一种高纯半导体单晶炉粘胶基石墨毡及其制备工艺.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110484999A(43)申请公布日2019.11.22(21)申请号201910811428.7(22)申请日2019.08.30(71)申请人四川骏瑞碳纤维材料有限公司地址629000四川省遂宁市安居区安居镇演化寺工业园(72)发明人陈国兴(74)专利代理机构成都聚蓉众享知识产权代理有限公司51291代理人刘艳均(51)Int.Cl.D01F9/16(2006.01)权利要求书1页说明书3页(54)发明名称一种高纯半导体单晶炉粘胶基石墨毡及其制备工艺(57)摘要本发明公开了一种高纯半导体单晶炉粘胶基石墨毡制备工艺，包括以下步骤：a、根据尺寸要求将针刺毡切割成型后备用；b、将溶剂高纯盐酸、高纯铵和水混合制得高纯水溶液备用，制得的高纯水溶液中溶剂高纯盐酸重量百分比为0％-25％，高纯铵重量百分比为0％-30％；c、将针刺毡送入高纯水溶液浸泡；d、将浸泡后的针刺毡烘干，送入预氧炉进行预氧处理；e、在预氧炉内加入氮气，进行碳化处理；f、加入氩气，将碳化处理后的针刺毡在2500°的环境下石墨化，得到高纯半导体单晶炉粘胶基石墨毡。本发明还公开了一种高纯半导体单晶炉粘胶基石墨毡。CN110484999ACN110484999A权利要求书1/1页1.一种高纯半导体单晶炉粘胶基石墨毡制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：a、根据尺寸要求将针刺毡切割成型后备用；b、将溶剂高纯盐酸、高纯铵和水混合制得高纯水溶液备用，制得的高纯水溶液中溶剂高纯盐酸重量百分比为0％-25％，高纯铵重量百分比为0％-30％；c、将针刺毡送入高纯水溶液浸泡；d、将浸泡后的针刺毡烘干，送入预氧炉进行预氧处理；e、在预氧炉内加入氮气，进行碳化处理；f、加入氩气，将碳化处理后的针刺毡在2500°的环境下石墨化，得到高纯半导体单晶炉粘胶基石墨毡。2.根据权利要求1所述的一种高纯半导体单晶炉粘胶基石墨毡制备工艺，其特征在于，步骤b中，溶剂高纯盐酸重量百分比为17％，高纯铵重量百分比为15％。3.根据权利要求1所述的一种高纯半导体单晶炉粘胶基石墨毡制备工艺，其特征在于，步骤b中，制备高纯水溶液，具体如下：将溶剂高纯盐酸、高纯铵和水混合后升温至50°溶解搅拌制得高纯水溶液。4.根据权利要求1所述的一种高纯半导体单晶炉粘胶基石墨毡制备工艺，其特征在于，步骤c中，浸泡时间为5min-60min。5.根据权利要求1所述的一种高纯半导体单晶炉粘胶基石墨毡制备工艺，其特征在于，步骤d中，预氧处理温度为0°-250°，预氧处理过程中设定升温曲线进行预氧处理。6.根据权利要求1所述的一种高纯半导体单晶炉粘胶基石墨毡制备工艺，其特征在于，步骤e中，加入的氮气体积流量为5L/min。7.根据权利要求1所述的一种高纯半导体单晶炉粘胶基石墨毡制备工艺，其特征在于，步骤e中，碳化处理温度为0°-1000°，碳化处理过程中设定升温曲线进行碳化处理。8.根据权利要求1所述的一种高纯半导体单晶炉粘胶基石墨毡制备工艺，其特征在于，步骤f中，加入的氩气体积流量为5L/min。9.一种高纯半导体单晶炉粘胶基石墨毡，其特征在于，包括如权利要求1-9任意一项所述的制备方法制备得到的抗氧化粘胶基石墨毡。2CN110484999A说明书1/3页一种高纯半导体单晶炉粘胶基石墨毡及其制备工艺技术领域[0001]本发明属于保温隔热材料领域，具体涉及一种高纯半导体单晶炉粘胶基石墨毡及其制备工艺。背景技术[0002]石墨毡是一种具有保温、隔热功能的材料，其广泛的使用于各种高纯超高温炉的保温隔热。目前常见的石墨毡纯度不高，杂质较多，严重影响着其使用效果。因此，需要一款设计，解决上述问题。发明内容[0003]本发明所要解决的技术问题便是针对上述现有技术的不足，提供一种高纯半导体单晶炉粘胶基石墨毡及其制备工艺，制得的粘胶基石墨毡纯度可以达到20PPM以下。[0004]本发明所采用的技术方案是：一种高纯半导体单晶炉粘胶基石墨毡制备工艺，包括以下步骤：[0005]a、根据尺寸要求将针刺毡切割成型后备用；[0006]b、将溶剂高纯盐酸、高纯铵和水混合制得高纯水溶液备用，制得的高纯水溶液中溶剂高纯盐酸重量百分比为0％-25％，高纯铵重量百分比为0％-30％；[0007]c、将针刺毡送入高纯水溶液浸泡；[0008]d、将浸泡后的针刺毡烘干，送入预氧炉进行预氧处理；[0009]e、在预氧炉内加入氮气，进行碳化处理；[0010]f、加入氩气，将碳化处理后的针刺毡在2500°的环境下石墨化，得到高纯半导体单晶炉粘胶基石墨毡。[0011]其中一个实施例中，步骤b中，溶剂高纯盐酸重量百分比为17％，高纯铵重量百分比为15％。[0012]其中一个实施例中，步骤b中，制备高纯水溶液，具体