Micro LED阵列结构及其制备方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115775856A(43)申请公布日2023.03.10(21)申请号202211484158.1(22)申请日2022.11.24(71)申请人深圳市思坦科技有限公司地址518000广东省深圳市龙华区大浪街道同胜社区工业园路1号1栋凯豪达大厦十三层1309(72)发明人张珂管云芳(74)专利代理机构北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)11463专利代理师徐丽(51)Int.Cl.H01L33/44(2010.01)H01L27/15(2006.01)H01L33/00(2010.01)权利要求书1页说明书6页附图4页(54)发明名称MicroLED阵列结构及其制备方法(57)摘要本申请提供了一种MicroLED阵列结构及其制备方法，MicroLED阵列结构包括：衬底、设置于衬底上的MicroLED像素单元阵列；MicroLED像素单元阵列包括多个MicroLED像素单元；相邻的两个MicroLED像素单元之间设置有钝化层和黑胶。本申请通过设置于相邻的两个MicroLED像素单元之间的钝化层和黑胶，既能够改善光串扰，又能够提高发光效率。CN115775856ACN115775856A权利要求书1/1页1.一种MicroLED阵列结构，其特征在于，所述MicroLED阵列结构包括：衬底、设置于所述衬底上的MicroLED像素单元阵列；所述MicroLED像素单元阵列包括多个MicroLED像素单元；相邻的两个所述MicroLED像素单元之间设置有钝化层和黑胶。2.根据权利要求1所述的阵列结构，其特征在于，所述MicroLED像素单元包括：所述衬底上自下而上依次设置的外延层和电极层；所述外延层自下而上依次包括：N型氮化镓层、发光层、P型氮化镓层；所述电极层自下而上依次包括：导电层、第一金属层和第二金属层；所述黑胶的填充深度从所述第二金属层一直到达所述发光层，以遮挡所述发光层在水平方向的出光。3.根据权利要求2所述的阵列结构，其特征在于，所述黑胶的填充深度跨越所述第二金属层、所述第一金属层、所述导电层、所述P型氮化镓层、所述发光层，直到覆盖于所述N型氮化镓层上。4.根据权利要求2所述的阵列结构，其特征在于，所述导电层为ITO铟锡金属氧化物层；所述第一金属层为Ti/Al/Ti/Au电极；所述第二金属层为铟金属层。5.根据权利要求1至4任一项所述的阵列结构，其特征在于，所述黑胶为耐高温高光密度黑色光刻胶。6.一种MicroLED阵列结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底上形成初始MicroLED阵列；其中，所述初始MicroLED阵列包括多个初始MicroLED像素单元；相邻的两个所述初始MicroLED像素单元之间设置有钝化层；所述初始MicroLED像素单元自下而上依次包括外延层及形成于所述外延层上的导电层、第一金属层；在所述初始MicroLED阵列上覆盖黑胶层，以使相邻的每两个所述初始MicroLED像素单元之间的钝化层中设置有黑胶；在所述黑胶层上设置第一金属接触窗口；通过所述第一金属接触窗口，设置与所述第一金属层接触的第二金属层，得到MicroLED阵列结构。7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，在衬底上形成初始MicroLED阵列的步骤，包括：在外延片上形成SiO2掩模层；所述外延片包括衬底和设置于所述衬底上的外延层；在所述SiO2掩模层上形成初始LED像素结构；在所述初始LED像素结构上设置导电层和第一金属层，得到LED像素结构；在所述LED像素结构上形成钝化层，并在所述钝化层上形成第二金属接触窗口，得到所述初始MicroLED阵列。8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，在外延片上形成SiO2掩模层的步骤之前，还包括：在衬底上形成外延层，得到所述外延片。9.一种MicroLED模组，其特征在于，所述MicroLED模组包括：如权利要求1‑5任一项所述的MicroLED阵列结构。10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求9所述的MicroLED模组。2CN115775856A说明书1/6页MicroLED阵列结构及其制备方法技术领域[0001]本申请涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种MicroLED阵列结构及其制备方法。背景技术[0002]MicroLED即微型发光二极管，是指高密度集成的LED阵列，阵列中的LED像素点距离在10微米量级，每一个LED像素都能自发光。将10微米尺度的LED芯片连接到驱动基板上，从而实现对每个芯片放光亮度的精确控制，进而实现图像显示。[0003]光串扰在LED显示中是普遍存在的现象，因此产生了很多消除光串扰的方法，比如盖消光板等，但是该方式无法很好的适用于结构更加精细的MicroLE