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(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN116031250A(43)申请公布日2023.04.28(21)申请号202211358432.0(22)申请日2022.11.01(71)申请人杭州光智元科技有限公司地址311121浙江省杭州市余杭区仓前街道欧美金融城6幢10层1001室(72)发明人严其新孟怀宇沈亦晨(74)专利代理机构深圳紫藤知识产权代理有限公司44570专利代理师吴娟(51)Int.Cl.H01L25/065(2023.01)H01L25/16(2023.01)H01L21/50(2006.01)权利要求书4页说明书15页附图13页(54)发明名称封装结构及其制作方法(57)摘要本发明提供了一种封装结构及其制作方法,所述方法包括:提供半导体晶片,所述半导体晶片包括多个第一半导体芯片,针对每个第一半导体芯片,与该第一半导体芯片对应的至少一个第二半导体芯片上制作有缺口或者形成开口以露出光耦合区,增加了与该第一半导体芯片对应的所有第二半导体芯片所占的面积之和与该第一半导体芯片的所述第一表面所占面积的比例,同时还有利于提高第一半导体芯片和第二半导体芯片各自的有效利用面积,而且还避免了塑封层中的有机材料对光耦合区界面的污染问题。CN116031250ACN116031250A权利要求书1/4页1.一种封装结构的制作方法,其特征在于,所述方法包括:提供半导体晶片,所述半导体晶片包括多个第一半导体芯片,每个所述第一半导体芯片具有相对的第一表面和第二表面,所述第一表面上设置有光耦合区以及围绕所述光耦合区的非光耦合区,所述光耦合区内设置有光耦合接口;针对每个所述第一半导体芯片,提供与该第一半导体芯片对应的至少一个第二半导体芯片,并将所述至少一个第二半导体芯片固定在该第一半导体芯片的所述第一表面的所述非光耦合区上;在将与每个第一半导体芯片对应的至少一个第二半导体芯片固定在所述第一半导体芯片上之前,对所述至少一个第二半导体芯片的第一侧边进行切割,并在切割后形成沿所述第一侧边朝向对应的第二半导体芯片内部凹陷的缺口,所述缺口的长度小于所述第一侧边的长度;其中,针对具有所述缺口的每个所述第二半导体芯片,将该第二半导体芯片的所述缺口的边缘环绕所述光耦合区,以露出所述光耦合区。2.如权利要求1所述的封装结构的制作方法,其特征在于,针对每个所述第一半导体芯片,对与该第一半导体芯片对应的一个第二半导体芯片的所述第一侧边进行切割,并在切割后形成沿所述第一侧边朝向该第二半导体芯片内部凹陷的所述缺口,所述缺口所在的区域位于该第二半导体芯片的所述第一侧边的中部或者端部,所述缺口的形状与所述光耦合区的形状相适应。3.如权利要求1所述的封装结构的制作方法,其特征在于,针对每个所述第一半导体芯片,对与该第一半导体芯片对应的两个第二半导体芯片的各自的所述第一侧边分别进行切割,并在切割后分别形成沿所述第一侧边朝向对应的两个半导体芯片内部凹陷的第一缺口和第二缺口,所述第一缺口所在的区域和所述第二缺口所在的区域各自位于对应的两个第二半导体芯片的所述第一侧边的端部,将其中一个具有所述第一缺口的第二半导体芯片和另一个具有所述第二缺口的第二半导体芯片以拼接的方式固定在所述光耦合区的四周,并且所述第一缺口和所述第二缺口在拼接后所形成的总的缺口的形状与所述光耦合区的形状相适应。4.如权利要求1至3中任意一项所述的封装结构的制作方法,其特征在于,针对具有所述缺口的每个所述第二半导体芯片,该第二半导体芯片的所述第一侧边在其长度方向上或者宽度方向上延伸至靠近所述第一半导体芯片的一侧边缘。5.如权利要求4所述的封装结构的制作方法,其特征在于,针对每个所述第一半导体芯片,定义该第一半导体芯片的所述第一表面所占面积为S1,与该第一半导体芯片对应的所有的第二半导体芯片所占的面积之和为S2,其中,S2与S1之间的比例大于80%。6.如权利要求1所述的封装结构的制作方法,其特征在于,所述半导体晶片包括:第一承载基板,所述第一承载基板与所述多个第一半导体芯片的所述第二表面临时键合,以用于临时承载所述半导体晶片。7.如权利要求6所述的封装结构的制作方法,其特征在于,在将与每个第一半导体芯片对应的至少一个第二半导体芯片固定在所述第一半导体芯片上之后,所述方法还包括:将每个所述第二半导体芯片背离对应的第一半导体芯片的一侧表面与临时键合膜键2CN116031250A权利要求书2/4页合,随后将所述第一承载基板解键合。8.如权利要求7所述的封装结构的制作方法,其特征在于,所述方法还包括:在将所述第一承载基板解键合之后,针对每个所述第一半导体芯片在所述半导体晶片上对应的区域边界,从所述第二表面指向所述第一表面的方向上,对所述半导体晶片进行切割;以及,去除所述临时键合膜,以得到多个分离的