用于单晶硅棒生产的掺杂工艺.pdf

本发明公开了一种用于单晶硅棒生产的掺杂工艺，包括准备原料、首次装料、第二次装料、加热熔化等操作步骤，通过改变硼族元素合金的掺加方法和掺加时间，控制和缩短了单晶硅棒头部和尾部之间的差距，缩小了单晶硅棒电阻率的差额区间，增加了单晶硅棒优质段的长度，提高了单晶硅棒的产量。

2023-06-14

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一种氮掺杂单晶硅棒的制备方法及氮掺杂单晶硅棒.pdf

本发明实施例公开了一种氮掺杂单晶硅棒的制备方法及氮掺杂单晶硅棒，所述制备方法包括：基于基准氮掺杂单晶硅棒切割成样品硅片后，选取多个待检测硅片，并评估所述多个待检测硅片的缺陷区域分布；基于所述多个待检测硅片的缺陷区域分布，确定所述基准氮掺杂单晶硅棒中各缺陷区域分布的位置；在当前氮掺杂单晶硅棒的制备过程中，在所述基准氮掺杂单晶硅棒中各缺陷区域分布的位置处按照设定的各缺陷区域对应的目标提拉速率进行提拉以制备得到所述当前氮掺杂单晶硅棒。

2023-07-24

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单晶硅棒的切方工艺.pdf

本发明涉及一种单晶硅棒的切方工艺，包括以下步骤：选取长度在170-500mm之间，直径在166.5-173mm之间的单晶硅圆棒，并用粘胶垂直粘接在切方机的晶托上；加磁固定晶托和单晶硅圆棒；校准连接定位台，设定加工切割参数，开动切方机进行带砂切割；将切割后的半成品脱胶，去除边皮并分离晶托；检验上述经过脱胶并分离晶托处理后的半成品，合格品转入其他工序。本发明中的砂浆粘度、密度增加，使带砂能力加强，进给速度加快，新线放给量减少，从而使切割效果变得良好，合格率大幅度提高，极大地提高了机器的工作效率；主滚轮间距经过

2023-10-21

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一种用于制造单晶硅棒的拉晶炉、方法及单晶硅棒.pdf

本发明实施例公开了一种用于制造单晶硅棒的拉晶炉、方法及单晶硅棒，所述拉晶炉包括：提拉机构，所述提拉机构构造成利用掺氮硅熔体通过直拉法拉制单晶硅棒；第一热处理器，所述第一热处理器用于在使所述单晶硅棒中的BMD消融的第一热处理温度下对所述单晶硅棒进行热处理；设置在所述第一热处理器上方的第二热处理器，所述第二热处理器用于在促使所述单晶硅棒中形成BMD的第二热处理温度下对所述单晶硅棒进行热处理；其中，所述提拉机构还构造成使所述单晶硅棒沿着拉晶方向移动而处于尾部节段被所述第一热处理器并且头部节段被所述第二热处理器热

2023-06-15

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单晶硅生产工艺及单晶硅片生产工艺.doc

单晶硅生产工艺及单晶硅片生产工艺单晶硅原子以三维空间模式周期形成的长程有序的晶体。多晶硅是很多具有不同晶向的小单晶体单独形成的，不能用来做半导体电路。多晶硅必须融化成单晶体，才能加工成半导体应用中使用的晶圆片。加工工艺：加料—→熔化—→缩颈生长—→放肩生长—→等径生长—→尾部生长（１）加料：将多晶硅原料及杂质放入石英坩埚内，杂质的种类依电阻的Ｎ或Ｐ型而定。杂质种类有硼，磷，锑，砷。（２）熔化：加完多晶硅原料于石英埚内后，长晶炉必须关闭并抽成真空后充入高纯氩气使之维持一定压力范围内，然后打开石墨加热器电源，

2024-05-08

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