表面处理组合物、以及使用其的表面处理方法和半导体基板的制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109716488A(43)申请公布日2019.05.03(21)申请号201780057671.3(74)专利代理机构北京林达刘知识产权代理事务所(普通(22)申请日2017.08.28合伙)11277代理人刘新宇李茂家(30)优先权数据2016-1857752016.09.23JP(51)Int.Cl.H01L21/304(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日C11D7/22(2006.01)2019.03.19C11D7/26(2006.01)(86)PCT国际申请的申请数据C11D7/32(2006.01)PCT/JP2017/0307892017.08.28C11D7/34(2006.01)(87)PCT国际申请的公布数据C23G1/10(2006.01)WO2018/055986JA2018.03.29(71)申请人福吉米株式会社地址日本爱知县(72)发明人陈景智权利要求书1页说明书13页(54)发明名称表面处理组合物、以及使用其的表面处理方法和半导体基板的制造方法(57)摘要[课题]提供的方案在于，边使残留于至少含有包含钨的层、以及原硅酸四乙酯或氮化硅的研磨完成后的研磨对象物的表面的杂质充分去除，边抑制钨的溶解速度。[解决方案]一种表面处理组合物，其含有：具有磺酸(盐)基的高分子化合物；选自氨基酸和多元醇中的至少1种化合物；和，分散介质，所述组合物用于对研磨完成后的研磨对象物的表面进行处理，所述研磨完成后的研磨对象物至少含有包含钨的层、以及原硅酸四乙酯或氮化硅。CN109716488ACN109716488A权利要求书1/1页1.一种表面处理组合物，其含有：具有磺酸(盐)基的高分子化合物；选自氨基酸和多元醇中的至少1种化合物；和，分散介质，所述组合物用于对研磨完成后的研磨对象物的表面进行处理，所述研磨完成后的研磨对象物至少含有包含钨的层、以及原硅酸四乙酯或氮化硅。2.根据权利要求1所述的表面处理组合物，其pH为酸性。3.根据权利要求1或2所述的表面处理组合物，其中，所述具有磺酸(盐)基的高分子化合物的重均分子量为1000以上。4.根据权利要求1～3中任一项所述的表面处理组合物，其中，所述氨基酸的PI值为7.0以上。5.根据权利要求1～4中任一项所述的表面处理组合物，其中，所述氨基酸为碱性氨基酸。6.根据权利要求1～5中任一项所述的表面处理组合物，其中，所述氨基酸含有硫原子。7.根据权利要求1～6中任一项所述的表面处理组合物，其中，所述多元醇为选自多元醇和糖类中的至少1种。8.一种表面处理方法，所述方法使用权利要求1～7中任一项所述的表面处理组合物，对研磨完成后的研磨对象物的表面进行处理。9.一种半导体基板的制造方法，其包括通过权利要求8所述的表面处理方法，对研磨完成后的研磨对象物的表面进行处理的工序。2CN109716488A说明书1/13页表面处理组合物、以及使用其的表面处理方法和半导体基板的制造方法技术领域[0001]本发明涉及表面处理组合物、以及使用其的表面处理方法和半导体基板的制造方法。背景技术[0002]近年来，随着半导体基板表面的多层布线化，制造器件时，利用有如下技术：以物理的方式对半导体基板进行研磨而平坦化的、所谓化学机械研磨(ChemicalMechanicalPolishing；CMP)技术。CMP为使用包含二氧化硅、氧化铝、氧化铈等磨粒、防腐蚀剂、表面活性剂等的研磨用组合物(浆料)，使半导体基板等研磨对象物(被研磨物)的表面平坦化的方法，研磨对象物(被研磨物)为硅、多晶硅、原硅酸四乙酯、氮化硅、由金属等形成的布线、活塞等。[0003]在CMP工序后的半导体基板表面上残留有大量的杂质(缺陷)。作为杂质，包括：源自CMP中使用的研磨用组合物的磨粒、金属、防腐蚀剂、表面活性剂等有机物；对作为研磨对象物的含硅材料、金属布线、活塞等进行研磨而产生的含硅材料、金属、进而由各种垫等产生的垫残渣等有机物等。[0004]半导体基板表面如果被这些杂质污染，则对半导体的电特性造成不良影响，有器件的可靠性降低的可能性。因此，期望在CMP工序后导入清洗工序，从半导体基板表面去除这些杂质。[0005]作为这样的清洗用组合物，例如专利文献1中公开了如下方案：通过含有聚羧酸或羟基羧酸、磺酸型阴离子性表面活性剂、羧酸型阴离子性表面活性剂和水的、半导体基板用的清洗用组合物，能去除杂质而不腐蚀基板表面。[0006]现有技术文献[0007]专利文献[0008]专利文献1：日本特开2012-74678号公报发明内容[0009]发明要解决的问题[0010]然而，近年来，进行具有原硅酸四乙酯(TEOS)或氮化硅(SiN)的研磨完成后的研磨对象物的