一种氟铌酸钾结晶的制备方法.pdf
婀娜****aj
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一种氟铌酸钾结晶的制备方法.pdf
本申请涉及氟铌酸钾制备方法技术领域,特别地,涉及一种氟铌酸钾结晶的制备方法。为了解决工艺流程和反应条件复杂、产品杂质高,收率偏低等问题。所述制备方法包括:选取氢氧化铌粉体溶于氢氟酸溶液,得到铌酸溶液,过滤所述铌酸溶液,去除杂质;过滤后的所述铌酸溶液升温至60℃或以上,加入氯化钾、氟化钾、氢氧化钾中的任一种,保温至少30min进行合成反应,得到氟铌酸钾溶液;将所述氟铌酸钾溶液冷却至25‑30℃,分离样品和母液,将所述样品进行洗涤、干燥,获得氟铌酸钾结晶。
铌酸钾钠织构陶瓷与铌酸钾钠单晶的制备方法.pdf
本发明的目的是提供一种铌酸钾钠织构陶瓷与铌酸钾钠单晶的制备方法,它以K0.5Na0.5NbO3为主体材料,LiBiO3或BiNiO3作为掺杂原料组成;以无水乙醇为介质湿磨,烘干后合成瓷料;瓷料经二次球磨,烘干后加粘结剂造粒,在110MPa的压力下压制成素坯试样,将素坯试样水平放置于高温电炉中烧结,烧结后,随炉冷却至室温,即制得KNN基陶瓷,控制烧结温度和烧结时间,还可获得尺寸达到2mm以上的单晶。采用传统的陶瓷制备工艺,在常规条件制备出具有良好择优取向的KNN陶瓷,如果控制烧结温度和时间还可以获得尺寸达到
一种铌酸钾铅压电单晶的制备方法.pdf
本发明一种铌酸钾铅压电单晶的制备方法,将先合成的铌酸钾铅多晶料压成致密圆柱状料块,选择不同取向的高质量铌酸钾铅单晶作为籽晶,将籽晶装入坩埚底部的种井部位,然后将原料块装入坩埚,使原料块处于炉膛内高温区,炉温控制在1360~1390℃,保持固液界面温度梯度为6~10℃/cm,保温3~7小时使多晶粉料充分熔融,坩埚下降速率为0.2~0.5mm/h;待原料全部结晶后,使坩埚处于炉膛恒温区,在1000~1200℃下保温,然后以30~50℃/h速率缓慢降温至室温,取出晶体,即可得到浅黄色铌酸钾铅压电单晶。本发明实现
一种铌酸钾钠基压电陶瓷的制备方法.pdf
本发明涉及一种铌酸钾钠基压电陶瓷的制备方法,其特征在于包括以下步骤:按照化学计量比(K0.5Na0.5(CuxNb1-2/5x)O3)配料,混料球磨,将湿料烘干,然后将烘干粉料压成柱状,在电炉子中煅烧得到铌酸钾钠基陶瓷粉体,出研碎,再球磨过目筛;将过筛后的粉料预压成直径为圆片,然后冷等静压压力下成型;将成型后的圆片烧结成瓷;然后以再随炉冷却到室温,得到铌酸钾钠基压电陶瓷。优点在于,烧结成瓷后其电学性能,尤其是机械品质因数得到较大的提高,当铜离子取代浓度一定时出现明显的双电滞回线,且居里温度任然保持在410
富铌掺锂钽铌酸钾单晶及其制备方法.pdf
富铌掺锂钽铌酸钾单晶及其制备方法,它涉及钽铌酸钾晶体及其制备方法。本发明是要解决现有的低铌钽铌酸钾晶体居里温度低,而用现有晶体生长方法无法得到富铌钽铌酸钾单晶的技术问题。本发明的富铌掺锂钽铌酸钾单晶的表示式为K0.95Li0.05Ta1-xNbxO3,其中x=0.50~0.90。方法:将碳酸钾、碳酸锂、氧化钽和氧化铌粉末并混合均匀和球磨后,压片,然后预烧得到多晶片,再将多晶片捣碎、湿磨得到生长单晶的原料,在晶体提拉生长炉内经籽晶接种、提拉、等径生长后,得到富铌掺锂钽铌酸钾单晶。该单晶的相变温度为310~5