封装结构及其制造方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115763280A(43)申请公布日2023.03.07(21)申请号202211338381.5H01L25/18(2006.01)(22)申请日2022.10.28(71)申请人长鑫存储技术有限公司地址230601安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号(72)发明人刘莹(74)专利代理机构上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙)31260专利代理师成丽杰(51)Int.Cl.H01L21/60(2006.01)H01L21/56(2023.01)H01L23/31(2006.01)H01L23/48(2006.01)H01L23/488(2006.01)权利要求书2页说明书10页附图8页(54)发明名称封装结构及其制造方法(57)摘要本公开实施例涉及半导体领域，提供一种封装结构及其制造方法，其中，封装结构的制造方法包括：提供多个堆叠件，每一堆叠件包括多个沿第一方向层叠的芯片，每一芯片均具有导电层，且不同的芯片的导电层沿第一方向排布；将多个堆叠件键合至承载面，使得不同的芯片沿第二方向排布，不同的芯片的导电层均位于远离承载面的顶部区域，承载面与第二方向平行；形成多个第一电连接部，每一第一电连接部位于堆叠件远离承载面的表面，且与相应的导电层电接触；提供第二晶圆；将堆叠件键合至第二晶圆上，第二晶圆与载板分别位于堆叠件相对的两侧；在第二晶圆表面形成塑封层，多个堆叠件位于塑封层内。至少有利于提升制造封装结构的效率。CN115763280ACN115763280A权利要求书1/2页1.一种封装结构的制造方法，其特征在于，包括：提供多个堆叠件，每一所述堆叠件包括多个沿第一方向层叠的芯片，每一所述芯片均具有导电层，且不同的所述芯片的所述导电层沿所述第一方向排布；提供载板，所述载板具有承载面；进行第一键合处理，将多个所述堆叠件键合至所述承载面，在所述第一键合处理之后，每一所述堆叠件中，不同的所述芯片沿第二方向排布，不同的所述芯片的所述导电层沿所述第二方向排布且均位于远离所述承载面的顶部区域，所述承载面与所述第二方向平行；形成多个第一电连接部，每一所述第一电连接部位于所述堆叠件远离所述承载面的表面，且与相应的所述导电层电接触；提供第二晶圆，所述第二晶圆表面具有多个分立的第二电连接部；进行第二键合处理，将所述堆叠件键合至所述第二晶圆上，以使所述第一电连接部与所述第二电连接部固定且电接触，且所述第二晶圆与所述载板分别位于所述堆叠件相对的两侧；形成第一塑封层，多个所述堆叠件位于所述第一塑封层内。2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成所述堆叠件的工艺步骤包括：提供初始堆叠件，所述初始堆叠件包括多个沿所述第一方向层叠的第一晶圆，所述第一晶圆具有多个芯片，每一所述芯片均具有所述导电层，且不同的所述第一晶圆的所述芯片在沿所述第一方向上正对；对所述初始堆叠件进行切割处理，获取多个相分离的所述堆叠件。3.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述对所述堆叠件进行切割处理，包括：所述第一晶圆具有位于相邻所述芯片之间的切割道区，且所述导电层邻近所述切割道区设置，不同的所述第一晶圆的所述切割道区均沿所述第一方向排布；沿所述切割道区切割所述初始堆叠件，且还暴露出所述导电层的侧面。4.如权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述形成多个第一电连接部，包括：在暴露出的所述导电层的侧面形成所述第一电连接部。5.如权利要求4所述的制造方法，其特征在于，形成所述第一电连接部的工艺步骤包括：形成具有多个开口的介质层，所述介质层位于所述堆叠件远离所述承载面的表面，且所述介质层露出所述导电层；形成所述第一电连接部，所述第一电连接部填充所述开口。6.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在形成所述第一电连接部之前，还包括：第一键合处理之后，形成第二塑封层，所述第二塑封层用于将多个所述堆叠件固定在所述载板表面，所述第二塑封层密封所述堆叠件且还位于相邻的所述堆叠件之间。7.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于，在形成所述第一电连接部之前，还包括：对塑封后的所述堆叠件进行平坦化处理，以减薄所述堆叠件的厚度，并使不同的所述芯片的所述导电层均被暴露出。8.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在形成所述第一塑封层之前，还包括：进行解键合处理，使所述载板从所述堆叠件上脱离。9.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在形成所述第一塑封层之后，还包括：进2CN115763280A权利要求书2/2页行切片处理，以形成多个相分立的封装结构。10.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述导电层为电源信号层。11.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述芯片为存储芯片；所述第二晶圆为逻辑晶圆。12.一种封装