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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利(10)授权公告号CN105355647B(45)授权公告日2018.05.25(21)申请号201510844324.8H01L51/52(2006.01)(22)申请日2015.11.26H01L51/54(2006.01)H01L51/56(2006.01)(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN105355647A(56)对比文件CN102569678A,2012.07.11,(43)申请公布日2016.02.24CN1706226A,2005.12.07,(73)专利权人上海天马有机发光显示技术有限CN101901839A,2010.12.01,公司CN104157790A,2014.11.19,地址201201上海市浦东新区汇庆路889号US2007/0159094A1,2007.07.12,专利权人天马微电子股份有限公司审查员温菊红(72)发明人谢再锋李华敏吴培金雄杰(74)专利代理机构北京品源专利代理有限公司11332代理人孟金喆(51)Int.Cl.H01L27/32(2006.01)权利要求书3页说明书7页附图5页(54)发明名称一种封装结构、显示装置及其制作方法(57)摘要本发明提供一种封装结构,包括:薄膜封装层,其中,薄膜封装层包括至少一层无机层和至少一层钝化层;钝化层包含含有卤族元素的非晶态固体氧化物薄膜。钝化层包括第一活性薄膜层和第二活性薄膜层,第一活性薄膜层和第二活性薄膜层的氧原子与卤族元素原子的摩尔比不同。第一活性薄膜表面活性能降低,因而具有更低的热膨胀系数和更佳的表面黏着能力。钝化层中的第二活性薄膜层相对于第一活性薄膜层氧含量更高,游离氧的引入使得第一活性薄膜层化学结构更加的紧实无缺陷,因而获得极佳的阻隔水氧的效果。CN105355647BCN105355647B权利要求书1/3页1.一种封装结构,其特征在于,包括薄膜封装层,其中,所述薄膜封装层包括至少一层无机层和至少一层钝化层,所述钝化层包括含有卤族元素的非晶态固体氧化物薄膜,所述非晶态固体氧化物薄膜具有多面体交联网络结构;所述钝化层包括第一活性薄膜层和第二活性薄膜层,所述第一活性薄膜层和所述第二活性薄膜层的氧原子与卤族元素原子的摩尔比不同。2.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述多面体交联网络结构包括多个无规则交联的多面体,所述多面体由多个原子通过化学键连接形成。3.根据权利要求2所述的封装结构,其特征在于,所述多面体包括:四面体、六面体、八面体、二十面体中的一种或多种。4.根据权利要求2所述的封装结构,其特征在于,所述多面体交联网络结构还包括二维化学键结构,所述二维化学键结构包括:单键、三角形结构、多边形结构中的一种或多种。5.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述第二活性薄膜层覆盖所述第一活性薄膜层,且所述第二活性薄膜层和所述第一活性薄膜层在微观结构上直接结合。6.根据权利要求5所述的封装结构,其特征在于,所述含有卤族元素的非晶态固体氧化物薄膜包含三氧化二铋、三氧化二铝、五氧化二钒、二氧化钛、五氧化二磷、二氧化硅、三氧化二硼、二氧化碲中的一种或几种。7.根据权利要求6所述的封装结构,其特征在于,所述钝化层为含有氟元素的三氧化二铋薄膜或含有氟元素的二氧化硅薄膜或均含有氟元素的三氧化二铋与二氧化硅组合物薄膜。8.根据权利要求7所述的封装结构,其特征在于,所述第一活性薄膜层的氧原子与氟原子的摩尔比小于等于0.5;所述第二活性薄膜的氧原子与氟原子的摩尔比大于0.5且小于等于0.9。9.根据权利要求8所述的封装结构,其特征在于,所述第一活性薄膜层的厚度为:100纳米至10微米;所述第二活性薄膜层的厚度为:100纳米至2微米。10.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述非晶态固体氧化物薄膜还包括:锡元素和钨元素。11.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述无机层为二氧化硅、氧化铝、氮化硅、氮氧化硅、碳氧化硅中的一种或几种。12.一种显示装置,包含,基板;显示层,设置在所述基板上;如权利要求1-11任一项所述的封装结构,位于所述显示层上。13.根据权利要求12所述的显示装置,其特征在于,至少一层所述无机层位于所述钝化层和所述显示层之间,且所述无机层与所述显示层直接结合。14.根据权利要求12所述的显示装置,其特征在于,所述封装层远离所述显示层的表面为所述第二活性薄膜层。15.根据权利要求12所述的显示装置,其特征在于,所述显示层为有机电致发光器件。16.一种显示装置的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括以下步骤:提供一基板;2CN105355647B权利要求书2/3页在所述基板上形成显示层;形成薄膜封装层,所述显示层形成于所述基板和所述薄膜封装层之间;所述