半导体装置、半导体装置的制造方法、半导体基板、和半导体基板的制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN103474354A*(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103474354103474354A(43)申请公布日2013.12.25(21)申请号201310343762.7H01L21/28(2006.01)(22)申请日2009.11.27H01L29/423(2006.01)H01L29/49(2006.01)(30)优先权数据H01L29/78(2006.01)2008-3127612008.12.08JPH01L29/786(2006.01)(62)分案原申请数据H01L29/94(2006.01)200980148632.X2009.11.27(71)申请人住友化学株式会社地址日本东京都申请人国立大学法人东京大学独立行政法人产业技术综合研究所独立行政法人物质·材料研究机构(72)发明人秦雅彦福原升山田永高木信一杉山正和竹中充安田哲二宫田典幸板谷太郎石井裕之大竹晃浩奈良纯(74)专利代理机构中科专利商标代理有限责任公司11021代理人蒋亭(51)Int.Cl.H01L21/336(2006.01)权权利要求书3页利要求书3页说明书16页说明书16页附图14页附图14页(54)发明名称半导体装置、半导体装置的制造方法、半导体基板、和半导体基板的制造方法(57)摘要本发明公开一种半导体装置，包含具有闪锌矿型的结晶结构的3-5族化合物半导体；与3-5族化合物半导体的(111)面、(111)面的等效的面，或，具有从(111)面或(111)面的等效的面倾斜的倾斜角的面接触的绝缘性材料；和与绝缘性材料接触且含有金属传导性材料的MIS型电极。CN103474354ACN103475ACN103474354A权利要求书1/3页1.一种半导体装置，具备，3-5族化合物半导体，其具有闪锌矿型的结晶结构；绝缘性材料，其接触于所述3-5族化合物半导体的(111)面、与所述(111)面等效的面、或具有从所述(111)面或与所述(111)面等效的面倾斜的倾斜角的面；以及MIS型电极，其接触于所述绝缘性材料且含有金属传导性材料；所述绝缘性材料包含：含Al且具有闪锌矿型的结晶结构的3-5族化合物半导体，或含Al且具有闪锌矿型的结晶结构的3-5族化合物半导体的氧化物。2.根据权利要求1所述的半导体装置，所述金属传导性材料，包含从由TaC、TaN、TiN、Ti、Au、W、Pt及Pd构成的组中选择的至少1种。3.一种半导体装置，具备，3-5族化合物半导体，其具有闪锌矿型的结晶结构；绝缘性材料，其接触于所述3-5族化合物半导体的(111)面、与所述(111)面等效的面、或具有从所述(111)面或与所述(111)面等效的面倾斜的倾斜角的面；MIS型电极，其接触于所述绝缘性材料且含有金属传导性材料；从由Si基板、SOI基板和GOI基板构成的组中选择的基体基板；以及所述3-5族化合物半导体配置于所述基体基板的一部分。4.一种半导体装置的制造方法，包括以下步骤：准备具有闪锌矿型的结晶结构，且具有(111)面、与所述(111)面等效的面、或具有从所述(111)面或与所述(111)面等效的面倾斜的倾斜角的面的3-5族化合物半导体的步骤；形成绝缘性材料的步骤，所述绝缘性材料接触于所述(111)面、与所述(111)面等效的面、或具有从所述(111)面或与所述(111)面等效的面倾斜的倾斜角的面；形成MIS型电极的步骤，所述MIS型电极接触于所述绝缘性材料，且由金属传导性材料形成；以及形成与所述3-5族化合物半导体电连接的输入输出电极的步骤；形成所述MIS型电极的步骤，是在形成所述输入输出电极的步骤之前实施的。5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，所述绝缘性材料，是通过含还原性材料的气体环境中的ALD法或MOCVD法形成而获得的。6.一种半导体装置的制造方法，包括以下步骤：准备具有闪锌矿型的结晶结构，且具有(111)面、与所述(111)面等效的面、或具有从所述(111)面或与所述(111)面等效的面倾斜的倾斜角的面的3-5族化合物半导体的步骤；形成绝缘性材料的步骤，所述绝缘性材料接触于所述(111)面、与所述(111)面等效的面、或具有从所述(111)面或与所述(111)面等效的面倾斜的倾斜角的面；形成MIS型电极的步骤，所述MIS型电极接触于所述绝缘性材料，且由金属传导性材料形成；形成与所述3-5族化合物半导体电连接的输入输出电极的步骤；2CN103474354A权利要求书2/3页形成所述输入输出电极的步骤是在形成所述绝缘性材料的步骤之前实施的。7.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，所述绝缘性材料，是通过含还原性材料的气体环境中的ALD法或MOCVD法形成而获得的。8.根据权利要求6所