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III族氮化物衬底、设置有外延层的衬底、制造上述衬底的方法以及制造半导体器件的方法.pdf
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III族氮化物衬底、设置有外延层的衬底、制造上述衬底的方法以及制造半导体器件的方法.pdf
本发明涉及III族氮化物衬底、设置有外延层的衬底、制造上述衬底的方法以及制造半导体器件的方法。GaN衬底(1)为如下之一：一种III族氮化物衬底，其中每平方厘米表面(3)的酸性物质原子个数为2×1014以下，并且每平方厘米表面(3)的硅原子个数为3×1013以下；一种III族氮化物衬底，其中每平方厘米表面(3)的硅原子个数为3×1013以下，并且表面(3)的浊度为5ppm以下；以及一种III族氮化物衬底，其中每平方厘米表面(3)的酸性物质原子个数为2×1014以下，并且表面(3)的浊度为5ppm以下。
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