主面相对的第二主面。碳化硅衬底包含螺旋位错和凹坑,所述凹坑在与第一主面平行的方向上的最大直径为1μm以上且10μm以下。在对第一主面观测螺旋位错和凹坑的情况下,凹坑的数量除以螺旋位错的数量而得到的比率为1%以下。在第一主面中,镁的浓度小于1×10<base:Sup>11</base:Sup>原子/cm<base:Sup>2</base:Sup>。

2023-06-06

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碳化硅晶片的制造方法、半导体衬底的制造方法和碳化硅半导体装置的制造方法.pdf

本发明涉及碳化硅晶片的制造方法、半导体衬底的制造方法和碳化硅半导体装置的制造方法。提供了SiC晶片的制造方法，其可以增加可以由所制造的SiC单晶锭制备的SiC晶片的收率和半导体芯片的成品收率。在由SiC单晶锭80形成圆柱部时，圆柱部的直径逐渐改变。具体地，将被配置成具有截头圆锥形状的SiC单晶锭80制成其直径从SiC单晶锭80的上表面朝向下表面增加的圆柱部，而不是都具有相同直径的圆柱部。

2023-06-11

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碳化硅外延晶片的制造方法、碳化硅半导体装置的制造方法及碳化硅外延晶片的制造装置.pdf

得到能够对晶体缺陷少的碳化硅外延晶片进行制造的碳化硅外延晶片的制造方法、碳化硅半导体装置的制造方法及碳化硅外延晶片的制造装置。使在生长炉(1)的内壁附着的碳化硅进行氮化、氧化或者氮氧化而得到稳定化。接下来，将衬底(2)搬入至生长炉(1)内。接下来，将工艺气体导入至生长炉(1)内，在衬底(2)之上使碳化硅外延层进行生长而制造碳化硅外延晶片。

2023-06-18

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外延碳化硅晶片的制造方法.pdf

本发明提供在SiC基板上使SiC外延生长来制造外延SiC晶片时得到具有与以往相比进一步降低了层叠缺陷以及彗星型缺陷的高品质外延膜的外延SiC晶片的制造方法。上述外延碳化硅晶片的制造方法的特征在于，在外延生长的开始前流入到生长炉中的生长前气氛气体含有氢气，余量为不活泼气体和不可避免的杂质，其中，上述氢气的含量相对于不活泼气体为0.1～10.0体积％。

2023-06-18

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