用于处理半导体基板的组合物以及半导体基板的处理方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115678685A(43)申请公布日2023.02.03(21)申请号202210867213.9C11D3/18(2006.01)(22)申请日2022.07.22H01L21/3105(2006.01)(30)优先权数据10-2021-00971922021.07.23KR(71)申请人易安爱富科技有限公司地址韩国京畿道(72)发明人吴正植金泰镐金起莹李明镐宋明根(74)专利代理机构成都超凡明远知识产权代理有限公司51258专利代理师魏彦(51)Int.Cl.C11D1/72(2006.01)C11D1/722(2006.01)C11D1/825(2006.01)权利要求书3页说明书9页附图1页(54)发明名称用于处理半导体基板的组合物以及半导体基板的处理方法(57)摘要本发明涉及一种用于处理半导体基板的组合物，具体地涉及一种用于处理涂有聚硅氮烷的晶圆边缘部分的组合物。根据本发明的用于处理半导体基板的组合物，在管理方面，可以均匀地保持组合物品质，在工序方面，还可以均匀地处理晶圆的界面。此外，通过提高去除聚硅氮烷的边界部的直线度，能够显著降低产品的不良率，并稳定地提高生产收率。CN115678685ACN115678685A权利要求书1/3页1.一种用于处理半导体基板的组合物，其中，相对于组合物的总重量，包含：98至99.8重量％的三甲苯；以及氟类表面活性剂。2.根据权利要求1所述的用于处理半导体基板的组合物，其中，所述氟类表面活性剂的分子是线型或支链型。3.根据权利要求1所述的用于处理半导体基板的组合物，其中，所述氟类表面活性剂包含化学式1至4中一个以上的化合物：[化学式1][化学式2][化学式3][化学式4]2CN115678685A权利要求书2/3页在化学式1至4中，A为O、NR、环氧乙烷、(C1‑10)烷基或SR，其中，R为(C1‑10)烷基，Y为1至10的整数，N为1至4的整数，L为H、C、(C1‑2)烷氧基(C1‑2)烷醇或(C1‑2)烷醇。4.根据权利要求1所述的用于处理半导体基板的组合物，其中，所述氟类表面活性剂为化学式5至8中一个以上的化合物：[化学式5][化学式6][化学式7]3CN115678685A权利要求书3/3页[化学式8]5.根据权利要求1所述的用于处理半导体基板的组合物，其中，相对于组合物的总重量，包含：0.001至0.3重量％的所述氟类表面活性剂。6.一种半导体基板的处理方法，其中，包括：利用根据权利要求1所述的组合物来处理半导体基板的步骤。4CN115678685A说明书1/9页用于处理半导体基板的组合物以及半导体基板的处理方法技术领域[0001]本发明涉及一种用于处理半导体基板的组合物，具体地涉及一种用于处理涂有聚硅氮烷(polysilazane)的晶圆边缘部分的组合物。背景技术[0002]以往为了在半导体制造工序中形成二氧化硅膜，采用物理气相沉积法(PhysicalVaporDeposition，PVD，溅镀法(Sputtering))、化学气相沉积法(ChemicalVaporDeposition，CVD)或溶胶‑凝胶法(SOL‑GEL)，或者采用形成聚硅氧烷(Polysiloxane)膜或聚硅氮烷膜后，再转化成二氧化硅膜的方法等。其中，形成聚硅氧烷膜或聚硅氮烷膜后，再转化成二氧化硅质膜的方法，可通过低温烧结(lowtemperaturesintering)形成优质的二氧化硅膜质。二氧化硅膜用于液晶显示装置等的半导体元件的绝缘膜、平坦化膜、钝化膜等。[0003]形成二氧化硅膜的方法通常包括将聚硅氮烷溶液旋涂在基板上的步骤、通过加热去除溶剂的步骤、通过烧结将聚硅氮烷转化成二氧化硅膜的步骤。在将聚硅氮烷溶液旋涂在基板上的步骤中，在基板周边的边缘形成珠粒(bead)，同时溶液扩散并涂布在基板的背面。此时，为了防止边缘珠在基板周缘形成不均匀的涂膜厚度，通常会进行边缘珠去除(edgebeadremoval，EBR)或边缘清洗(edgerinse)处理，为了去除附着在基板背面的聚硅氮烷而实施背面冲洗(backrinse)处理。[0004]如上所述，在基板上涂布聚硅氮烷膜的工序中，有时需要从基板或涂布装置等剥离或去除不需要的聚硅氮烷的工序。已知作为此时使用的组合物为，例如，丙二醇单甲醚乙酸酯(Propyleneglycolmonomethyletheracetate，PGMEA)等的共溶剂(co‑solvent)混合物。[0005]但是，根据这样的组合物，很难充分剥离或去除聚硅氮烷，因此去除聚硅氮烷的边界面容易产生膜厚的隆起(humpheight)。这种膜厚隆起会在膜的烧结过程中引起裂纹或剥落，从而在产品中可能会出现缺陷。此外，由于