改善晶圆表面平整度的推阱方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN116013771A(43)申请公布日2023.04.25(21)申请号202310024623.1(22)申请日2023.01.09(71)申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司地址201203上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区祖冲之路1399号(72)发明人袁宿陵黄日虹王乐平曹俊(74)专利代理机构上海浦一知识产权代理有限公司31211专利代理师刘昌荣(51)Int.Cl.H01L21/223(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图2页(54)发明名称改善晶圆表面平整度的推阱方法(57)摘要本发明提供一种改善晶圆表面平整度的推阱方法，提供炉管、设于晶舟上的多个掺杂后的晶圆，晶舟与炉管口间具有缓冲路径，炉管中的温度为第一预设温度，晶舟处于的环境温度为第二预设温度；打开炉管口，使得炉管口至晶舟间的温度为梯度下降；移动晶舟至其进入炉管中，之后关闭炉管口，将晶圆在炉管中进行推阱处理；打开炉管口，使得炉管口至晶舟间的温度为梯度下降；移动晶舟至其离开炉管。本发明在炉管升降晶舟过程中，在炉管口形成一定的热辐射缓冲区域，从而降低晶圆在入出炉管过程中的产生的热应力，改善晶圆周边的平整度，提高光刻对准均匀性。CN116013771ACN116013771A权利要求书1/1页1.一种改善晶圆表面平整度的推阱方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供炉管、设于晶舟上的多个掺杂后的晶圆，所述晶舟与炉管口间具有缓冲路径，所述炉管中的温度为第一预设温度，所述晶舟处于的环境温度为第二预设温度；步骤二、打开所述炉管口，使得所述炉管口至所述晶舟间的温度为梯度下降；步骤三、移动所述晶舟至其进入所述炉管中，之后关闭所述炉管口，将所述晶圆在所述炉管中进行推阱处理；步骤四、打开所述炉管口，使得所述炉管口至所述晶舟间的温度为梯度下降；步骤五、移动所述晶舟至其离开所述炉管。2.根据权利要求1所述的改善晶圆表面平整度的推阱方法，其特征在于：步骤一中的所述第一预设温度为700至850摄氏度。3.根据权利要求1所述的改善晶圆表面平整度的推阱方法，其特征在于：步骤一中的所述第二预设温度为23至26摄氏度。4.根据权利要求1所述的改善晶圆表面平整度的推阱方法，其特征在于：步骤一中所述晶舟位于所述炉管口的下方位置。5.根据权利要求1所述的改善晶圆表面平整度的推阱方法，其特征在于：步骤二中使得所述炉管口至所述晶舟间的温度为梯度下降的方法包括：移动所述晶舟，使得所述晶舟的顶部从初始位置移动至距离所述炉管口的第一设置位置，所述第一设置位置为所述晶舟顶部靠近或位于所述炉管口的位置；停止所述晶舟，之后打开所述炉管口，使得所述炉管口至所述晶舟间的温度为梯度下降。6.根据权利要求1所述的改善晶圆表面平整度的推阱方法，其特征在于：步骤二中所述晶舟的停止时间为10至30分钟。7.根据权利要求5所述的改善晶圆表面平整度的推阱方法，其特征在于：步骤三中移动所述晶舟至其进入所述炉管中的第三位置，之后关闭所述炉管口，将所述晶圆在所述炉管中以800至1200摄氏度的温度进行推阱处理。8.根据权利要求7所述的改善晶圆表面平整度的推阱方法，其特征在于：步骤四中所述打开所述炉管口，使得所述炉管口至所述晶舟间的温度为梯度下降的方法包括：移动所述晶舟的底部至所述第二设置位置，所述第二设置位置为晶舟底部靠近或位于所述炉管口的位置；停止所述晶舟，之后打开所述炉管口，使得所述炉管口至所述初始位置的温度为梯度下降。9.根据权利要求8所述的改善晶圆表面平整度的推阱方法，其特征在于：步骤四中所述晶舟的停止时间为10至30分钟。10.根据权利要求7所述的改善晶圆表面平整度的推阱方法，其特征在于：步骤五中移动所述第二位置的所述晶舟至所述初始位置。2CN116013771A说明书1/4页改善晶圆表面平整度的推阱方法技术领域[0001]本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种改善晶圆表面平整度的推阱方法。背景技术[0002]在半导体制造工艺过程中，晶圆经过离子注入后，通常都需要高温工艺处理。高温工艺作用如下：[0003]1.晶圆在高温(1000度～1200度)下，通过一定时间的推阱过程，使注入的杂质在晶圆中扩散，形成预期的P/N结。[0004]2.在整个高温工艺过程中，杂质会与晶格中的硅原子进行键合，激活杂质原子，改变硅的电导率。[0005]3.高温工艺具有退火作用，可以修复离子注入所产生的损伤。[0006]高温工艺会带来一定热应力，影响晶圆本身的翘曲或者使晶圆局部产生形变。晶圆的形变会导致光刻对准变差。[0007]高温炉管待使用时通常保持在800度，处于室温的晶圆(23‑26度)进入炉管时,由于温度急剧变化，使晶圆周边产生一定的形变。同理在晶圆降舟出炉时是从800度