一种提升硅片少子寿命精度的钝化方法以及钝化设备.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115763626A(43)申请公布日2023.03.07(21)申请号202211480612.6(22)申请日2022.11.24(71)申请人浙江金瑞泓科技股份有限公司地址315800浙江省宁波市保税区0125-3地块(72)发明人牛鹏举梁兴勃范宋杰郑铁波程建国(74)专利代理机构上海泰博知识产权代理有限公司31451专利代理师钱文斌(51)Int.Cl.H01L31/18(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图6页(54)发明名称一种提升硅片少子寿命精度的钝化方法以及钝化设备(57)摘要本发明涉及一种提升硅片少子寿命精度的钝化方法以及钝化设备，包括以下具体步骤：步骤一：将待测硅片放入HF和HNO3的混合溶液中，去除表面的杂质和氧化层；步骤二：每次做硅片热氧化前，需打开炉门，打开N2进气开关吹扫炉腔，确保炉腔无细微颗粒存在；步骤三：关闭炉门，关闭N2进气开关，打开加温开关，以100℃/h的加温速率从室温加热到600‑700℃，炉腔温度达到设定温度后，稳定10‑15min；步骤四：将镜面抛光后的硅片装入片架，打开炉门推入炉腔，关闭炉门；步骤五：高温处理达到规定时间后，打开炉门取出样片采用冷却装置快速冷却到室温，对样片进行少子寿命测试。本发明具有操作简便、成本低、效率高等特点。CN115763626ACN115763626A权利要求书1/1页1.一种提升硅片少子寿命精度的钝化方法,其特征在于：包括以下具体步骤：步骤一：将待测硅片放入HF和HNO3的混合溶液中，去除表面的杂质和氧化层；步骤二：每次做硅片热氧化前，需打开炉门，打开N2进气开关吹扫炉腔，确保炉腔无细微颗粒存在；步骤三：关闭炉门，关闭N2进气开关，打开加温开关，以100℃/h的加温速率从室温加热到600‑700℃，炉腔温度达到设定温度后，稳定10‑15min；步骤四：将镜面抛光后的硅片装入片架，打开炉门推入炉腔，关闭炉门；步骤五：高温处理达到规定时间后，打开炉门取出样片采用冷却装置快速冷却到室温，对样片进行少子寿命测试。2.根据权利要求1所述的一种提升硅片少子寿命精度的钝化方法,其特征在于：步骤一中，HF和HNO3的混合比例为1:3，处理的时间为5min。3.根据权利要求1所述的一种提升硅片少子寿命精度的钝化方法,其特征在于：步骤二中，N2进气开关吹扫炉腔的时间为5min。4.根据权利要求1所述的一种提升硅片少子寿命精度的钝化方法,其特征在于：步骤五中，高温处理的时间为40‑60min。5.一种如权利要求1所述的一种用在提升硅片少子寿命精度的钝化方法的钝化设备，其特征在于：包括加热炉(1)和冷却装置(2)，所述的加热炉(1)包括加热炉本体(3)、内腔石英件(4)和加热炉密封盖(5)，所述的加热炉本体(3)的前端下部安装有加热炉密封盖(5)，所述的加热炉本体(3)的内腔内安装有内腔石英件(4)，所述的加热炉本体(3)的前端两侧设置有与外部氮气气源连通的氮气输入管(9)，所述的氮气输入管(9)从内腔石英件(4)两侧伸入到内腔，所述的内腔石英件(4)的底部内安装有呈叠放的硅片装夹件(6)，所述的冷却装置(2)包括底座(11)、主管通道(13)和分支通道(14)，所述的底座(11)后侧对称安装有两根竖直支柱(12)，所述的竖直支柱(12)上端之间安装有主管通道(13)，主管通道(13)前侧安装有水平朝前伸出的分支通道(14)，所述的主管通道(13)的内部腔体与分支通道(14)的内腔连通，所述的分支通道(14)的下侧设置有若干输出口。6.根据权利要求5所述的一种用在提升硅片少子寿命精度的钝化方法的钝化设备，其特征在于：所述的加热炉本体(3)的前侧下部对称安装有两个支架座(7)，所述的支架座(7)上转动安装有支撑轴(8)，所述的支撑轴(8)的伸出端与加热炉密封盖(5)的两侧中部相连。7.根据权利要求5所述的一种用在提升硅片少子寿命精度的钝化方法的钝化设备，其特征在于：所述的加热炉密封盖(5)的后侧边缘通过转轴与加热炉本体(3)对接，加热炉密封盖(5)前侧中部安装有推动把手(10)。8.根据权利要求5所述的一种用在提升硅片少子寿命精度的钝化方法的钝化设备，其特征在于：所述的主管通道(13)上安装有两个氮气对接头(15)，所述的氮气对接头(15)通过管道与外部氮气气源连通。9.根据权利要求5所述的一种用在提升硅片少子寿命精度的钝化方法的钝化设备，其特征在于：所述的硅片装夹件(6)上端面中部设置有安装槽(17)，所述的硅片装夹件(6)的下端面两端安装有支脚(16)。2CN115763626A说明书1/4页一种提升硅片少子寿命精度的钝化方法以及钝化设备技术领域[0001]本发明涉及硅片少子寿命检测技术领域，特别是涉及