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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CN104641453A(43)申请公布日(43)申请公布日2015.05.20(21)申请号201380046378.9(71)申请人住友电气工业株式会社(22)申请日2013.09.04地址日本大阪府大阪市(30)优先权数据(72)发明人石桥惠二八乡昭广广村友纪2012-2267772012.10.12JP松本直树中畑成二中西文毅2012-2630902012.11.30JP柳泽拓弥上松康二关裕纪2013-0291152013.02.18JP山本喜之善积祐介三上英则2013-0291252013.02.18JP(74)专利代理机构中原信达知识产权代理有限2013-0291142013.02.18JP责任公司112192013-1798392013.08.30JP代理人李兰孙志湧61/712,9672012.10.12US(51)Int.Cl.61/762,4072013.02.08USH01L21/02(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日2015.03.05(86)PCT国际申请的申请数据PCT/JP2013/0738052013.09.04(87)PCT国际申请的公布数据WO2014/057748JA2014.04.17权利要求书1页说明书80页附图11页(54)发明名称III族氮化物复合衬底及其制造方法以及制造III族氮化物半导体器件的方法(57)摘要提供具有低薄层电阻且以高良率制造的III族氮化物复合衬底及其制造方法,以及采用III族氮化物复合衬底制造III族氮化物半导体器件的方法。III族氮化物复合衬底(1)包括III族氮化物膜(13)以及由化学组成不同于III族氮化物膜(13)的材料形成的支撑衬底(11)。III族氮化物膜(13)以直接方式和间接方式中的一种接合至支撑衬底(11)。III族氮化物膜(13)具有10μm或更大的厚度。III族氮化物膜(13)侧的主表面(13m)的薄层电阻为200Ω/sq或更小。制造III族氮化物复合衬底(1)的方法包括以下步骤:直接或间接地将III族氮化物膜(13)和支撑衬底(11)彼此结合;以及减少彼此结合的III族氮化物膜(13)和/或支撑衬底的厚度。CN104641453ACN104641453A权利要求书1/1页1.一种III族氮化物复合衬底,包括III族氮化物膜以及由化学组成不同于所述III族氮化物膜的材料形成的支撑衬底,所述III族氮化物膜以直接方式和间接方式中的一种接合至所述支撑衬底,所述III族氮化物膜具有10μm或更大的厚度,并且所述III族氮化物复合衬底的III族氮化物膜侧的主表面的薄层电阻为200Ω/sq或更小。2.根据权利要求1所述的III族氮化物复合衬底,其中接合所述III族氮化物膜和所述支撑衬底的接合区的面积相对于主表面的面积为70%或更大,并且未接合所述III族氮化物膜和所述支撑衬底的非接合区包括至少一个非接合部分区,并且所述非接合部分区是在径向上具有小于20mm的最大尺寸的小非接合部分区。3.根据权利要求1所述的III族氮化物复合衬底,其中,未接合所述III族氮化物膜和所述支撑衬底的非接合区包括至少一个非接合部分区,并且所述非接合部分区是未邻接所述主表面周边的内部非接合部分区。4.根据权利要求1所述的III族氮化物复合衬底,其中,所述III族氮化物膜具有主表面通孔,并且所述主表面通孔的面积相对于所述主表面的面积为10%或更小。5.根据权利要求1所述的III族氮化物复合衬底,其中,所述III族氮化物膜和所述支撑衬底之间的接合界面包括含金属的杂质,并且所述杂质的浓度为1×1010cm-2或更大。6.根据权利要求1所述的III族氮化物复合衬底,其中,所述III族氮化物膜的热膨胀系数大于所述支撑衬底的热膨胀系数的0.7倍且小于所述支撑衬底的热膨胀系数的1.4倍。7.根据权利要求1所述的III族氮化物复合衬底,其中,所述支撑衬底具有1MNm-2/3或更大的断裂韧度,并且所述支撑衬底具有50μm或更大的厚度。8.根据权利要求1所述的III族氮化物复合衬底,其中,所述间接方式是将接合膜插入所述III族氮化物膜和所述支撑衬底之间的方式。9.一种制造根据权利要求1所述的III族氮化物复合衬底的方法,包括以下步骤:以直接方式和间接方式中的一种将所述III族氮化物膜和所述支撑衬底彼此结合;以及减少彼此结合的所述III族氮化物膜和所述支撑衬底中的至少一个的厚度。10.一种采用根据权利要求1所述的III族氮化物复合衬底来制造III族氮化物半导体器件的方法,包括以下步骤:制备所述III族氮化物复合衬底;以及在所述III族氮化物复合衬底的所述III族氮化物膜侧的主表面上生长