芳香族烃树脂和光刻用下层膜形成组合物.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利(10)授权公告号(10)授权公告号CNCN102574963102574963B(45)授权公告日2014.11.19(21)申请号201080041176.1(51)Int.Cl.(22)申请日2010.09.14C08G10/02(2006.01)C08G61/10(2006.01)(30)优先权数据G03F7/11(2006.01)2009-2129532009.09.15JP2010-0186152010.01.29JP(56)对比文件2010-0859872010.04.02JPCN1428358A,2003.07.09,说明书第4-122010-1539352010.07.06JP页.WO2009/063860A1,2009.05.22,第4-5页.(85)PCT国际申请进入国家阶段日Yushangxianetal..MolecularDesign2012.03.15ofBinderResinsUsedinPositive(86)PCT国际申请的申请数据Photoresists.《JournalofPhotopolymerPCT/JP2010/0658552010.09.14ScienceandTechnology》.1997,第10卷(第2(87)PCT国际申请的公布数据期),第283-292页.WO2011/034062JA2011.03.24审查员林荫(73)专利权人三菱瓦斯化学株式会社地址日本东京都(72)发明人井出野隆次北诚二荻原雅司东原豪(74)专利代理机构北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277代理人刘新宇李茂家权权利要求书2页利要求书2页说明书23页说明书23页附图10页附图10页(54)发明名称芳香族烃树脂和光刻用下层膜形成组合物(57)摘要本发明提供可以作为半导体用的涂布剂或抗蚀剂用树脂使用的碳浓度高、氧浓度低的芳香族烃树脂；另外提供用于形成作为多层抗蚀剂工艺用下层膜的、耐蚀刻性优异的光刻用下层膜的组合物、以及由这些组合物形成的下层膜和使用了该下层膜的图案形成方法。使芳香族烃和芳香族醛在酸性催化剂的存在下反应，得到碳浓度高至90～99.9质量％且氧浓度低至0～5质量％的芳香族烃树脂。另外，本发明涉及包含该树脂和有机溶剂的光刻用下层膜形成组合物、由该组合物形成的下层膜和使用了该下层膜的图案形成方法。CN102574963BCN102574963BCN102574963B权利要求书1/2页1.一种光刻用下层膜形成组合物，其为用于在基板与抗蚀剂层之间形成下层膜的下层膜形成组合物，至少包含芳香族烃树脂和有机溶剂，所述芳香族烃树脂通过使式[1]所示的芳香族烃和式[2]所示的醛在酸性催化剂的存在下反应而得到，式[1]中，R表示氢或碳原子数1～4的烷基，l和m分别表示1～3的数，A表示1～2的数，l和m各自为2以上时，存在的多个R可以相同也可以不同；式[2]中，X表示氢、碳原子数1～10的烷基、碳原子数6～10的芳基、环己基、羟基或甲酰基，p和q分别表示1～3的数，B表示0～2的数，p和q各自为2以上时，存在的多个X可以相同也可以不同。2.根据权利要求1所述的光刻用下层膜形成组合物，其中，式[1]所示的芳香族烃为选自萘、甲基萘、二甲基萘和蒽中的至少一种。3.根据权利要求1所述的光刻用下层膜形成组合物，其中，式[2]所示的醛类为选自苯甲醛、甲基苯甲醛、乙基苯甲醛、丙基苯甲醛、丁基苯甲醛、环己基苯甲醛、联苯甲醛、羟基苯甲醛、二羟基苯甲醛、萘甲醛、和羟基萘甲醛中的至少一种。4.根据权利要求1所述的光刻用下层膜形成组合物，其中，酸性催化剂为选自盐酸、硫酸、磷酸、草酸、甲酸、对甲苯磺酸、甲磺酸、三氟乙酸、三氟甲磺酸、氯化锌、氯化铝、氯化铁、三氟化硼、硅钨酸、磷钨酸、硅钼酸和磷钼酸中的至少一种。5.根据权利要求1或2所述的光刻用下层膜形成组合物，其中所述芳香族烃树脂以下述式(3)表示，式[3]中，n为1～50的数，A、B、R、X、l、m、p和q均与所述式[1]和[2]相同。6.根据权利要求1所述的光刻用下层膜形成组合物，，其中所述芳香族烃树脂的碳浓度为90～99.9质量％。2CN102574963B权利要求书2/2页7.根据权利要求1所述的光刻用下层膜形成组合物，，其中所述芳香族烃树脂的氧浓度为0～5质量％。8.根据权利要求1所述的光刻用下层膜形成组合物，其还配合有产酸剂。9.根据权利要求1或8所述的光刻用下层膜形成组合物，其还配合有交联剂。10.一种光刻用下层膜，其由权利要求1～9中任一项所述的光刻用下层膜形成组合物形成。11.一种多层抗蚀图案的形成方法，其特征在于，使用权利要求1～9中任一项所述的光刻用下层膜形成组合物在基板上形成下层膜，在该下层膜上形成