一种MicroLED芯片、制作方法及MicroLED显示屏.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115911212A(43)申请公布日2023.04.04(21)申请号202211610612.3(22)申请日2022.12.14(71)申请人上海闻泰电子科技有限公司地址200001上海市黄浦区北京东路666号H区（东座）6楼H115室(72)发明人姜贝(74)专利代理机构北京开阳星知识产权代理有限公司11710专利代理师鲍文婷(51)Int.Cl.H01L33/38(2010.01)H01L33/20(2010.01)H01L33/24(2010.01)H01L33/00(2010.01)H01L25/075(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图7页(54)发明名称一种MicroLED芯片、制作方法及MicroLED显示屏(57)摘要本公开涉及一种MicroLED芯片，包括：衬底、位于衬底一侧的外延发光结构、第一电极和第二电极；外延发光结构包括依次位于衬底一侧的第一导电型外延层、有源层以及第二导电型外延层；外延发光结构包括凹槽台阶，凹槽台阶贯穿第二导电型外延层以及有源层露出第一导电型外延层；第一电极位于凹槽台阶露出的第一导电型外延层上；第二电极位于第二导电型外延层背离有源层的一侧；其中，第一电极和第二电极的水平高度相同。通过设置相同水平高度的第一电极和第二电极，使得MicroLED芯片能够更好的匹配背板的结构，在与背板进行共晶键合过程中，相同水平高度的第一电极和第二电极能够够好的贴合背板的键合连接点，从而提高了键合良率。CN115911212ACN115911212A权利要求书1/2页1.一种MicroLED芯片，其特征在于，包括：衬底、位于所述衬底一侧的外延发光结构、第一电极和第二电极；所述外延发光结构包括依次位于所述衬底一侧的第一导电型外延层、有源层以及第二导电型外延层；所述外延发光结构包括凹槽台阶，所述凹槽台阶贯穿所述第二导电型外延层以及所述有源层露出所述第一导电型外延层；所述第一电极位于所述凹槽台阶露出的所述第一导电型外延层上；所述第二电极位于所述第二导电型外延层背离所述有源层的一侧；其中，所述第一电极和所述第二电极的水平高度相同。2.根据权利要求1所述的MicroLED芯片，其特征在于，所述第一电极背离所述第一导电型外延层的一侧，以及所述第二电极背离所述第二导电型外延层的一侧设置有键合金属层。3.根据权利要求2所述的MicroLED芯片，其特征在于，所述键合金属层的材料包括铟。4.根据权利要求2所述的MicroLED芯片，其特征在于，所述键合金属层包括键合金属凸点。5.根据权利要求1所述的MicroLED芯片，其特征在于，所述外延发光结构、所述第一电极、以及所述第二电极的表面设置有绝缘层；所述绝缘层在所述第一电极背离所述衬底的一侧，以及所述第二电极背离所述衬底的一侧设置有开口；所述绝缘层的开口处设置有电极填充层。6.一种MicroLED芯片的制作方法，其特征在于，用于制作如权利要求1至5任意一项所述的MicroLED芯片，方法包括：在衬底上依次制作外延发光结构的第一导电型外延层、有源层和第二导电型外延层；刻蚀所述外延发光结构形成凹槽台阶，所述凹槽台阶贯穿所述第二导电型外延层以及所述有源层露出所述第一导电型外延层；在所述第二导电型外延层背离所述有源层的一侧形成第二电极；在所述凹槽台阶露出的所述第一导电型外延层上形成第一电极；其中，所述第一电极和所述第二电极的水平高度相同。7.根据权利要求6所述的MicroLED芯片的制作方法，其特征在于，在所述凹槽台阶露出的所述第一导电型外延层上形成第一电极之后，还包括：在所述第一电极背离所述第一导电型外延层的一侧，以及所述第二电极背离所述第二导电型外延层的一侧形成键合金属层。8.根据权利要求7所述的MicroLED芯片的制作方法，其特征在于，在所述第一电极背离所述第一导电型外延层的一侧，以及所述第二电极背离所述第二导电型外延层的一侧形成键合金属层之后，还包括：对所述键合金属层进行回流工艺形成键合金属凸点。9.根据权利要求8所述的MicroLED芯片的制作方法，其特征在于，对所述键合金属层进行回流工艺形成键合金属凸点之后还包括：去除所述键合金属层的表面氧化层。2CN115911212A权利要求书2/2页10.一种MicroLED显示屏，其特征在于，包括如权利要求1至5任意一项所述的MicroLED芯片。3CN115911212A说明书1/6页一种MicroLED芯片、制作方法及MicroLED显示屏技术领域[0001]本公开涉及芯片制作技术领域，尤其涉及一种MicroLED芯片、制作方法及MicroLED显示屏。背景技术[0002]MicroLED(Microlightemittingdiode)显示技术是