一种气雾化铁硅铝粉的制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109317688A(43)申请公布日2019.02.12(21)申请号201811373580.3(22)申请日2018.11.19(71)申请人湖南特种金属材料有限责任公司地址410000湖南省长沙市岳麓区盛大泽西城5栋5楼(72)发明人江权刘维荣黄文杰银瑰许定胜吴秀玲赵凯(74)专利代理机构长沙楚为知识产权代理事务所(普通合伙)43217代理人李大为(51)Int.Cl.B22F9/08(2006.01)C22C38/02(2006.01)C22C38/06(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图1页(54)发明名称一种气雾化铁硅铝粉的制备方法(57)摘要本发明提供一种气雾化铁硅铝粉的制备方法，包括如下步骤：利用两台熔炼炉分别熔炼铁硅合金和铝，熔炼炉口均采用氮气保护；将铁硅合金熔体和铝熔体一起浇注入中间包中，通过所述中间包底部的漏嘴进入气雾化室，利用高压氮气进行雾化混合熔体成液滴，液滴冷却后即制得铁硅铝粉。本发明可以克服非真空状态下，由于铁硅铝熔点不同造成低熔点的铝会产生氧化造渣堵塞漏嘴导致气雾化过程无法进行的重大障碍，使得非真空状态时气雾化过程仍然能够顺利进行，制得的铁硅铝粉性能能够达到客户需求，金属实收率较高、在非真空条件下可以实现工业化生产、操作简单、生产效率高、设备造价大幅下降，维护方便、产品性能较优秀。CN109317688ACN109317688A权利要求书1/1页1.一种气雾化铁硅铝粉的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、利用两台熔炼炉分别熔炼一定配比的铁硅合金和铝，熔炼炉口均采用氮气气氛保护；步骤2、当熔炼好的铁硅合金熔体和铝熔体温度达到设定的浇注温度时，一起浇注入中间包中；步骤3、铁硅合金熔体和铝熔体通过所述中间包底部的漏嘴进入气雾化室，利用高压氮气进行雾化混合熔体，将混合熔体击碎成液滴，所述液滴冷却后即制得铁硅铝粉。2.根据权利要求1所述气雾化铁硅铝粉的制备方法，其特征在于，所述熔炼炉采用中频感应熔炼炉。3.根据权利要求1所述气雾化铁硅铝粉的制备方法，其特征在于，所述铁硅合金和所述铝的配比满足Si含量7～12％wt，Al含量4～8％wt，Fe含量余量。4.根据权利要求1所述气雾化铁硅铝粉的制备方法，其特征在于，所述铁硅合金熔体的浇注温度为1580～1700℃，所述铝熔体的浇注温度为810～1000℃。5.根据权利要求1所述气雾化铁硅铝粉的制备方法，其特征在于，所述铁硅合金熔体和铝熔体浇注时采用对向浇注的方式。6.根据权利要求1所述气雾化铁硅铝粉的制备方法，其特征在于，所述铁硅合金熔体和铝熔体浇注时的流速分别为12～13kg/min、0.7～0.9kg/min。7.根据权利要求1所述气雾化铁硅铝粉的制备方法，其特征在于，所述高压氮气的压力为35～40kg。8.根据权利要求1所述气雾化铁硅铝粉的制备方法，其特征在于，所述高压氮气的流速为40～50m3/min。9.根据权利要求1所述气雾化铁硅铝粉的制备方法，其特征在于，所述漏嘴的直径为5～8mm。2CN109317688A说明书1/5页一种气雾化铁硅铝粉的制备方法技术领域[0001]本发明属于合金粉末制备领域，具体涉及一种气雾化铁硅铝粉的制备方法。背景技术[0002]金属中铁的熔点为1583℃，硅的熔点为1410℃，而铝的熔点为660℃，在非真空条件下三种金属熔炼合金时，铝在熔体中极易氧化造渣，在气雾化过程中铝渣会阻碍熔体通过直径约5mm的漏嘴进入气雾化室导致生产过程无法正常进行。[0003]现有技术生产气雾化铁硅铝粉普遍是采用真空炉熔炼铁硅铝合金，然后将合金熔体再通过气雾化方法，利用高压氮气进行气雾化合金熔体制得铁硅铝粉。其优点是制备的铁硅铝粉含氧量低，利用该铁硅铝粉制得的金属磁粉芯各项性能优越，但缺点也很明显，在熔炼每一炉合金时都需要对设备抽取真空的操作，而且真空设备造价高昂，生产过程复杂，生产效率低，产品成本高。[0004]CN201110324086.X提供了一种高磁导率低功耗铁硅铝磁粉芯的制造方法，其中铁硅铝粉的制备采用保护剂覆盖非真空中频感应电炉用来熔炼铁硅铝合金熔体；将上述合金熔体经超高压水雾化制粉装置雾化成合金粉末，该发明合金熔炼采用非真空中频感应电炉，比目前使用的真空感应电炉熔炼成本更低，设备投资少，生产过程操作方便。但铁硅铝合金在非真空条件下熔炼时，铝与铁、硅熔炼时温度相同，铝容易氧化，不利于氧含量的有效控制。发明内容[0005]本发明旨在不明显降低后端产品性能的情况下，提供一种在非真空条件下气雾化制造铁硅铝粉的方法，以降低设备和生产成本，同时提高生产率。[0006]为了实现上述目的，本发明通过如下的技术方案来实现。[0007]一种气雾化铁硅铝粉