一种气垫炉淬火的高硅铝合金板材的制造方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115874032A(43)申请公布日2023.03.31(21)申请号202211635791.6C22F1/043(2006.01)(22)申请日2022.12.19B21B3/00(2006.01)(71)申请人东北轻合金有限责任公司地址150060黑龙江省哈尔滨市平房区新疆三道街11号(72)发明人赵国奇徐洋张强韩冰徐宏大左德运刘玉龙万旭张雪濛(74)专利代理机构哈尔滨市松花江专利商标事务所23109专利代理师陈雪梅(51)Int.Cl.C21D8/02(2006.01)C22C21/02(2006.01)C22C1/03(2006.01)权利要求书2页说明书5页附图2页(54)发明名称一种气垫炉淬火的高硅铝合金板材的制造方法(57)摘要一种气垫炉淬火的高硅铝合金板材的制造方法，发明涉及高硅铝合金板材的制造方法领域。本发明要解决现有高硅铝合金板材存在外观质量差，力学性能低的技术问题。方法：一、半连续铸造得到铸锭；二、铣面，三、加热，四、热轧，五、冷轧，六、清洗切边，七、去应力退火，八、淬火，矫直，九、人工时效，十、剪切成品板，十一、送检力学性能。本发明的气垫炉淬火的高硅铝合金板材，外观质量和力学性能合格。本发明用于制造高硅铝合金板材。CN115874032ACN115874032A权利要求书1/2页1.一种气垫炉淬火的高硅铝合金板材的制造方法，其特征在于：它包括以下步骤：一、按重量百分比：Si为11.5％～13.5％、Cu为0.50％～1.3％、Mg为0.8～1.3％、Ni为0.50％～1.3％、杂质Fe＜1.0％、杂质Mn＜0.2％、杂质Cr＜0.1％、杂质Zn＜0.25％、杂质Ti＜0.15％、和余量的Al，分别称取原料，原料包括铝硅中间合金、铜锭、镁锭、铝镍中间合金和铝锭；将铝锭加入到电阻反射炉内，加热温度至750℃～795℃，再加入铝硅中间合金，每10min～25min搅拌一次，共搅拌2～5次，保持熔体温度为750℃～795℃；然后加入铜锭，搅拌5min～10min，加入镁锭，搅拌8min～10min，加入铝镍中间合金，搅拌10min～15min，然后采用Ar‑Cl2混合气体，精炼4min～10min，覆盖熔剂，得到合金熔体；控制温度为740℃～760℃，将合金熔体导入电阻反射炉的静置炉中，通入Ar‑Cl2混合气体，精炼8min～15min，然后静置8min～25min，然后进行半连续铸造，控制铸造速度为32mm/min～40mm/min，铸造温度为720℃～740℃，铸造冷却水压为0.03MPa～0.08MPa，得到铸锭；二、将步骤一得到的铸锭进行铣面；三、将步骤二铣面后的铸锭进行均匀加热处理，控制加热温度为535～545℃，保持3.5～4.5h，然后转温至475～485℃，保温4.5～5.5h，出炉；四、将步骤三均匀加热处理的铸锭进行热轧处理，获得卷材；五、将步骤四热轧处理的卷材进行冷轧；六、将步骤五得到的卷材进行清洗切边；七、将步骤六处理后的卷材进行去应力退火处理；八、将步骤七处理后的卷材采用气垫炉进行淬火处理，矫直处理；九、将步骤八处理后的卷材进行人工时效处理；十、将步骤九处理后的卷材进行剪切，获得成品板；十一、将步骤十获得的成品板送检力学性能，检验合格，完成制造。2.根据权利要求1所述的一种气垫炉淬火的高硅铝合金板材的制造方法，其特征在于步骤一保持电阻反射炉中的合金熔体液面和流盘内的合金熔体液面在同一水平。3.根据权利要求1所述的一种气垫炉淬火的高硅铝合金板材的制造方法，其特征在于步骤二采用铣床进行铣面，控制每面的铣面的厚度为18～20mm，铣后表面平滑，铣面后铸锭规格为384mm×16000mm×5000mm。4.根据权利要求1所述的一种气垫炉淬火的高硅铝合金板材的制造方法，其特征在于步骤四采用热轧机进行热轧，轧制道次表为384mm‑372mm‑360mm‑333mm‑307mm‑280mm‑252mm‑223mm‑192mm‑165mm‑138mm‑112mm‑88mm‑72mm‑59mm‑38mm‑24mm‑14mm‑7.5mm‑5mm，轧制5.0mm道次时，切边至宽度为1420mm。5.根据权利要求1所述的一种气垫炉淬火的高硅铝合金板材的制造方法，其特征在于步骤五采用冷轧机进行冷轧，轧制道次为5.0mm‑3.3mm‑2.2mm‑1.5mm，冷轧后卷材的规格为1.5mm×1420mm。6.根据权利要求1所述的一种气垫炉淬火的高硅铝合金板材的制造方法，其特征在于步骤六采用拉弯矫直机进行清洗切边，控制清洗速度为85m/min，清洗水温为75‑85℃，切边至卷材宽度为1212～1214mm。7.根据权利要求1所述的一种气垫炉淬火的高硅铝合