内容提供者
阵列基板及其制造方法.pdf
2023-05-21
10金币
446KB
10页
书生****22
实名认证
内容提供者
1/10
2/10
3/10
4/10
5/10
6/10
7/10
8/10
9/10
10/10
在线预览结束，喜欢就下载吧，查找使用更方便
相关资料
阵列基板及其制造方法.pdf
阵列基板及其制造方法。一种阵列基板包括：氧化物半导体层；蚀刻阻止件，其包括将氧化物半导体层的两个侧面中的每一个侧面露出的第一接触孔；彼此隔开的源极和漏极，氧化物半导体层位于源极与漏极之间；包括接触孔的第一钝化层，接触孔将氧化物半导体层的两个端部中的每一个端部以及源极和漏极的分别与氧化物半导体层的两个端部相对的每一个端部露出；以及连接图案，其在所述第二接触孔处与源极和漏极中的每一个以及氧化物半导体层相接触。
2023-12-07
10
9MB
阵列基板及其制造方法.pdf
一种阵列基板包括：基板；位于基板上的氧化物半导体层，氧化物半导体层包括有源区域以及位于有源区域两侧的源极区域和漏极区域；按顺序地位于氧化物半导体层的有源区域上的栅极绝缘层和栅极；中间绝缘层，位于栅极上并且具有分别暴露源极区域和漏极区域的第一半导体接触孔和第二半导体接触孔；和源极和漏极，位于中间绝缘层上并且分别通过第一半导体接触孔和第二半导体接触孔与源极区域和漏极区域接触，其中第一半导体接触孔和第二半导体接触孔设置在两个区域中。
2023-12-07
10
2.1MB
阵列基板及其制造方法.pdf
本发明公开了一种阵列基板及其制造方法。该阵列基板包括：薄膜晶体管；平坦层，覆盖薄膜晶体管；开孔，开设于平坦层对应薄膜晶体管的漏极处，开孔底部保留部分平坦层形成平坦层薄膜；还包括第二金属层，位于第一绝缘层上，第二金属层通过部分贯穿的所述平坦层薄膜与所述漏极电连接。本发明解决了阵列基板绝缘层静电通过开孔侵入薄膜晶体管，导致薄膜晶体管损坏的问题，提高了产品合格率。
2023-11-17
10
1.3MB
阵列基板及其制造方法.pdf
一种阵列基板和制造阵列基板的方法，所述方法包括以下步骤：在基板上按顺序地形成第一金属层、栅极绝缘材料层和氧化物半导体材料层；在约300摄氏度至约500摄氏度的温度下热处理具有氧化物半导体材料层的基板；图案化氧化物半导体材料层、栅极绝缘材料层和第一金属层，从而形成栅极、栅极绝缘层和氧化物半导体层；形成连接至栅极的栅线，并且所述栅线由低电阻金属材料制成；形成源极与漏极、数据线和像素电极，源极与漏极和数据线具有透明导电材料层和低电阻金属材料层的双层结构，像素电极由透明导电材料层制成。
2024-01-03
10
5.5MB
阵列基板及其制造方法.pdf
本发明提供了一种阵列基板及其制造方法。阵列基板包括基底以及依次设置在基底上的平坦化层和像素定义层，所述平坦化层上设置有凸台，所述像素定义层设置有开口，所述凸台位于所述开口限定的区域内。制备方法包括：形成具有凸台的平坦化层；形成像素定义层，所述像素定义层具有开口，所述凸台位于所述开口限定的区域内。本发明通过在平坦化层上设置凸台，阳极设置在凸台上，有效减小了像素定义层与阳极之间的段差，避免了制备隔离柱构图工艺中造成像素限定区域的有机膜残留，提高了阵列基板的发光特性和良品率。
2023-11-19
10
904KB