晶圆的平整度的调整方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113611601A(43)申请公布日2021.11.05(21)申请号202110818214.X(22)申请日2021.07.20(71)申请人芯盟科技有限公司地址314400浙江省嘉兴市海宁市经济开发区双联路129号天通9号楼5楼(72)发明人邢程孙鹏(74)专利代理机构北京派特恩知识产权代理有限公司11270代理人胡亮张颖玲(51)Int.Cl.H01L21/3105(2006.01)H01L21/321(2006.01)H01L21/306(2006.01)权利要求书1页说明书6页附图3页(54)发明名称晶圆的平整度的调整方法(57)摘要本申请实施例公开了一种晶圆的平整度的调整方法。所述方法包括：在待处理的晶圆表面形成第一介质层；对所述第一介质层进行第一研磨；所述第一研磨的研磨厚度小于或等于所述第一介质层的厚度；在进行所述第一研磨后的所述晶圆表面形成第二介质层；对所述第二介质层进行第二研磨；其中，所述第二研磨后保留预定厚度的所述第二介质层。CN113611601ACN113611601A权利要求书1/1页1.一种晶圆的平整度的调整方法，其特征在于，所述方法包括：在待处理的晶圆表面形成第一介质层；对所述第一介质层进行第一研磨；所述第一研磨的研磨厚度小于或等于所述第一介质层的厚度；在进行所述第一研磨后的所述晶圆表面形成第二介质层；对所述第二介质层进行第二研磨；其中，所述第二研磨后保留预定厚度的所述第二介质层。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对第一介质层进行第一研磨，包括：以所述晶圆表面作为研磨终点，对所述第一介质层进行所述第一研磨。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述晶圆表面的材料为：氮化硅；所述氮化硅用于阻挡所述第一研磨。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述第一介质层之前，所述方法还包括：在所述晶圆表面形成阻挡层；所述对第一介质层进行第一研磨，包括：以所述阻挡层作为研磨终点，对所述第一介质层进行所述第一研磨。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述阻挡层为多晶硅薄膜。6.根据权利要求1至5任一所述的方法，其特征在于，所述第一研磨，包括：使用第一研磨液对所述第一介质层进行所述第一研磨；其中，所述第一研磨液为二氧化铈。7.根据权利要求1至5任一所述的方法，其特征在于，所述第二研磨，包括：使用第二研磨液对所述第二介质层进行所述第二研磨；其中，所述第二研磨液为二氧化硅。8.根据权利要求1至5任一所述的方法，其特征在于，所述第一介质层与所述第二介质层为相同材料。9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第一介质层与所述第二介质层的材料为：二氧化硅。10.根据权利要求1至4任一所述的方法，其特征在于，所述第二研磨后保留的所述第二介质层用于在所述晶圆进行晶圆键合过程中作为键合介质层。2CN113611601A说明书1/6页晶圆的平整度的调整方法技术领域[0001]本申请实施例涉及半导体技术，涉及但不限于一种晶圆的平整度的调整方法。背景技术[0002]集成电路制造过程中，随着互连层数的增加和工艺特征的缩小，对晶圆表面的平整度的要求也越来越高，金属层和介质层都需要进行平坦化处理，以减少或者消除凸起和/或凹陷等不平整现象的影响。这些不平整现象的出现可能导致薄膜淀积生长过程中形成空洞，从而影响沉积生长薄膜的覆盖效果，所以需要减少或者消除凸起和/或凹陷的影响。因而，对金属层和介质层的平坦化的要求越来越高。发明内容[0003]有鉴于此，本申请实施例提供一种晶圆的平整度的调整方法。[0004]本申请实施例提供一种晶圆的平整度的调整方法，所述方法包括：[0005]在待处理的晶圆表面形成第一介质层；[0006]对所述第一介质层进行第一研磨；所述第一研磨的研磨厚度小于或等于所述第一介质层的厚度；[0007]在进行所述第一研磨后的所述晶圆表面形成第二介质层；[0008]对所述第二介质层进行第二研磨；其中，所述第二研磨后保留预定厚度的所述第二介质层。[0009]在一些实施例中，所述对第一介质层进行第一研磨，包括：[0010]以所述晶圆表面作为研磨终点，对所述第一介质层进行所述第一研磨。[0011]在一些实施例中，所述晶圆表面的材料为：氮化硅；所述氮化硅用于阻挡所述第一研磨。[0012]在一些实施例中，在形成所述第一介质层之前，所述方法还包括：[0013]在所述晶圆表面形成阻挡层；[0014]所述对第一介质层进行第一研磨，包括：[0015]以所述阻挡层作为研磨终点，对所述第一介质层进行所述第一研磨。[0016]在一些实施例中，所述阻挡层为多晶硅薄膜。[0017]在一些实施例中，所述第一研磨，包括：[0018]使用第一研磨液对所述第一