激光退火设备.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113838783A(43)申请公布日2021.12.24(21)申请号202111153643.6(22)申请日2021.09.29(71)申请人上海集成电路研发中心有限公司地址201210上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号(72)发明人康晓旭李铭何冬(74)专利代理机构上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙)31286代理人黄海霞(51)Int.Cl.H01L21/67(2006.01)H01L21/268(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图1页(54)发明名称激光退火设备(57)摘要本发明提供了一种激光退火设备，包括用于承载硅片的承载部；还包括激光发射部以发出激光；还包括反射激光探测部和透射激光探测部，以接收反射激光和透射激光并生成激光能量信息；还包括控制部，所述控制部通信连接所述透射激光探测部、所述反射激光探测部和所述激光发射部，所述控制部接收透射信息和反射信息，并根据所述透射信息和所述反射信息对所述激光发射部进行激光输出控制，实现同时分析入射激光、反射激光和透射激光的能量，获得加工对象对激光能量的吸收率，以判断激光退火的实际效果。CN113838783ACN113838783A权利要求书1/2页1.一种激光退火设备，其特征在于，包括：承载部，用于承载硅片；激光发射部，设置于所述承载部的第一侧，以发出激光；反射激光探测部，与所述激光发射部设置于所述承载部的同一侧，并位于所述激光经所述硅片后形成的反射激光的光路上，以接收所述反射激光并生成反射信息；透射激光探测部，设置于所述承载部的与所述第一侧相对的第二侧，并位于所述激光经所述硅片后形成的透射激光的光路上，以接收所述透射激光并生成透射信息；控制部，通信连接所述透射激光探测部、所述反射激光探测部和所述激光发射部，所述控制部接收所述透射信息和所述反射信息，并根据所述透射信息和所述反射信息对所述激光发射部进行激光输出控制。2.根据权利要求1所述的激光退火设备，其特征在于，还包括通信连接所述控制部的温度探测部，所述温度探测部获取所述硅片的正面温度信息和背面温度信息并反馈给所述控制部，所述控制部根据所述透射信息、所述反射信息、所述正面温度信息和所述背面温度信息对所述激光发射部进行激光输出控制。3.根据权利要求2所述的激光退火设备，其特征在于，还包括与所述控制部通信连接的冷却介质流量控制部，所述激光发射部设置有与所述冷却介质流量控制部相接的冷却介质通道，所述控制部根据接收的所述正面温度信息和所述背面温度信息判断是否通过所述冷却介质流量控制部控制所述冷却介质通道内的冷却介质流量。4.根据权利要求3所述的激光退火设备，其特征在于，所述激光发射部包括与所述冷却介质通道相接触的凹面汇聚反射镜，所述凹面汇聚反射镜包括反射层和热膨胀层组成的叠层机构，所述反射层的热涨系数小于所述热膨胀层的热涨系数，使所述凹面汇聚反射镜响应于所述冷却介质流量的变化改变凹面的弯曲程度。5.根据权利要求2所述的激光退火设备，其特征在于，所述温度探测部包括设置于所述承载部不同侧，且均与所述控制部通信连接的正面温度探测部和背面温度探测部，以分别获取所述正面温度信息和所述背面温度信息。6.根据权利要求5所述的激光退火设备，其特征在于，还包括设置于所述反射激光探测部和所述透射激光探测部之间的过滤部，以滤除热辐射光。7.根据权利要求6所述的激光退火设备，其特征在于，所述过滤部包括设置于所述激光发射部和所述承载部之间的正面过滤部，所述激光发射部、所述反射激光探测部和所述正面温度探测部位于所述正面过滤部的同一侧。8.根据权利要求7所述的激光退火设备，其特征在于，所述正面过滤部包括正面镂空区域，所述正面温度探测部通过所述正面镂空区域与所述硅片的正面相对设置。9.根据权利要求7所述的激光退火设备，其特征在于，所述过滤部还包括设置于所述承载部和所述透射激光探测部之间的背面过滤部，所述透射激光探测部和所述背面温度探测部位于所述背面过滤部的同一侧。10.根据权利要求9所述的激光退火设备，其特征在于，所述背面过滤部包括背面镂空区域，所述背面温度探测部通过所述背面镂空区域与所述硅片的背面相对设置。11.根据权利要求5所述的激光退火设备，其特征在于，还包括与所述控制部通信连接的加热补偿部，所述加热补偿部设置于所述承载部并与所述背面温度探测部位于同一侧，2CN113838783A权利要求书2/2页所述控制部根据所述背面温度探测部反馈的背面温度信息控制所述加热补偿部对所述硅片进行加热补偿。12.根据权利要求1所述的激光退火设备，其特征在于，所述承载部包括用于承载所述硅片并能够相对所述激光发射部相对运动的移动式承载部，以及相对所述移动式承载部设置的支撑结构。1