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半导体基板的制造方法以及半导体基板.pdf
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半导体基板的制造方法以及半导体基板.pdf
本发明的半导体基板的制造方法包括：氢层形成工序，在该氢层形成工序中，在由第1半导体材料的单晶形成的第1基板(2)上形成氢层(3)；接合工序，在该接合工序中，使第1基板与临时基板(4)接合；第1分离工序，在该第1分离工序中，以氢层为边界使第1基板分离，将第1基板的分离出的表面侧的部分作为第1薄膜层(22)而保留在临时基板上；支承层形成工序，在该支承层形成工序中，在保留有第1薄膜层的临时基板上形成由第2半导体材料形成的支承层(6)；第2分离工序，在该第2分离工序中，将临时基板去除；以及切除工序，在该切除工序中
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