具有含硅四元环构造的有机场致发光元件用材料及有机场致发光元件.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103814035103814035A(43)申请公布日2014.05.21(21)申请号201280044043.9(74)专利代理机构中国国际贸易促进委员会专(22)申请日2012.08.31利商标事务所11038代理人柳冀(30)优先权数据2011-1987032011.09.12JP(51)Int.Cl.C07F7/21(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日C09K11/06(2006.01)2014.03.11H01L51/50(2006.01)(86)PCT国际申请的申请数据PCT/JP2012/0722722012.08.31(87)PCT国际申请的公布数据WO2013/038929JA2013.03.21(71)申请人新日铁住金化学株式会社地址日本东京(72)发明人须田充权权利要求书1页利要求书1页说明书30页说明书30页附图2页附图2页(54)发明名称具有含硅四元环构造的有机场致发光元件用材料及有机场致发光元件(57)摘要本发明提供由含硅四元环化合物构成的有机场致发光元件用材料及使用了该材料的有机场致发光元件。其为由下述式(1)所示化合物构成的有机场致发光元件用材料，在有机场致发光元件的含有磷光发光掺杂剂的发光层等中使用。式中，X表示氮或磷，L表示n+1价的芳香族烃基或芳香族杂环基，至少1个为芳香族杂环基。A1～A6表示烷基、环烷基、烯基、炔基、芳香族烃基、芳香族杂环基或氨基，n表示0～3的整数。CN103814035ACN103845ACN103814035A权利要求书1/1页1.一种有机场致发光元件用材料，其特征在于，由通式(1)所示的含硅四元环化合物构成，式(1)中，X各自独立地表示氮或磷，L各自独立地表示n+1价的碳原子数6～24的芳香族烃基或碳原子数3～19的芳香族杂环基，至少1个为碳原子数3～19的芳香族杂环基，A1～A6各自独立地表示碳原子数1～30的烷基、碳原子数3～30的环烷基、碳原子数2～30的烯基、碳原子数2～30的炔基、碳原子数6～50的芳香族烃基、碳原子数3～50的芳香族杂环基或碳原子数2～30的氨基，n各自独立地表示0～3的整数。2.权利要求1的有机场致发光元件用材料，在通式(1)中，2个X均为氮或均为磷。3.权利要求1的有机场致发光元件用材料，在通式(1)中，2个X均为氮。4.权利要求3的有机场致发光元件用材料，在通式(1)中，2个L均为n+1价的碳原子数3～19的芳香族杂环基。5.权利要求4的有机场致发光元件用材料，在通式(1)中，2个L为相同的芳香族杂环基。6.一种有机场致发光元件，其为在基板上层叠阳极、有机层及阴极而成的有机场致发光元件，其特征在于，其具有含有权利要求1～5任一项所述的有机场致发光元件用材料的有机层。7.权利要求6的有机场致发光元件，其中，含有有机场致发光元件用材料的有机层是选自由发光层、电子传输层、空穴传输层、电子阻挡层及空穴阻挡层组成的组中的至少1个层。8.权利要求6的有机场致发光元件，其特征在于，含有有机场致发光元件用材料的有机层是含有磷光发光掺杂剂的发光层。2CN103814035A说明书1/30页具有含硅四元环构造的有机场致发光元件用材料及有机场致发光元件技术领域[0001]本发明涉及具有含硅四元环构造的有机场致发光元件用材料及使用该材料的有机场致发光元件，具体地涉及对由有机化合物构成的发光层施加电场而释放光的薄膜型设备。背景技术[0002]一般来说，有机场致发光元件（以下称作有机EL元件）作为其最简单的构造，由发光层及夹持该层的一对对向电极构成。即，有机EL元件中利用了在两电极间施加电场时，从阴极注入电子、从阳极注入空穴，它们在发光层中再结合，释放光的现象。[0003]近年来，正在开发使用了有机薄膜的有机EL元件。特别是，为了提高发光效率，以提高从电极的载流子注入效率为目的，进行了电极种类的最优化，通过开发在电极间作为薄膜设置由芳香族二胺构成的空穴传输层和由8-羟基喹啉铝络合物（以下称作Alq3）构成的发光层的元件，与以往使用蒽等单晶的元件相比，大幅度改善了发光效率，因此以在具有自发光·高速响应性等特征的高性能平板中进行实用化为目的，有所发展。[0004]另外，作为提高元件的发光效率的尝试，还探讨了不使用荧光、而是使用磷光。上述以设有由芳香族二胺构成的空穴传输层和由Alq3构成的发光层的元件为代表的多个元件虽然利用了荧光发光，但通过使用磷光发光、即利用来自三重激发态的发光，与以往使用了荧光（单重）的元件相比，期待提高了3～4倍左右的效率。为了该目的，探讨了使香豆素衍生物或苯酮衍生物作为发光层，但仅获得极低的亮度。另外，作为利用三重态