预览加载中,请您耐心等待几秒...
1/7
2/7
3/7
4/7
5/7
6/7
7/7

在线预览结束,喜欢就下载吧,查找使用更方便

如果您无法下载资料,请参考说明:

1、部分资料下载需要金币,请确保您的账户上有足够的金币

2、已购买过的文档,再次下载不重复扣费

3、资料包下载后请先用软件解压,在使用对应软件打开

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108598006A(43)申请公布日2018.09.28(21)申请号201711444062.1(22)申请日2017.12.27(71)申请人汕头市骏码凯撒有限公司地址515065广东省汕头市龙湖区万吉工业区万吉北街6号A座(72)发明人周振基周博轩麦宏全彭政展(74)专利代理机构汕头市潮睿专利事务有限公司44230代理人林天普朱明华(51)Int.Cl.H01L21/48(2006.01)H01L21/60(2006.01)权利要求书1页说明书5页(54)发明名称银合金键合丝及其制造方法(57)摘要一种银合金键合丝,按重量计含有Au11-30%,Pd0.1-10%,微量添加元素2-1000ppm,余量为Ag;所述微量添加元素是Ca、Cu、Be、In、Si、Pt和Ge中的一种或其中两种以上的组合。本发明还提供上述银合金键合丝的一种制造方法。本发明的银合金键合丝具有以下有益效果:(1)抗硫化性能优异;(2)抗老化性能优异,改善封装产品在热冲击试验中的可靠性,在同等老化条件下(-40℃~100℃),本发明的银合金键合丝能够经受250-300回合的热冲击;(3)打线作业窗口大具有良好的作业性;(4)FAB烧球良好,无滑球,焊点的接合强度大,可靠性高;FAB烧球时可以通氮氢混合气(气体流量:0.3~0.6L/min)或不通气体,基于成本与安全性方面的考虑,可省去氮氢混合气的使用。CN108598006ACN108598006A权利要求书1/1页1.一种银合金键合丝,其特征在于按重量计含有Au11-30%,Pd0.1-10%,微量添加元素2-1000ppm,余量为Ag;所述微量添加元素是Ca、Cu、Be、In、Si、Pt和Ge中的一种或其中两种以上的组合。2.根据权利要求1所述的银合金键合丝,其特征是:所述银合金键合丝中Au的重量百分比含量为14-22%,Pd的重量百分比含量为3-7%。3.根据权利要求1或2所述的银合金键合丝,其特征是:所述微量添加元素的组成为Ca80-120ppm、Cu450-550ppm、Pt50-300ppm。4.根据权利要求1或2所述的银合金键合丝,其特征是:所述微量添加元素的组成为Cu800-900ppm、Si50-100ppm。5.根据权利要求1或2所述的银合金键合丝,其特征是:所述微量添加元素的组成为Ca80-120ppm、Be15-25ppm、In40-60ppm。6.根据权利要求1或2所述的银合金键合丝,其特征是:所述微量添加元素的组成为Cu450-550ppm、Be15-25ppm、Ge40-60ppm。7.根据权利要求1或2所述的银合金键合丝,其特征是:所述微量添加元素的组成为Ca40-60ppm、Cu160-250ppm、Ge80-120ppm。8.权利要求1所述的银合金键合丝的制造方法,其特征在于包括下述步骤:(1)熔铸:按比例将Au、Pd和微量添加元素加入到银原料中,经过真空熔炼和定向连续引铸工艺,获得直径为6-8毫米的线材;(2)拉丝:对步骤(1)得到的线材进行拉丝,获得直径为50-280um的银合金线;(3)中间退火:步骤(2)拉丝完成后,对银合金线进行中间退火,在退火过程中采用N2来做为退火气氛,退火炉有效长度为600-1000mm,退火温度为300-600℃,退火速率为60-120m/min;(4)对经步骤(3)中间退火处理的银合金线继续进行拉丝,获得直径为15-40um的银合金线;(5)最后退火:对步骤(4)得到的银合金线进行最后退火,在退火过程中采用N2来做为退火气氛,退火炉有效长度为600-1000mm,退火温度为300-600℃,退火速率为60-120m/min;(6)冷却:最后退火结束后,将银合金线冷却至20-30℃,得到所需的银合金键合丝。2CN108598006A说明书1/5页银合金键合丝及其制造方法技术领域[0001]本发明涉及IC、LED封装用的键合丝,具体涉及一种银合金键合丝及其制造方法。背景技术[0002]键合丝(bondingwire,又称键合线)是连接芯片与外部封装基板(substrate)和/或多层线路板(PCB)的主要连接方式。键合丝的发展趋势,从产品方向上,主要是线径细微化、高车间寿命(floorlife)以及高线轴长度;从化学成分上,主要有铜线(包括裸铜线、镀钯铜线、闪金镀钯铜线)在半导体领域大幅度取代金线,而银线和银合金线在LED以及部分IC封装应用上取代金线。由于电子产品小型化和细薄化的发展要求,半导体行业通过芯片厚度减薄(Waferthinning)、封装采用芯片堆栈(Diestacking)、倒装芯片(flipchip)、晶圆级封装(waferlevelpac