单晶硅棒的切方工艺.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102328353A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102328353A(43)申请公布日2012.01.25(21)申请号201110230936.X(22)申请日2011.08.12(71)申请人无锡尚品太阳能电力科技有限公司地址214181江苏省无锡市惠山区前洲街道洛洲路8号(72)发明人孙亮湖(74)专利代理机构无锡市大为专利商标事务所32104代理人殷红梅(51)Int.Cl.B28D5/04(2006.01)权利要求书1页说明书3页(54)发明名称单晶硅棒的切方工艺(57)摘要本发明涉及一种单晶硅棒的切方工艺，包括以下步骤：选取长度在170-500mm之间，直径在166.5-173mm之间的单晶硅圆棒，并用粘胶垂直粘接在切方机的晶托上；加磁固定晶托和单晶硅圆棒；校准连接定位台，设定加工切割参数，开动切方机进行带砂切割；将切割后的半成品脱胶，去除边皮并分离晶托；检验上述经过脱胶并分离晶托处理后的半成品，合格品转入其他工序。本发明中的砂浆粘度、密度增加，使带砂能力加强，进给速度加快，新线放给量减少，从而使切割效果变得良好，合格率大幅度提高，极大地提高了机器的工作效率；主滚轮间距经过修正后，即使切割中带砂不够，也能保证整个尺寸控制在公差值以内。CN102385ACCNN110232835302328361A权利要求书1/1页1.一种单晶硅棒的切方工艺，其特征是，包括以下步骤：（1）选取长度在170-500mm之间，直径在166.5-173mm之间的单晶硅圆棒，将单晶硅圆棒用粘胶垂直粘接在切方机的晶托上并在常温下冷却，粘胶温度为350-400℃，单晶硅圆棒的垂直偏差角度在90°±1.5°以内；（2）将切方机的晶托和单晶硅圆棒放置在切方机加磁工作台上，编号记录，加磁固定晶托和单晶硅圆棒；（3）校准连接定位台，将切方机的主滚轮间距修正为125.3-125.5mm，设定加工切割参数，其中，砂浆粘度为42-45mpa.s，砂浆密度为1.73-1.78g/cm³，砂浆温度为24.5-25.5℃，砂浆流量为110L/min-120L/min；新线放给量为15-25m/min；切割线平均速度为650-750m/min；切割速度为650-880μm/min；然后开动切方机进行带砂切割；（4）将上述切割后的半成品转移到32-35℃温水中放置10-15min后，再放入65-70℃的热水中进行脱胶，去除边皮并分离晶托；（5）检验上述经过脱胶并分离晶托处理后的半成品，合格品转入其他工序。2.按照权利要求1所述的单晶硅棒的切方工艺，其特征是：所述砂浆的配置：首先将F360碳化硅与800号碳化硅按6∶4的重量比混合成混合砂，然后将上述混合砂与聚乙二醇按1.1∶1的重量比混合并搅拌均匀，配置成砂浆。3.按照权利要求2所述的单晶硅棒的切方工艺，其特征是：所述碳化硅粒径是14-15um。2CCNN110232835302328361A说明书1/3页单晶硅棒的切方工艺技术领域[0001]本发明涉及光伏技术领域的单晶硅片生产工艺，具体地说是一种单晶硅棒的切方工艺。背景技术[0002]作为硅片上游生产的关键技术，近年来崛起的新型硅片多丝切割技术具有切割表面质量高、切割效率高、可切割尺寸大和后续加工方便等优点。日本NTC切方机是实现多丝切割的常用设备。[0003]使用NTC切方机切割单晶硅棒的常用工艺中，砂浆粘度为38-42mpa.s，砂浆密度为1.70-1.72g/cm³；新线放给量为25-30m/min；切割线平均速度为600-700m/min；进给速度为600-650um/min。[0004]采用上述工艺参数进行生产时，连续切割三批后稳定性波动比较大，第一批次和第三批次切割尺寸误差超过±0.8左右，第三批次后的尺寸往往超过公差标准，上下斜度更是超过+0.6以上，合格率仅仅只有90％左右，（单位长度300mm左右）需经过再次修磨后才能合格，增加了生产成本。发明内容[0005]本发明针对上述现有技术的不足，提供一种切割精度高、合格率高的单晶硅棒的切方工艺。[0006]按照本发明提供的技术方案：一种单晶硅棒的切方工艺，包括以下步骤：（1）选取长度在170-500mm之间，直径在166.5-173mm之间的单晶硅圆棒，将单晶硅圆棒用粘胶垂直粘接在切方机的晶托上并在常温下冷却，粘胶温度为350-400℃，单晶硅圆棒的垂直偏差角度在90°±1.5°以内；（2）将切方机的晶托和单晶硅圆棒放置在切方机加磁工作台上，编号记录，加磁固定晶托和单晶硅圆棒；（3）校准连接定位台，将切方机的主滚轮间距修正为125.3-125.5mm，设定加工切割参数，其中，砂浆粘度为42-45mpa.s，砂浆密度为1.73-1.78g/cm³，砂