功率半导体器件封装结构和功率半导体器件模块.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115910950A(43)申请公布日2023.04.04(21)申请号202211410185.4H01L23/485(2006.01)(22)申请日2022.11.10H01L23/31(2006.01)(71)申请人北京智慧能源研究院地址102209北京市昌平区未来科技城滨河大道18号申请人国网湖北省电力有限公司电力科学研究院(72)发明人王磊王亮金锐周扬石浩唐新灵林仲康陈堃(74)专利代理机构北京三聚阳光知识产权代理有限公司11250专利代理师薛异荣(51)Int.Cl.H01L23/367(2006.01)H01L23/473(2006.01)权利要求书2页说明书9页附图3页(54)发明名称功率半导体器件封装结构和功率半导体器件模块(57)摘要本发明提供一种功率半导体器件封装结构和功率半导体器件模块，功率半导体器件封装结构包括：下导电散热板，所述下导电散热板的一侧的部分表面具有沉槽；功率芯片，位于所述沉槽中，所述功率芯片与所述下导电散热板电连接。所述功率半导体器件封装结构的散热效果好、功率密度大且寄生电感低。CN115910950ACN115910950A权利要求书1/2页1.一种功率半导体器件封装结构，其特征在于，包括：下导电散热板，所述下导电散热板的一侧的部分表面具有沉槽；功率芯片，位于所述沉槽中，所述功率芯片与所述下导电散热板电连接。2.根据权利要求1所述的功率半导体器件封装结构，其特征在于，所述下导电散热板中具有第一冷却通道，所述第一冷却通道至少部分位于所述沉槽底部，所述第一冷却通道用于流通介电流体。3.根据权利要求2所述的功率半导体器件封装结构，其特征在于，所述第一冷却通道包括依次连通的第一进口通道、第一过渡通道和第一出口通道，所述第一进口通道远离所述第一过渡通道的一端位于所述下导电散热板的边缘区域，所述第一进口通道与所述第一过渡通道连接的一端位于所述下导电散热板的中心区域。4.根据权利要求3所述的功率半导体器件封装结构，其特征在于，所述第一进口通道远离所述第一过渡通道的一端为第一端，所述第一进口通道与所述第一过渡通道连接的一端为第二端，所述第一进口通道的宽度方向上具有相对的第一侧和第二侧；所述第一过渡通道包括依次连通的第一子下过渡通道至第N子下过渡通道；任意的第k1子下过渡通道自第二侧经过第二端背离第一端的一侧延伸至第一侧；k1为大于或等于1且小于或等于N的奇数；任意的第k2子下过渡通道自第一侧经过第二端背离第一端的一侧延伸至第二侧；k2为大于或等于2且小于或等于N的偶数；第一子下过渡通道与所述第二端连通；第N子下过渡通道与所述第一出口通道连通。5.根据权利要求2所述的功率半导体器件封装结构，其特征在于，第一冷却通道的宽度为0.1mm－1mm。6.根据权利要求4所述的功率半导体器件封装结构，其特征在于，沿着第一过渡通道的宽度方向上第k子下过渡通道与第k+1子下过渡通道之间的距离为0.1mm－0.5mm，k为大于或等于1且小于N的整数。7.根据权利要求1所述的功率半导体器件封装结构，其特征在于，所述功率芯片具有朝向所述沉槽一侧的集电极；所述功率半导体器件封装结构还包括：位于所述集电极和所述沉槽的底面之间的第一导电烧结层。8.根据权利要求1所述的功率半导体器件封装结构，其特征在于，还包括：绝缘上散热板，所述功率芯片位于所述绝缘上散热板和所述下导电散热板之间；所述绝缘上散热板中具有第二冷却通道，所述第二冷却通道至少部分位于所述功率芯片的上方，所述第二冷却通道用于流通介电流体。9.根据权利要求8所述的功率半导体器件封装结构，其特征在于，所述第二冷却通道包括依次连通的第二进口通道、第二过渡通道和第二出口通道，所述第二进口通道远离所述第二过渡通道的一端位于所述上散热板的边缘区域，所述第二进口通道与所述第二过渡通道连接的一端位于所述上散热板的中心区域。10.根据权利要求9所述的功率半导体器件封装结构，其特征在于，所述第二进口通道远离所述第二过渡通道的一端为第三端，所述第二进口通道与所述第二过渡通道连接的一端为第四端，所述第二进口通道的宽度方向上具有相对的第三侧和第四侧；所述第二过渡通道包括依次连通的第一子上过渡通道至第M子上过渡通道；任意的第j1子上过渡通道自2CN115910950A权利要求书2/2页第三侧经过第四端背离第三端的一侧延伸至第四侧；j1为大于或等于1且小于或等于M的奇数；任意的第j2子上过渡通道自第四侧经过第四端背离第三端的一侧延伸至第三侧；j2为大于或等于2且小于或等于M的偶数；第一子上过渡通道与所述第四端连通；第M子上过渡通道与所述第二出口通道连通。11.根据权利要求8所述的功率半导体器件封装结构，其特征在于，所述第二冷却通道的宽度为0