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一种异质结电池的制备方法.pdf
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异质结电池及异质结电池制备方法.pdf
本发明涉及太阳能电池技术领域，提供异质结电池及其制备方法。该异质结电池的制备方法包括，对N型衬底原片进行双面制绒，得到双绒N型衬底；对所述双绒N型衬底的其中一侧进行腐蚀，得到一侧为绒面、另一侧为光面的待加工N型衬底；采用所述待加工N型衬底制备异质结电池。该异质结电池的制备方法制备的异质结电池，将N型衬底原片一面设计成绒面结构，另一面设计成光面结构，反射率增加，使光面的单位面积的缺陷态密度减小，使更多的载流子在PN结分离后能够穿过N型衬底与P型非晶/微晶硅层到达第二透明导电层；而且，光面的反射效果更好，可以
2023-06-11
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本发明提供一种异质结电池的制备方法,包括:提供半导体结构,半导体结构中第一导电类型掺杂层背离第二导电类型掺杂层的一侧表面与第二导电类型掺杂层背离第一导电类型掺杂层的一侧表面之一为第一表面,另一为第二表面,第一表面包括间隔设置的第一导电区至第n导电区、以及位于相邻导电区之间的切割区,n为大于等于1的整数;形成覆盖在第一导电区至第n导电区的第一透明导电层;沿切割线切割半导体结构,切割线位于切割区内。上述制备方法使切割线与第一透明导电层具有一定的距离,能够避免在切割半导体结构的过程中第一透明导电层发生破裂,进而
2023-05-10
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异质结电池的制备方法.pdf
本发明公开了一种异质结电池的制备方法，将材料和加工设备置于密闭真空的环境中；对硅片进行清洗；对所述硅片的两个表面进行抛光处理；将用于单面制绒的且防止化学液腐蚀渗透的掩膜贴附于经抛光处理的所述两个表面之一上；对带有掩膜的硅片进行湿法化学纳米线结构制备；对制得的纳米线结构进行清洗前预处理；通过反应离子干法刻蚀对所述绒面表面作微腐蚀清洁处理；选择恰当的化学清洗液进一步除去在硅片表面残留的银粒子；剥离所述掩膜后对具备纳米线构造的硅片实施针对性的后清洗处理；清洗结束后在硅片上开始异质结太阳电池的制备；在制作完的异质
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本发明属于太阳能电池制造技术领域，具体涉及一种硅异质结电池及其制备方法。该硅异质结电池由以下步骤制得：将厚度不超过130μm的单晶硅片进行双面制绒，然后将其背面刻蚀为平面；随后在正面依次沉积一层本征非晶硅和一层N型非晶硅；背面依次沉积一层本征非晶硅和P型非晶硅；然后在正背面分别沉积一层TCO导电薄膜；然后在背面依次沉积一层功能层和一层抗氧化焊接层，得到电池片；最后在正面印刷主副栅线制得。本发明基于硅片减薄和背面抛光双重新型技术，通过配套设计背面结构、厚度及材质，相互配合制得一种HJT电池，实现了在降低电
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一种硅基异质结电池的制备方法.pdf
本发明公开了一种硅基异质结电池的制备方法，其包括：提供N型硅片；在N型硅片的一面上沉积本征非晶硅膜层和N型非晶硅层，另一面上沉积本征非晶硅膜层和P型非晶硅层；分别在P型非晶硅层和N型非晶硅层上沉积透明导电膜层；分别在P型非晶硅层和N型非晶硅层的透明导电膜层上沉积阻挡层和种子铜层；分别在两面的种子铜层上铺设感光干膜，通过曝光和显影在种子铜层上形成栅线图案；通过含氧等离子体与种子铜层表面的碳残留物反应后生成二氧化碳以去除种子铜层上的碳残留物；在种子铜层的栅线图案上电镀铜，形成铜栅线电极。本发明去除了种子铜层上
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