集成电路结构.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102148205A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102148205A(43)申请公布日2011.08.10(21)申请号201010260672.8(22)申请日2010.08.19(30)优先权数据12/702,8312010.02.09US(71)申请人台湾积体电路制造股份有限公司地址中国台湾新竹市(72)发明人陈宪伟(74)专利代理机构隆天国际知识产权代理有限公司72003代理人姜燕陈晨(51)Int.Cl.H01L23/28(2006.01)H01L23/31(2006.01)权利要求书2页说明书5页附图6页(54)发明名称集成电路结构(57)摘要本发明提供一种集成电路结构。上述集成电路结构包括一半导体芯片，包括一边角；一密封环，相邻于上述半导体芯片的边缘；一边角压力释放结构，相邻于上述边角，且实际上邻接于上述密封环，其中上述边角压力释放结构包括一第一部分，位于一顶部金属层中；一电路构件，其中上述电路构件择自下列族群：一内连线结构以及位于上述边角压力释放结构的上述第一部分正下方的一有源电路。本发明中，如果从下层金属层中移除或减少CSR结构会影响释放压力的功能的话，影响会非常少。另一方面，通过可允许于CSR结构的正下方形成有源电路及内连线结构，可节省芯片面积。CN102485ACCNN110214820502148207A权利要求书1/2页1.一种集成电路结构，包括：一半导体芯片，包括：一边角；一密封环，相邻于该半导体芯片的边缘；以及一边角压力释放结构，相邻于该边角，且实际上邻接于该密封环，其中该边角压力释放结构包括一第一部分，位于一顶部金属层中；以及一电路构件，其中该电路构件择自下列族群：一内连线结构以及位于该边角压力释放结构的该第一部分正下方的一有源电路。2.如权利要求1所述的集成电路结构，其中电路构件包括该内连线结构，且该内连线结构包括金属线和介层孔。3.如权利要求1所述的集成电路结构，其中该电路构件包括该有源电路，且该有源电路包括一晶体管。4.权利要求1所述的集成电路结构，其中该边角压力释放结构包括一第二部分，该第二部分位于一下层金属层中，且该下层金属层位于该顶部金属层的下方，且其中该边角压力释放结构的该第二部分的尺寸小于该第一部分的尺寸。5.如权利要求4所述的集成电路结构，其中该下层金属层为位于该顶部金属层的下方的两层金属层。6.如权利要求5所述的集成电路结构，还包括：一双重实心金属焊盘，包括：一第一金属焊盘，位于该顶部金属层中；一第二金属焊盘，位于该第一金属焊盘的正下方，且位于一下一层金属层中，该下一层金属层位于该顶部金属层的下一层处；以及多个介层孔，连接该第一金属焊盘和该第二金属焊盘。7.如权利要求4所述的集成电路结构，其中该边角压力释放结构不包括位于该下层金属层中的任何部分，且不包括位于该下层金属层的下方的任何额外金属层的任何部分。8.如权利要求4所述的集成电路结构，其中该边角压力释放结构的该第二部分的尺寸小于该第一部分的尺寸。9.一种集成电路结构，包括：一半导体芯片，包括：一第一边缘；一第二边缘，垂直于该第一边缘，且与该第一边缘形成一边角区；一接合焊盘，相邻于该第一边缘；一密封环，包括平行于该第一边缘的一第一侧边，和平行于该第二边缘的一第二侧边；以及一边角压力释放结构，位于该边角区中，且包括一第一末端，邻接于该密封环的该第一侧边，以及相对于该第一末端的一第二末端，邻接于该密封环的该第二侧边；一内连线结构，位于该边角压力释放结构的正下方，该内连线结构包括金属线和介层孔；以及一有源电路，位于该边角压力释放结构的正下方，该有源电路包括一晶体管。2CCNN110214820502148207A权利要求书2/2页10.如权利要求9所述的集成电路结构，其中该内连线结构位于该密封环的一内侧。3CCNN110214820502148207A说明书1/5页集成电路结构技术领域[0001]本发明涉及一种集成电路结构，特别涉及一种集成电路结构。背景技术[0002]密封环(sealring)为半导体后段工艺中一重要部分。密封环为围绕集成电路的压力保护结构，其保护位于半导体芯片内部的集成电路不会因为受到从晶片切割成半导体芯片造成的损伤。另外，密封环可防止水气穿透进入半导体芯片。公知的密封环通常由内部连接的金属线和介层孔形成，且形成邻近于切割道。集成电路形成于密封环的内侧。[0003]因为提供了密封环和保护层，所以可以保护位于密封环内侧的集成电路不因受外界环境的影响而导致半导体芯片内部的破裂。因此在一段长时间内可以保证半导体元件特性的稳定。[0004]当切割晶片时，会施加高机械压力，且可能会损伤密封环。为了增加密封环的强度，可于半导体芯片的边角形成边角压力释放结构(corn