半导体基板的制造方法以及半导体基板.pdf
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半导体基板的制造方法以及半导体基板.pdf
本发明的半导体基板的制造方法包括:氢层形成工序,在该氢层形成工序中,在由第1半导体材料的单晶形成的第1基板(2)上形成氢层(3);接合工序,在该接合工序中,使第1基板与临时基板(4)接合;第1分离工序,在该第1分离工序中,以氢层为边界使第1基板分离,将第1基板的分离出的表面侧的部分作为第1薄膜层(22)而保留在临时基板上;支承层形成工序,在该支承层形成工序中,在保留有第1薄膜层的临时基板上形成由第2半导体材料形成的支承层(6);第2分离工序,在该第2分离工序中,将临时基板去除;以及切除工序,在该切除工序中
半导体基板、半导体装置以及半导体基板的制造方法.pdf
提供一种半导体基板,该半导体基板具有:基底基板,其表面的全部或一部分是硅结晶面;抑制体,其位于基底基板之上,具有到达硅结晶面的开口,抑制结晶的生长;第一结晶层,其位于从开口露出的硅结晶面之上,由SixGe1-x(0≤x<1)构成;第二结晶层,其位于第一结晶层之上,由禁带宽度比第一结晶层大的III-V族化合物半导体构成;以及一对金属层,其位于抑制体以及第二结晶层之上,一对金属层中的每一个金属层与第一结晶层以及第二结晶层分别接触。
半导体基板、半导体元件以及半导体基板的制造方法.pdf
提供一种包含单晶Ga
光器件、半导体基板、光器件的制造方法、以及半导体基板的制造方法.pdf
提供一种光器件,具备:基底基板,包含硅;多个种晶,设置在基底基板上;以及多个3-5族化合物半导体,与多个种晶晶格匹配或者准晶格匹配,其中,在多个3-5族化合物半导体中的至少一个中形成有光电半导体,该光电半导体包含根据供给的驱动电流来输出光的发光半导体、或者接收光的照射来产生光电流的感光半导体,在多个3-5族化合物半导体中的具有光电半导体的3-5族化合物半导体以外的至少一个的3-5族化合物半导体中形成有异质结晶体管。
半导体基板的制造方法及半导体基板.pdf
包括:在反应容器内部设置基底基板(base?wafer)的阶段;以及对上述反应容器供给由3族元素的有机金属化合物构成的3族原料气、由5族元素构成的5族原料气体、及在半导体内被掺杂含施主杂质的杂质气体,在基底基板上使p型3-5族化合物半导体外延生长的阶段;其中,使p型3-5族化合物半导体在基底基板上结晶外延生长的阶段中,将杂质气体的流量、以及5族原料气体相对于3族原料气体的流量比设定成p型3-5族化合物半导体的残留载流子浓度N(cm-3)及厚度d(cm)的积N×d(cm-2)为8.0×1011以下的状态。