III族氮化物复合衬底及其制造方法以及制造III族氮化物半导体器件的方法.pdf
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III族氮化物复合衬底及其制造方法,层叠的III族氮化物复合衬底,以及III族氮化物半导体器件及其制造方法.pdf
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III族氮化物复合衬底及其制造方法以及制造III族氮化物半导体器件的方法.pdf
提供具有低薄层电阻且以高良率制造的III族氮化物复合衬底及其制造方法,以及采用III族氮化物复合衬底制造III族氮化物半导体器件的方法。III族氮化物复合衬底(1)包括III族氮化物膜(13)以及由化学组成不同于III族氮化物膜(13)的材料形成的支撑衬底(11)。III族氮化物膜(13)以直接方式和间接方式中的一种接合至支撑衬底(11)。III族氮化物膜(13)具有10μm或更大的厚度。III族氮化物膜(13)侧的主表面(13m)的薄层电阻为200Ω/sq或更小。制造III族氮化物复合衬底(1)的方法包
III族氮化物晶体衬底、包含外延层的III族氮化物晶体衬底、半导体器件及其制造方法.pdf
公开了一种III族氮化物晶体衬底(1),其特征在于,晶体衬底的表面层具有1.9×10-3或更低的均匀畸变,该均匀畸变是由X射线透入深度为0.3μm时的面间距d1和X射线透入深度为5μm时的面间距d2得到的|d1-d2|/d2的值表示的,该面间距是由改变自晶体衬底的主表面(1s)的X射线透入深度同时满足III族氮化物晶体衬底的任意特定平行晶格面的X射线衍射条件的X射线衍射测量得到的特定平行晶格面的面间距;并且主表面(1s)的面取向在方向上从晶体衬底的(0001)和(000-1)面(1c)在10°至80°的范
III族氮化物衬底、设置有外延层的衬底、制造上述衬底的方法以及制造半导体器件的方法.pdf
本发明涉及III族氮化物衬底、设置有外延层的衬底、制造上述衬底的方法以及制造半导体器件的方法。GaN衬底(1)为如下之一:一种III族氮化物衬底,其中每平方厘米表面(3)的酸性物质原子个数为2×1014以下,并且每平方厘米表面(3)的硅原子个数为3×1013以下;一种III族氮化物衬底,其中每平方厘米表面(3)的硅原子个数为3×1013以下,并且表面(3)的浊度为5ppm以下;以及一种III族氮化物衬底,其中每平方厘米表面(3)的酸性物质原子个数为2×1014以下,并且表面(3)的浊度为5ppm以下。
第III族氮化物半导体器件及其制造方法.pdf
提供一种第III族氮化物半导体器件,其在第III族氮化物半导体层的(000-1)面侧与电极之间具有良好的欧姆接触,并能够在较低电压下工作。所述第III族氮化物半导体器件(100)特征在于:在所述第III族氮化物半导体层110的(000-1)面侧的规定区域120内具有多个圆顶状圆形凸部124;和在所述规定区域120的上表面上具有电极128。