新型银合金键合丝及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112342426A(43)申请公布日2021.02.09(21)申请号202011247760.4C22F1/14(2006.01)(22)申请日2020.11.10C21D1/26(2006.01)C21D1/74(2006.01)(71)申请人汕头市骏码凯撒有限公司C21D9/52(2006.01)地址515065广东省汕头市龙湖区万吉工H01L23/49(2006.01)业区万吉北街6号A座H01L21/48(2006.01)(72)发明人周振基周博轩王俊智于锋波彭政展石逸武郭骅德(74)专利代理机构汕头市潮睿专利事务有限公司44230代理人林天普朱明华(51)Int.Cl.C22C5/06(2006.01)C22C1/02(2006.01)B22D11/00(2006.01)C22F1/02(2006.01)权利要求书1页说明书7页(54)发明名称新型银合金键合丝及其制造方法(57)摘要一种新型银合金键合丝，其特征在于按重量计含有Au5‑9%，Pd0‑3%，Pt1‑3%，微量添加元素20‑5000ppm，余量为Ag；所述微量添加元素是Ca、Ni、Cu、Cr、Ti和La+Y中的两种以上的组合。本发明还提供上述新型银合金键合丝的一种制造方法。本发明的新型银合金键合丝具有优良的抗老化性能、抗腐蚀能力、力学性能和作业性，且制造成本较低。CN112342426ACN112342426A权利要求书1/1页1.一种新型银合金键合丝，其特征在于按重量计含有Au5-9%，Pd0-3%，Pt1-3%，微量添加元素20-5000ppm，余量为Ag；所述微量添加元素是Ca、Ni、Cu、Cr、Ti和La+Y中的两种以上的组合。2.根据权利要求1所述的新型银合金键合丝，其特征是：所述新型银合金键合丝中Ag的重量百分比含量为87-92%。3.根据权利要求1所述的新型银合金键合丝，其特征是：所述微量添加元素的组成为Cu50-4960ppm、Ni20-100ppm、Cr20-100ppm。4.根据权利要求1所述的新型银合金键合丝，其特征是：所述微量添加元素的组成为Cu500-3000ppm、Ca50-100ppm、Ni20-50ppm。5.根据权利要求1所述的新型银合金键合丝，其特征是：所述微量添加元素的组成为Cu20-500ppm、La+Y20-100ppm。6.根据权利要求1所述的新型银合金键合丝，其特征是：所述微量添加元素的组成为Ca50-200ppm、Ti20-50ppm。7.根据权利要求1所述的新型银合金键合丝，其特征是：所述新型银合金键合丝的直径为15-30μm。8.权利要求1所述的新型银合金键合丝的制造方法，其特征在于包括下述步骤：（1）熔铸：按比例将微量添加元素加入到银原料中预熔后，再按比例将Au、Pd、Pt加入其中熔炼，经过真空熔炼和定向连续引铸工艺，获得直径为6-8毫米的线材；（2）拉丝：对步骤（1）得到的线材进行拉丝，获得直径为40-100μm的银合金线；（3）中间退火：步骤（2）拉丝完成后，对银合金线进行中间退火，在退火过程中采用N2来做为退火气氛，退火炉有效长度为600-1500mm，退火温度为400-600℃，退火速率为30-90m/min；（4）对经步骤（3）中间退火处理的银合金线继续进行拉丝，获得直径为15-30μm的银合金线；（5）最后退火：对步骤（4）得到的银合金线进行最后退火，在退火过程中采用N2或者氮氢混合气体来做为退火气氛，退火炉有效长度为600-1000mm，退火温度为300-500℃，退火速率为60-100m/min；按体积计，所述氮氢混合气体由5%的H2和95%的N2组成；（6）冷却：最后退火结束后，将银合金线冷却至20-30℃，得到所需的新型银合金键合丝。2CN112342426A说明书1/7页新型银合金键合丝及其制造方法技术领域[0001]本发明涉及IC、LED封装用的键合丝，具体涉及新型银合金键合丝及其制造方法。背景技术[0002]键合丝（bondingwire，又称键合线）是连接芯片与外部封装基板（substrate）和/或多层线路板（PCB）的主要连接方式。键合丝的发展趋势，从产品方向上，主要是线径细微化、高车间寿命（floorlife）以及高线轴长度；从化学成分上，主要有铜线（包括裸铜线、镀钯铜线、闪金镀钯铜线）在半导体领域大幅度取代金线，而银线和银合金线在LED以及部分IC封装应用上取代金线。由于电子产品小型化和细薄化的发展要求，半导体行业通过芯片厚度减薄(Waferthinning)、封装采用芯片堆栈(Diestacking)、倒装芯片(flipchip)、晶圆级封装（waferlevelpackaging）、