III族氮化物晶体衬底、包含外延层的III族氮化物晶体衬底、半导体器件及其制造方法.pdf
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III族氮化物晶体衬底、包含外延层的III族氮化物晶体衬底、半导体器件及其制造方法.pdf
公开了一种III族氮化物晶体衬底(1),其特征在于,晶体衬底的表面层具有1.9×10-3或更低的均匀畸变,该均匀畸变是由X射线透入深度为0.3μm时的面间距d1和X射线透入深度为5μm时的面间距d2得到的|d1-d2|/d2的值表示的,该面间距是由改变自晶体衬底的主表面(1s)的X射线透入深度同时满足III族氮化物晶体衬底的任意特定平行晶格面的X射线衍射条件的X射线衍射测量得到的特定平行晶格面的面间距;并且主表面(1s)的面取向在方向上从晶体衬底的(0001)和(000-1)面(1c)在10°至80°的范
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提供一种Ⅲ族氮化物晶体衬底(1),其中,在满足所述晶体衬底的任意特定平行晶格面(1d)的X射线衍射条件的同时,通过利用从所述晶体衬底的主表面(1s)起的X射线穿透深度的变化进行X射线衍射测量,来获得所述晶体衬底的所述特定平行晶格面(1d)的面间距,在由d1表示在X射线穿透深度为0.3μm时的面间距并且d2表示在X射线穿透深度为5μm时的面间距的情况下,由|d1–d2|/d2的值表示的晶体衬底的表面层的平均形变等于或低于1.7×10-3,并且,其中,主表面(1s)的面取向在[0001]方向上相对于包括晶体衬
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III族氮化物衬底、设置有外延层的衬底、制造上述衬底的方法以及制造半导体器件的方法.pdf
本发明涉及III族氮化物衬底、设置有外延层的衬底、制造上述衬底的方法以及制造半导体器件的方法。GaN衬底(1)为如下之一:一种III族氮化物衬底,其中每平方厘米表面(3)的酸性物质原子个数为2×1014以下,并且每平方厘米表面(3)的硅原子个数为3×1013以下;一种III族氮化物衬底,其中每平方厘米表面(3)的硅原子个数为3×1013以下,并且表面(3)的浊度为5ppm以下;以及一种III族氮化物衬底,其中每平方厘米表面(3)的酸性物质原子个数为2×1014以下,并且表面(3)的浊度为5ppm以下。