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(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102939674A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102939674A(43)申请公布日2013.02.20(21)申请号201080056454.0(74)专利代理机构中国国际贸易促进委员会专(22)申请日2010.12.21利商标事务所11038代理人贾成功(30)优先权数据2009-2979022009.12.28JP(51)Int.Cl.H01L51/50(2006.01)(85)PCT申请进入国家阶段日C07D209/86(2006.01)2012.06.13C07D209/88(2006.01)(86)PCT申请的申请数据C07D409/14(2006.01)PCT/JP2010/0730222010.12.21C09K11/06(2006.01)(87)PCT申请的公布数据WO2011/081061JA2011.07.07(71)申请人新日铁化学株式会社地址日本东京(72)发明人小川淳也甲斐孝弘山本敏浩松本惠权利要求书权利要求书2页2页说明书说明书3333页页附图附图44页(54)发明名称有机场致发光元件(57)摘要本发明提供一种有机场致发光元件(有机EL元件),所述有机场致发光元件改善元件的发光效率、充分确保驱动稳定性且具有简单的构成。该有机EL元件在层叠于基板上的阳极和阴极之间具有发光层,该发光层含有磷光发光性掺杂剂和1,9位取代的咔唑化合物作为主体材料。作为1,9位取代咔唑化合物,可例示下述式(1)所示的化合物。需要说明的是,式(1)中,Ar表示芳香族烃基或芳香族杂环,L表示芳香族烃基或芳香族杂环基,R1~R3表示氢、烷基、环烷基、芳香族烃基或芳香族杂环基,n表示1~3的整数。CN10293674ACN102939674A权利要求书1/2页1.一种有机场致发光元件,其为在基板上层叠阳极、多个有机层及阴极而成的有机场致发光元件,其特征在于,在咔唑环的1位及9位具有选自芳香族烃基及芳香族杂环基的芳香族基团作为取代基,该芳香族基团的至少一方具有由2环以上的环形成的缩环结构,所述有机场致发光元件具有有机层,所述有机层含有总碳数20~80的咔唑化合物作为磷光发光元件用材料。2.根据权利要求1所述的有机场致发光元件,其中,咔唑化合物由通式(1)或(2)表示,(通式(1)及(2)中,Ar分别独立地表示选自碳数6~24的芳香族烃基及碳数3~23的芳香族杂环基的芳香族基团,L表示选自碳数6~30的芳香族烃基及碳数3~30的芳香族杂环基的芳香族基团,R1~R3分别独立地表示氢、碳数1~10的烷基、碳数3~11的环烷基、碳数6~18的芳香族烃基或碳数3~17的芳香族杂环基,n表示1~3的整数;在n为2以上的情况下,多个的Ar及R1~R3可以分别相同或不同;其中,Ar及L中至少1个为由2环以上的环形成的缩环结构的芳香族基团。)3.根据权利要求2所述的有机场致发光元件,其中,Ar及L两者或一方为由下述通式(3)表示的芳香族化合物产生的1价或n价的芳香族基团,(其中,X1分别独立地表示CR4或氮,Y表示-O-、-S-或-NR5-,Z表示直接键合、-O-、-S-、-NR6-、-CR7R8-或由下述式(Z-1)表示的基团,R4~R8分别独立地表示氢、碳数1~10的烷基、碳数3~11的环烷基、碳数6~18的芳香族烃基或碳数3~17的芳香族杂环基;其中,上述芳香族基团在为Ar的情况下为1价的芳香族基团,在为L的情况下为n价的芳香族基团。)2CN102939674A权利要求书2/2页4.根据权利要求3所述的有机场致发光元件,其中,在通式(3)中,Z为直接键合。5.根据权利要求2所述的有机场致发光元件,其中Ar或L的一方为由下述通式(4)表示的芳香族化合物产生的1价或n价的芳香族基团,(其中,X2分别独立地表示CR9或氮,R9~R12分别独立地表示氢、碳数1~10的烷基、碳数3~11的环烷基、碳数6~18的芳香族烃基或碳数3~17的芳香族杂环基,其中,上述芳香族基团在为Ar的情况下为1价的芳香族基团,在为L的情况下为n价的芳香族基团。)6.根据权利要求1~5所述的有机场致发光元件,其中,含有咔唑化合物的有机层为选自由发光层、空穴传输层、电子传输层、及空穴阻挡层组成的组中的至少1个层。7.根据权利要求6所述的有机场致发光元件,其中,含有咔唑化合物的有机层为含有磷光发光掺杂剂的发光层。8.根据权利要求7所述的有机场致发光元件,其中,磷光发光掺杂剂的发光波长在550nm以下具有发光极大波长。3CN102939674A说明书1/33页有机场致发光元件技术领域[0001]本发明涉及使用了特定结构的咔唑化合物的有机场致发光元件。背景技术[0002]一般而言,有机场致发光元件(以下,称为有机EL元件),作