有机场致发光元件.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102696126A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102696126A(43)申请公布日2012.09.26(21)申请号201080059524.8松本惠(22)申请日2010.11.18(74)专利代理机构中国国际贸易促进委员会专(30)优先权数据利商标事务所110382009-2979032009.12.28JP代理人贾成功(85)PCT申请进入国家阶段日(51)Int.Cl.2012.06.27H01L51/50(2006.01)C09K11/06(2006.01)(86)PCT申请的申请数据C07D487/04(2006.01)PCT/JP2010/0705362010.11.18(87)PCT申请的公布数据WO2011/080972JA2011.07.07(71)申请人新日铁化学株式会社地址日本东京(72)发明人甲斐孝弘山本敏浩古森正树权利要求书权利要求书4页4页说明书说明书3838页页附图附图22页(54)发明名称有机场致发光元件(57)摘要本发明提供有机场致发光元件(有机EL元件)，所述有机场致发光元件改善元件的发光效率，充分确保驱动稳定性，并且具有简单的构成。本发明的有机EL元件为在层叠于基板上的阳极和阴极之间具有发光层的有机场致发光元件，该发光层含有磷光发光性掺杂剂和非对称吲哚并咔唑化合物作为主体材料。非对称吲哚并咔唑化合物具有以下结构：具有吲哚并咔唑结构的2个以上的基团通过连接基团而连接的结构，具有吲哚并咔唑结构的基团的至少1个为与其它基团骨架不同的异构体基团。作为非对称吲哚并咔唑化合物，为由下述式(2)表示的化合物，A为取代基，R1～R3为氢或取代基，L为由芳香族基团构成的连接基团。CN10269ACN102696126A权利要求书1/4页1.一种有机场致发光元件，其为在基板上层叠阳极、含有磷光发光层的有机层及阴极而成的有机场致发光元件，其特征在于，在选自由磷光发光层、空穴传输层、电子传输层及空穴阻挡层组成的组中的至少一个的有机层中含有由通式(1)表示的吲哚并咔唑化合物，通式(1)中，L表示(m+n+p+q)价的碳数6～50的芳香族烃基或碳数3～50的芳香族杂环基，Y1～Y4分别为由式(1a-1)～(1a-6)的任意表示的基团，至少1个为不同的基团；m表示1～3的整数，n表示1～3的整数，p表示0～3的整数，q表示0～3的整数，m+n+p+q为2～6；式(1a-1)～(1a-6)中，A独立地表示碳数1～10的烷基、碳数3～11的环烷基、碳数6～50的芳香族烃基或碳数3～50的芳香族杂环基；R1～R3分别独立地表示氢、碳数1～10的烷基、碳数3～11的环烷基、碳数6～12的芳香族烃基或碳数3～11的芳香族杂环基；其中，在式(1a-1)、(1a-2)、(1a-4)及(1a-6)中，R3也可以与R3键合的六元环一2CN102696126A权利要求书2/4页起形成稠环。2.根据权利要求1所述的有机场致发光元件，其中，由通式(1)表示的吲哚并咔唑化合物为由通式(2)～(7)的任意表示的吲哚并咔唑化合物，3CN102696126A权利要求书3/4页通式(2)～(7)中，L、A、R1～R3、m及n与通式(1)及式(1a-1)～(1a-6)中的含义相同。4CN102696126A权利要求书4/4页3.根据权利要求2所述的有机场致发光元件，其中，在由通式(2)～(7)表示的吲哚并咔唑化合物中，m及n分别为1。4.根据权利要求1～3的任一项所述的有机场致发光元件，其特征在于，含有吲哚并咔唑化合物的有机层为含有磷光发光掺杂剂的发光层。5CN102696126A说明书1/38页有机场致发光元件技术领域[0001]本发明涉及含有吲哚并咔唑化合物的有机场致发光元件，详细而言，涉及在由有机化合物构成的发光层上施加电场而放出光的薄膜型器件。背景技术[0002]一般而言，对有机场致发光元件(以下，称为有机EL元件)而言，作为其最简单的结构由发光层及夹持该层的一对对置电极构成。即，在有机EL元件中，利用以下现象：当在两电极间施加电场时，从阴极注入电子，从阳极注入空穴，这些电子和空穴在发光层中复合，发出光。[0003]近年来，进行了使用有有机薄膜的有机EL元件的开发。特别是，为了提高发光效率，以提高由电极的载流子注入的效率为目的，进行电极的种类的最优化，通过在电极间以薄膜的形式设置包含芳香族二胺的空穴传输层和包含8-羟基喹啉铝配合物(以下，称为Alq3)的发光层的元件的开发，与以往的使用有蒽等的单晶的元件相比，进行了大幅的发光效率的改善，因此以面向具有自发光·高速应答性这样的特征的高性能平板的实用化为目标进行了发展。[0004]另外，作为提高元件的发光效率的尝试，还在研究不使用荧光而使