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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108796269A(43)申请公布日2018.11.13(21)申请号201810703660.4(22)申请日2018.06.30(71)申请人汕头市骏码凯撒有限公司地址515000广东省汕头市龙湖区万吉工业区万吉北街6号A座(72)发明人周振基周博轩于锋波彭政展麦宏全(74)专利代理机构汕头市潮睿专利事务有限公司44230代理人林天普朱明华(51)Int.Cl.C22C5/02(2006.01)C22F1/14(2006.01)C22F1/02(2006.01)H01L33/62(2010.01)权利要求书1页说明书6页(54)发明名称金合金键合丝及其制造方法(57)摘要一种金合金键合丝,其特征在于按重量计含有Pd2.1-8%,Ag20-30%,Pt2.1-6%,微量添加元素2-200ppm,余量为金;所述微量添加元素是Ca、In、Co、Be、Ga、Mg、Ce和Ni中的一种或其中两种以上的组合。本发明还提供上述金合金键合丝的一种制造方法。本发明的金合金复合键合丝具有优异的抗拉强度,适合低线弧和长线弧的封装,同时抗硫化能力强和可靠性高,成本较低。CN108796269ACN108796269A权利要求书1/1页1.一种金合金键合丝,其特征在于按重量计含有Pd2.1-8%,Ag20-30%,Pt2.1-6%,微量添加元素2-200ppm,余量为金;所述微量添加元素是Ca、In、Co、Be、Ga、Mg、Ce和Ni中的一种或其中两种以上的组合。2.根据权利要求1所述的金合金键合丝,其特征是:所述微量添加元素含有10-100ppm的Ca、2-50ppm的Mg和2-50ppm的Ce。3.根据权利要求1所述的金合金键合丝,其特征是:所述微量添加元素含有10-80ppm的Ca、2-50ppm的In和2-50ppm的Be。4.根据权利要求1所述的金合金键合丝,其特征是:所述微量添加元素含有2-100ppm的Ce和10-50ppm的Ca。5.根据权利要求1所述的金合金键合丝,其特征是:所述微量添加元素含有2-80ppm的Ni、10-100ppm的Ca和2-20ppm的Co。6.根据权利要求1所述的金合金键合丝,其特征是:所述微量添加元素含有2-100ppm的Ga和2-80ppm的Ca。7.权利要求1-6任一项所述的金合金键合丝的制造方法,其特征在于包括下述步骤:(1)熔铸:按比例将Pd、Ag、Pt和微量添加元素加入到金原料中,经过真空熔炼和定向连续引铸工艺,获得直径为6-8毫米的线材;(2)拉丝:对步骤(1)得到的线材进行拉丝,获得直径为0.08-0.5mm的键合丝半成品;(3)对步骤(2)得到键合丝半成品继续进行拉丝,获得直径为15-50um的金合金键合丝;在拉丝过程中对键合丝半成品进行若干次中间退火,在退火过程中采用N2做为退火气氛,退火炉有效长度为600-2000mm,退火温度为500-800℃,退火速率为30-100m/min;(4)最后退火:步骤(3)拉丝完成后,对金合金键合丝进行最后退火,在退火过程中采用N2来做为退火气氛,退火炉有效长度为600-1000mm,退火温度为300-800℃,退火速率为60-120m/min;(5)冷却:最后退火结束后,将金合金键合丝冷却至20-30℃,得到所需的金合金键合丝。2CN108796269A说明书1/6页金合金键合丝及其制造方法技术领域[0001]本发明涉及IC、LED封装用的键合丝,具体涉及一种金合金键合丝及其制造方法。背景技术[0002]键合丝(bondingwire,又称键合线)是连接芯片与外部封装基板(substrate)和/或多层线路板(PCB)的主要连接方式。键合丝的发展趋势,从产品方向上,主要是线径细微化、高车间寿命(floorlife)以及高线轴长度;从化学成分上,主要有铜线(包括裸铜线、镀钯铜线、闪金镀钯铜线)在半导体领域大幅度取代金线,而银线和银合金线在LED以及部分IC封装应用上取代金线。另外一个重要方向是金合金线的发展,以进一步降低成本并且保持或提高键合过程的各项性能要求。[0003]由于电子产品小型化和细薄化的发展要求,半导体行业通过芯片厚度减薄(Waferthinning)、封装采用芯片堆栈(Diestacking)、倒装芯片(flipchip)、晶圆级封装(waferlevelpackaging)、2.5D和3D封装等方法来应对,然而传统的键合封装(wirebonding)仍然是主流封装形式。[0004]传统的由纯金材质制成的金键合丝,其具备优异的化学稳定性和导电导热性能,因而被广泛用作IC内引线。但随着国际金价的不断上涨,金键合丝的价格也一路攀升,导致终端产品的成本过高,不利于企