第III族氮化物半导体器件及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN104040736104040736A(43)申请公布日2014.09.10(21)申请号201280065179.8(51)Int.Cl.(22)申请日2012.12.12H01L33/22(2006.01)(30)优先权数据2011-2889202011.12.28JP(85)PCT国际申请进入国家阶段日2014.06.27(86)PCT国际申请的申请数据PCT/JP2012/0828552012.12.12(87)PCT国际申请的公布数据WO2013/099716JA2013.07.04(71)申请人同和电子科技有限公司地址日本东京都(72)发明人门胁嘉孝丰田达宪(74)专利代理机构北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277代理人刘新宇李茂家权权利要求书2页利要求书2页说明书12页说明书12页附图11页附图11页(54)发明名称第III族氮化物半导体器件及其制造方法(57)摘要提供一种第III族氮化物半导体器件，其在第III族氮化物半导体层的(000-1)面侧与电极之间具有良好的欧姆接触，并能够在较低电压下工作。所述第III族氮化物半导体器件(100)特征在于：在所述第III族氮化物半导体层110的(000-1)面侧的规定区域120内具有多个圆顶状圆形凸部124；和在所述规定区域120的上表面上具有电极128。CN104040736ACN104736ACN104040736A权利要求书1/2页1.一种具有第III族氮化物半导体层的第III族氮化物半导体器件，其包含：在所述第III族氮化物半导体层的(000-1)面侧的规定区域内的多个圆顶状圆形凸部；和在所述规定区域的上表面上的电极。2.根据权利要求1所述的第III族氮化物半导体器件，其中在邻接的凸部之间形成的谷底部具有陡峭的角度。3.根据权利要求1或2所述的第III族氮化物半导体器件，其中每个所述凸部的表面是刻面无法确定的随机表面。4.一种第III族氮化物半导体器件，其包含：支持体；和依次位于所述支持体上的第一导电型第III族氮化物半导体层、活性层和和第二导电型第III族氮化物半导体层；其中，所述第二导电型第III族氮化物半导体层的与所述支持体的相对侧是(000-1)面侧，和所述第III族氮化物半导体器件在所述第二导电型第III族氮化物半导体层的(000-1)面侧的规定区域内具有多个圆顶状圆形凸部，并在所述规定区域的上表面上具有电极。5.根据权利要求4所述的第III族氮化物半导体器件，其中所述第二导电型是n型。6.根据权利要求4或5所述的第III族氮化物半导体器件，其中所述电极是Ti/Al电极。7.一种具有第III族氮化物半导体层的第III族氮化物半导体器件的制造方法，其包含下述步骤：在所述第III族氮化物半导体层的(000-1)面侧的规定区域上进行各向异性蚀刻以形成多个多角锥形突起；在所述规定区域上进行各向同性蚀刻以将所述突起变成圆顶状圆形凸部；和在所述具有凸部的规定区域的上表面上形成电极。8.根据权利要求7所述的第III族氮化物半导体器件的制造方法，其中所述各向异性蚀刻是使每个所述突起的表面为除(000-1)面以外的刻面的湿法蚀刻。9.根据权利要求8所述的第III族氮化物半导体器件的制造方法，其中所述刻面是(10-1-1)面、(10-1-2)面和(10-1-3)面之一。10.根据权利要求8或9所述的第III族氮化物半导体器件的制造方法，其中在所述各向异性蚀刻中使用碱性溶液。11.根据权利要求8至10任一项所述的第III族氮化物半导体器件的制造方法，其中所述各向同性蚀刻是使每个所述凸部的表面为刻面无法确定的随机表面的干法蚀刻。12.根据权利要求7至11任一项所述的第III族氮化物半导体器件的制造方法，其中形成所述电极的步骤包含：在所述规定区域的上表面上形成保护膜；将抗蚀剂施涂到所述保护膜上，并通过光刻法除去电极形成区域的抗蚀剂；除去所述电极形成区域的保护膜；和2CN104040736A权利要求书2/2页在所述电极形成区域内形成电极。13.一种第III族氮化物半导体器件的制造方法，其包含下述步骤：依序在生长用基板上形成剥离层、第二导电型第III族氮化物半导体层、活性层和第一导电型第III族氮化物半导体层；在所述第一导电型第III族氮化物半导体层上形成支持体；除去所述剥离层，由此将所述生长用基板与所述第二导电型第III族氮化物半导体层分离；在所述(000-1)面侧的露出的第二导电型第III族氮化物半导体层的规定区域上进行各向异性蚀刻，由此形成多个多角锥形突起；在所述规定区域上进行各向同性蚀刻并将所述突起变成多个圆顶状圆形凸部；和在所述具有凸部的规定区域的上表面上形成电