一种高性能射频芯片的封装方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112713100A(43)申请公布日2021.04.27(21)申请号202011603578.8(22)申请日2020.12.30(71)申请人四川德骏智造科技有限公司地址644000四川省宜宾市临港经开区国兴大道沙坪路7号宜宾市科技创新中心科技岛D1-A座16楼2号(72)发明人王昆(74)专利代理机构成都明涛智创专利代理有限公司51289代理人周慧(51)Int.Cl.H01L21/56(2006.01)H01L21/31(2006.01)H01L23/66(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图2页(54)发明名称一种高性能射频芯片的封装方法(57)摘要本发明公开了一种高性能射频芯片的封装方法，涉及半导体封装技术领域，所述方法包括以下步骤：获取基板，并在所述基板上设置粘接层；将若干射频芯片的背面通过粘接层间隔固定于所述基板上；采用塑封工艺对所述若干射频芯片进行塑封，以形成塑封层；在所述塑封层的上表面进行蚀刻，以形成若干个分别与对应的射频芯片的电极连通的通孔；在所述通孔内形成一端与射频芯片的电极电性连接的导电柱，在塑封层的上表面形成与所述导线柱的另一端电性连接的引线层；移除基板和粘结层，对塑封层进行切割，形成多个射频模块。本发明解决了现有的射频芯片的封装方法存在工艺复杂、生产效率低且器件厚度值较大的问题。CN112713100ACN112713100A权利要求书1/1页1.一种高性能射频芯片的封装方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤1：获取基板，并在所述基板上设置粘接层；步骤2：将若干射频芯片的背面通过粘接层间隔固定于所述基板上；步骤3：采用塑封工艺对所述若干射频芯片进行塑封，以形成塑封层；步骤4：在所述塑封层的上表面进行蚀刻，以形成若干个分别与对应的射频芯片的电极连通的通孔；步骤5：在所述通孔内形成一端与射频芯片的电极电性连接的导电柱，在塑封层的上表面形成与所述导线柱的另一端电性连接的引线层；步骤6：移除基板和粘结层，对塑封层进行切割，形成多个射频模块。2.根据权利要求1所述的一种高性能射频芯片的封装方法，其特征在于：在步骤1中还包括以下步骤：在清洗设备上对所述基板进行超声波清洗，并对清洗后的基板进行烘干处理。3.根据权利要求1所述的一种高性能射频芯片的封装方法，其特征在于：所述塑封工艺为压力塑封工艺或注塑工艺。4.根据权利要求1所述的一种高性能射频芯片的封装方法，其特征在于：所述塑封层采用环氧树脂塑封料、电子灌封胶或硅橡胶中的一种制作而成。5.根据权利要求1所述的一种高性能射频芯片的封装方法，其特征在于：所述粘结层采用UV粘合胶。6.根据权利要求1所述的一种高性能射频芯片的封装方法，其特征在于：在步骤5中，所述导电柱的形成步骤包括：采用喷头在所述通孔内喷射金属粉末，并同步通过激光器发射头发射出的激光将金属粉末熔化；熔化的金属粉末成形后构成所述导电柱。7.根据权利要求1所述的一种高性能射频芯片的封装方法，其特征在于：在步骤5中，所述引线层的形成步骤包括：采用喷头按照预设路线在所述塑封层表面喷射金属粉末，并同步通过激光器发射头发射出的激光将金属粉末熔化；熔化的金属粉末成形后构成所述金属线路。2CN112713100A说明书1/4页一种高性能射频芯片的封装方法技术领域[0001]本发明涉及半导体封装技术领域，具体涉及一种高性能射频芯片的封装方法。背景技术[0002]随着消费类电子产品，特别是便携式电子产品，比如智能手机等电子产品的发展，对半导体的需求逐渐增多，大力发展我国的半导体技术一致是行业关注的话题，尤其是射频芯片的生产方面。封装对于射频芯片生产来说是必须的工艺，也是至关重要的步骤。因为射频芯片必须与外界隔离，以防止空气中的杂质对射频芯片电路的腐蚀而造成电气性能下降。另一方面，封装后的射频芯片也更便于安装和运输。由于封装技术的好坏还直接影响到射频芯片自身性能的发挥和与之连接的PCB(印制电路板)的设计和制造，因此，封装方法对于射频芯片是至关重要的。[0003]因此，对现有技术的分析发现，现有的射频芯片封装方法存在工艺复杂、生产效率低且器件厚度值较大的问题，针对上述问题，本发明提供了一种高性能射频芯片的封装方法。发明内容[0004]本发明的主要目的在于：针对现有技术中的缺陷，本发明提供一种高性能射频芯片的封装方法，以解决现有的射频芯片的封装方法存在工艺复杂、生产效率低且器件厚度值较大的问题。[0005]为实现上述发明目的，本发明采用如下技术方案：[0006]本发明提供了一种高性能射频芯片的封装方法，包括以下步骤：[0007]步骤1：获取基板，并在所述基板上设置粘接层；[0008]步骤2：将若干射频芯片的背面通过粘接层间隔固定于所述基板上