有机场致发光元件.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利(10)授权公告号(10)授权公告号CNCN102598344102598344B(45)授权公告日2015.01.21(21)申请号201080047896.9吉村和明辻大志高桥泰裕(22)申请日2010.10.19结城敏尚中岛裕介(30)优先权数据(74)专利代理机构中国国际贸易促进委员会专2009-2443602009.10.23JP利商标事务所11038代理人贾成功(85)PCT国际申请进入国家阶段日2012.04.23(51)Int.Cl.H01L51/50(2006.01)(86)PCT国际申请的申请数据C07D487/04(2006.01)PCT/JP2010/0683222010.10.19(56)对比文件(87)PCT国际申请的公布数据EP0906948A1,1999.04.07,摘要、说明书第WO2011/049063JA2011.04.2832-34，47，52-53节、附图2.(73)专利权人新日铁住金化学株式会社审查员梁忠益地址日本东京专利权人日本先锋公司日本东北先锋株式会社(72)发明人甲斐孝弘山本敏浩古森正树权权利要求书3页利要求书3页说明书37页说明书37页附图2页附图2页(54)发明名称有机场致发光元件(57)摘要本发明提供一种有机场致发光元件(有机EL元件)，所述有机场致发光元件改善元件的发光效率、充分确保驱动稳定性且具有简单的构成。该有机EL元件在阳极和阴极之间夹持含有空穴传输层和发光层的有机层而成，在发光层中含有荧光发光材料，在空穴传输层和发光层之间具有与发光层邻接且含有如通式(2)所示那样的吲哚并咔唑衍生物的电子及/或激子阻挡层。通式(2)中，环B为式(1c)所示的与邻接环缩合的杂环，Z表示n价的芳香族烃基或芳香族杂环基，n为1或2。CN102598344BCN10259834BCN102598344B权利要求书1/3页1.一种有机场致发光元件，其为在阳极与阴极之间夹持至少含有空穴注入层、空穴传输层、发光层及电子传输层的有机层而成的有机场致发光元件，其特征在于，在发光层中含有荧光发光材料和电子传输性主体材料，自阳极侧依次配置有空穴注入层、空穴传输层、电子及/或激子阻挡层、发光层，在空穴传输层与发光层之间具有与这两层相接而含有由通式(1)所示的吲哚并咔唑化合物的电子及/或激子阻挡层，该吲哚并咔唑化合物的LUMO能量为-1.2eV以上，且比在发光层中含有的主体材料的LUMO能量还大，在空穴传输层中含有的空穴传输性材料的HOMO能量为-4.8eV以上，且比该吲哚并咔唑化合物的HOMO能量还大，通式(1)中，Z表示n价的碳数6～50的芳香族烃基或碳数3～50的芳香族杂环基，Y表示由式(1a)所示的基团，n表示1～6的整数；在n为2以上的情况下，Y可以相同也可以不同；式(1a)中，环A表示与邻接环缩合的由式(1b)所示的芳香族环或杂环，环B表示与邻接环缩合的由式(1c)所示的杂环；R1、R2分别独立地表示氢、碳数1～10的脂肪族烃基、碳数6～12的芳香族烃基或碳数3～11的芳香族杂环基；式(1b)中，X表示次甲基或氮，R3表示氢、碳数1～10的脂肪族烃基、碳数6～12的芳香族烃基或碳数3～11的芳香族杂环基，但也可以与含有X的环缩合而形成稠环；式(1c)中，Ar表示碳数6～50的芳香族烃基或碳数3～50的芳香族杂环基。2CN102598344B权利要求书2/3页2.根据权利要求1所述的有机场致发光元件，其中，由通式(1)所示的吲哚并咔唑化合物为由下述通式(2)所示的吲哚并咔唑化合物，通式(2)中，环B表示与邻接环缩合的由式(1c)所示的杂环；Z、Ar、R1及R2与通式(1)中的含义相同，R3表示氢、碳数1～10的脂肪族烃基、碳数6～12的芳香族烃基或碳数3～11的芳香族杂环基；n表示1或2的整数。3.根据权利要求2所述的有机场致发光元件，其特征在于，由通式(2)所示的吲哚并咔唑化合物选自由通式(3)～(6)所示的吲哚并咔唑化合物，3CN102598344B权利要求书3/3页通式(3)～(6)中，Z、Ar、R1、R2、R3及n与通式(2)中的含义相同。4.根据权利要求1-3的任一项所述的有机场致发光元件，其特征在于，有机层还具有电子传输层，在该电子传输层中使用的材料中的至少一种材料的电子移动度为1×10-7cm2/V·s以上。4CN102598344B说明书1/37页有机场致发光元件技术领域[0001]本发明涉及含有吲哚并咔唑化合物的有机场致发光元件，详细而言，涉及对包含有机化合物发光层施加电场而发出光的薄膜型器件。背景技术[0002]一般而言，有机场致发光元件(以下，称为有机EL元件)，作为其最简单的结构，由夹持发光层的一对对置电极构成。即，在