TOPCon电池表面钝化设备及钝化方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110190156A(43)申请公布日2019.08.30(21)申请号201910607832.2(22)申请日2019.07.08(71)申请人无锡松煜科技有限公司地址214028江苏省无锡市新吴区硕放街道工业园区五期振发二路16号(72)发明人吴晓松陈庆敏李建新李丙科(74)专利代理机构江苏漫修律师事务所32291代理人周晓东熊启奎(51)Int.Cl.H01L31/18(2006.01)权利要求书2页说明书5页附图2页(54)发明名称TOPCon电池表面钝化设备及钝化方法(57)摘要本发明公开了一种TOPCon电池表面钝化设备及钝化方法，所述TOPCon电池表面钝化设备至少包括多功能PECVD，多功能PECVD对硅片的背面镀氧化硅膜、非晶硅层以及对非晶硅层的原位掺杂，对应的反应温度是400～600℃，所述多功能PECVD自带升降温功能或者位于多功能PECVD工序之后的退火炉将镀膜后的硅片加热至600℃以上，使非晶硅层转化为多晶硅层，然后降温至400～600℃。本发明利用多功能PECVD自带升降温功能或者多功能PECVD+退火炉升降温的工艺代替现有的LPCVD+清洗刻蚀的工艺，实现对硅片背面的单独沉积，多功能PECVD在沉积时不会对硅片的正面发生作用，解决了现有技术中对硅片正面的“先镀后洗再镀”的弊端，省去清洗刻蚀工序，降低由此引起对硅片正面镀膜的不利影响。CN110190156ACN110190156A权利要求书1/2页1.一种TOPCon电池表面钝化设备，其特征在于：至少包括多功能PECVD，多功能PECVD对硅片（1）的背面镀氧化硅膜（2）、非晶硅层以及对非晶硅层的原位掺杂，对应的反应温度是400~600℃，所述多功能PECVD自带升降温功能或者位于多功能PECVD工序之后的退火炉将镀膜后的硅片（1）加热至600℃以上，使非晶硅层转化为多晶硅层（3），然后降温至400~600℃。2.根据权利要求1所述的TOPCon电池表面钝化设备，其特征在于：所述多功能PECVD自带升降温功能或者位于多功能PECVD工序之后的退火炉将镀膜后的硅片（1）加热至600~1000℃。3.根据权利要求1所述的TOPCon电池表面钝化设备，其特征在于：还包括对硅片（1）的正面镀氧化铝膜（4）和氮化硅膜（5）的设备或设备组合。4.根据权利要求3所述的TOPCon电池表面钝化设备，其特征在于：所述镀氧化铝膜（4）和氮化硅膜（5）的设备是ALD+PECVD、板式二合一PECVD或者管式二合一PECVD。5.根据权利要求3或4所述的TOPCon电池表面钝化设备，其特征在于：对于多功能PECVD+退火炉组合使用的情形，镀氧化铝膜（4）和氮化硅膜（5）的设备设置在退火炉工序之后或者多功能PECVD工序之后、退火炉工序之前。6.一种使用权利要求1所述TOPCon电池表面钝化设备的TOPCon电池表面钝化方法，其特征在于：至少包括以下步骤：步骤101，对硅片（1）依次进行清洗制绒、硼扩散、刻蚀工艺处理；步骤102，利用多功能PECVD对硅片（1）的背面镀氧化硅膜（2）、非晶硅层以及对非晶硅层的原位掺杂，对应的反应温度是400~600℃；步骤103，利用所述多功能PECVD自带升降温功能或者位于多功能PECVD工序之后的退火炉将镀膜后的硅片（1）加热至600℃以上，使非晶硅层转化为多晶硅层（3），然后降温至400~600℃；步骤104，对硅片（1）的正面镀氧化铝膜（4）和氮化硅膜（5）。7.根据权利要求6所述的TOPCon电池表面钝化方法，其特征在于：对于双面TOPCon电池技术还需要在步骤103之前或之后对硅片的背面镀氮化硅膜。8.一种使用权利要求1所述TOPCon电池表面钝化设备的TOPCon电池表面钝化方法，其特征在于：至少包括以下步骤：步骤201，对硅片（1）依次进行清洗制绒、硼扩散、刻蚀工艺处理；步骤202，利用多功能PECVD对硅片（1）的背面镀氧化硅膜（2）、非晶硅层以及对非晶硅层的原位掺杂，对应的反应温度是400~600℃；步骤203，对硅片（1）的正面镀氧化铝膜（4）和氮化硅膜（5）；步骤204，利用所述多功能PECVD自带升降温功能或者位于多功能PECVD工序之后的退火炉将镀膜后的硅片（1）加热至600℃以上，使非晶硅层转化为多晶硅层（3），然后降温至400~600℃。9.根据权利要求6或8所述的TOPCon电池表面钝化方法，其特征在于：所述镀氧化铝膜（4）和氮化硅膜（5）的设备是ALD+PECVD、板式二合一PECVD或者管式二合一PECVD。10.根据权利要求9所述的TOPCon电池表面钝化方法，其特征在于：使用板式二合一PECVD或管式二合一PECVD时，