一种硼扩散炉管维护效果检测方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN116013801A(43)申请公布日2023.04.25(21)申请号202310074127.7(22)申请日2023.02.01(71)申请人英利能源发展（保定）有限公司地址072150河北省保定市满城区建业路003号高技术服务产业园研究中心2层申请人英利能源发展有限公司(72)发明人王通张红妹魏双双李青娟李倩尚琪(74)专利代理机构河北国维致远知识产权代理有限公司13137专利代理师赵宝琴(51)Int.Cl.H01L21/66(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图1页(54)发明名称一种硼扩散炉管维护效果检测方法(57)摘要本发明提供了一种硼扩散炉管维护效果检测方法，属于光伏电池技术领域，包括选择原硅片，对原硅片进行双面抛光；对原硅片进行双面硼扩散，并测试扩后硅片的方阻；筛选出符合生产要求的合格扩后硅片，并去除合格的扩后硅片表面的硼硅玻璃；在扩后硅片的双面加工形成氮化硅膜，用于钝化和保护硅片表面；烧结处理扩后硅片；对处理后的硅片进行Sinton测试，并记录少子寿命、反向饱和电流密度和开路电压。本发明提供的硼扩散炉管维护效果检测方法，通过测试方阻筛除不合格的扩后硅片以减少测试结果异常，通过Sinton测试得到少子寿命、反向饱和电流密度和开路电压数据，并准确地检查出硼扩散炉管的维护效果，避免出现影响电池成品质量和合格率的情况发生。CN116013801ACN116013801A权利要求书1/1页1.一种硼扩散炉管维护效果检测方法，其特征在于，包括：S1：选择原硅片，对所述原硅片进行双面抛光；S2：对所述原硅片进行双面硼扩散，并测试扩后硅片的方阻；S3：筛选出符合生产要求的合格扩后硅片，并去除合格的所述扩后硅片表面的硼硅玻璃；S4：在所述扩后硅片的双面加工形成氮化硅膜，用于钝化和保护硅片表面；S5：烧结处理所述扩后硅片；S6：对处理后的硅片进行Sinton测试，并记录少子寿命、反向饱和电流密度和开路电压。2.如权利要求1所述的硼扩散炉管维护效果检测方法，其特征在于，在S1中，对所述原硅片进行双面抛光之前，先使用碱液所述原硅片进行清洗，再对所述原硅片进行清水喷淋；所述碱液为氢氧化钾和过氧化氢的混合液，氢氧化钾的浓度为1‑2％(w％)，过氧化氢的浓度为5.5‑6.5％(w％)，反应温度为55‑65℃，清洗时间为1.5‑2.5分钟。3.如权利要求2所述的硼扩散炉管维护效果检测方法，其特征在于，在S1中，将所述原硅片置于碱性液体中进行双面抛光。4.如权利要求3所述的硼扩散炉管维护效果检测方法，其特征在于，在S1中，对所述原硅片进行双面抛光之后，先对双面抛光后的原硅片进行清水喷淋，再使用酸液进行酸洗，然后采用慢提拉清洗，最后进行烘干；所述酸液为盐酸和氢氟酸的混合液，盐酸的浓度为3‑5％(w％)，氢氟酸的浓度为3‑5％(w％)；所述慢提拉清洗在冷水中进行。5.如权利要求1所述的硼扩散炉管维护效果检测方法，其特征在于，在S1中，对所述原硅片进行双面抛光后，将所述原硅片放置于氮气环境下。6.如权利要求1所述的硼扩散炉管维护效果检测方法，其特征在于，在S2中，使用硼扩散炉对所述原硅片进行双面硼扩散，且分别在所述硼扩散炉的炉口、炉中及炉尾进行所述原硅片的双面硼扩散；在S6中，对处理后的硅片进行Sinton测试后，所记录少子寿命、反向饱和电流密度和开路电压的数据为在所述硼扩散炉的炉口、炉中及炉尾测试数据的平均值。7.如权利要求1所述的硼扩散炉管维护效果检测方法，其特征在于，在S3中，使用氢氟酸去除所述扩后硅片上的硼硅玻璃；氢氟酸的浓度为3‑5％(w％)，反应时间为6‑10分钟。8.如权利要求1所述的硼扩散炉管维护效果检测方法，其特征在于，在S4中，所述氮化硅膜的膜厚为60‑70nm，折射率2.05‑2.2。9.如权利要求1所述的硼扩散炉管维护效果检测方法，其特征在于，在S5中，烧结处理所述扩后硅片后，收集硅片并使用隔纸隔开放置。10.如权利要求1所述的硼扩散炉管维护效果检测方法，其特征在于，在S6中，对硅片进行PL测试，并记录硅片的光致发光光谱数据。2CN116013801A说明书1/5页一种硼扩散炉管维护效果检测方法技术领域[0001]本发明属于光伏电池技术领域，更具体地说，是涉及一种硼扩散炉管维护效果检测方法。背景技术[0002]N型太阳能电池的主流技术就是TOPCon技术，即TunnelOxidePassivatedContact技术，该技术是一种新型钝化接触技术，关键技术为在电池背面制备一层超薄的隧穿氧化层，并在氧化层表面沉积一层磷掺杂的多晶硅薄膜层，隧穿氧化层和多晶硅掺杂层二者共同形成了钝化接触结构。[0003]在N型TOPCon电池技术中，工艺流程较长，导致工艺