绝缘基板及其制造方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115812342A(43)申请公布日2023.03.17(21)申请号202180049035.2(74)专利代理机构北京林达刘知识产权代理事(22)申请日2021.06.29务所(普通合伙)11277专利代理师刘新宇岳红杰(30)优先权数据2020-1214932020.07.15JP(51)Int.Cl.H05K1/02(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日2023.01.09(86)PCT国际申请的申请数据PCT/JP2021/0245842021.06.29(87)PCT国际申请的公布数据WO2022/014319JA2022.01.20(71)申请人同和金属技术有限公司地址日本东京都(72)发明人结城整哉出野尭木下润一北村征宽权利要求书1页说明书9页附图3页(54)发明名称绝缘基板及其制造方法(57)摘要一种绝缘基板(1)，其是通过在陶瓷基板(10)的一个主表面经由焊料层钎焊散热侧金属板(12)的一个主表面而成的，其特征在于，在该绝缘基板(1)设有覆盖自陶瓷基板(10)与散热侧金属板(12)之间暴露的焊料层(14)的Ni镀层(20)，散热侧金属板(12)的另一主表面的至少局部未被Ni镀层覆盖，而是散热侧金属板(12)的表面暴露的状态。根据本发明，能够得到绝缘基板(1)(单体)的通炉耐性优异，而且在绝缘基板(1)软钎焊有散热板的状态下的热循环特性也优异的绝缘基板(1)。CN115812342ACN115812342A权利要求书1/1页1.一种绝缘基板，其是通过在陶瓷基板的一个主表面经由焊料层钎焊散热侧金属板的一个主表面而成的，其特征在于，在该绝缘基板设有覆盖自所述陶瓷基板与所述散热侧金属板之间暴露的焊料层的Ni镀层，所述散热侧金属板的另一主表面的至少局部未被Ni镀层覆盖，而是所述散热侧金属板的表面暴露的状态。2.根据权利要求1所述的绝缘基板，其特征在于，所述散热侧金属板的侧面的局部或全部由所述Ni镀层覆盖。3.根据权利要求1或2所述的绝缘基板，其特征在于，所述散热侧金属板的另一主表面的周围由所述Ni镀层覆盖。4.根据权利要求1～3中任一项所述的绝缘基板，其特征在于，在所述陶瓷基板的另一主表面经由焊料层钎焊有电路侧金属板的一个主表面。5.根据权利要求4所述的绝缘基板，其特征在于，所述电路侧金属板为铜板或铜合金板。6.根据权利要求1～5中任一项所述的绝缘基板，其特征在于，所述散热侧金属板为铜板或铜合金板。7.一种绝缘基板的制造方法，在绝缘基板中，在陶瓷基板的一个主表面经由焊料层接合有散热侧金属板的一个主表面，在陶瓷基板的另一主表面经由焊料层接合有电路侧金属板的一个主表面，该制造方法的特征在于，在所述散热侧金属板的另一主表面形成抗镀层，将形成有所述抗镀层的绝缘基板浸渍于Ni镀液中，在自未形成有所述抗镀层的所述陶瓷基板与所述散热侧金属板之间暴露的焊料层形成Ni镀层，接着将所述抗镀层剥离。8.根据权利要求7所述的绝缘基板的制造方法，其特征在于，所述散热侧金属板的侧面的局部或全部由所述Ni镀层覆盖。9.根据权利要求7或8所述的绝缘基板的制造方法，其特征在于，所述散热侧金属板的另一主表面的周围由所述Ni镀层覆盖。10.根据权利要求7～9中任一项所述的绝缘基板的制造方法，其特征在于，在所述电路侧金属板的另一主表面形成抗镀层，在自所述陶瓷基板与所述电路侧金属板之间暴露的焊料层形成Ni镀层。11.根据权利要求7～10中任一项所述的绝缘基板的制造方法，其特征在于，所述电路侧金属板的侧面的局部或全部由所述Ni镀层覆盖。12.根据权利要求7～11中任一项所述的绝缘基板的制造方法，其特征在于，所述散热侧金属板和所述电路侧金属板为铜板或铜合金板。13.根据权利要求7～12中任一项所述的绝缘基板的制造方法，其特征在于，所述焊料层具有从Cu、Ag、Sn中选择出的任一金属成分和从Ti、Hf、Zr中选择出的任一活性金属成分。2CN115812342A说明书1/9页绝缘基板及其制造方法技术领域[0001]本发明涉及半导体功率模块等所利用的绝缘基板及其制造方法。背景技术[0002]例如专利文献1所示，半导体功率模块等所利用的绝缘基板是通过将铜板利用焊料层钎焊于由AlN、Al2O3、Si3N4等形成的陶瓷基板的两个面而成的结构。然后，电路侧的铜板被设为规定的铜电路，并软钎焊半导体芯片等电子部件，在散热侧的铜板软钎焊导热性优异的Cu、Al等的散热板(基板)，从而制作半导体功率模块等。[0003]在该绝缘基板中，例如专利文献2所示，作为绝缘基板，使用了金属‑陶瓷绝缘基板，该金属‑陶瓷绝缘基板是通过使用含有Ag、Cu以及活性金属的焊料将金属板与陶瓷基板接合而成的。另外，如专利文献3所示，